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0.18μmCMOS工艺5GHz WLAN低噪声放大器和Low-IF下变频器: 最近十年,网络与无线通信的迅猛发展极大地推动了社会的信息化进程.一方面,各种信息,包括文字、图片、声音和图像,广泛地通过网络传播到信息终端,网络的各种业务已渗透到各行各业.另一方面,各种无线通信技术的广泛应用已经使人类摆...; 谢婷婷; 文献传递

An 8.5GHz 1∶8 Frequency Divider in 0.35μm CMOS Technology被引量：5: 2003年; An 1∶8 frequency divider is designed and realized in a 0 35μm standard CMOS technology.The chip consists of three stages of 1∶2 divider cells,which are constructed with source couple logic (SCL) flip flops.By revising the traditional topology of SCL flip flop,a divider with better performances is got.The results of measurement show that the whole chip achieves the frequency division at more than 8 5GHz.Each 1∶2 divider consumes about 11mW from a 3 3V supply.The divider can be used in RF and optic fiber transceivers and other high speed systems.; 陆建华王志功田磊陈海涛谢婷婷陈志恒董毅谢世钟; 关键词：CMOS IC

2.9GHz0.35μm CMOS低噪声放大器被引量：22: 2001年; 随着特征尺寸的不断减小 ,深亚微米CMOS工艺其MOSFET的特征频率已经达到 5 0GHz以上 ,使得利用CMOS工艺实现GHz频段的高频模拟集成电路成为可能 .越来越多的射频工程师开始利用先进的CMOS工艺设计射频集成电路 ,本文给出了一个利用 0 3 5 μmCMOS工艺实现的 2 9GHz单片低噪声放大器 .放大器采用片内集成的螺旋电感实现低噪声和单片集成 .在 3伏电源下 ,工作电流为 8mA ,功率增益大于 10dB ,输入反射小于 - 12dB .; 陶蕤王志功谢婷婷陈海涛; 关键词：CMOS工艺低噪声放大器螺旋电感

0.35μm CMOS环形压控振荡器: 王志功冯军刘丽方芳谢婷婷; 该项目设计了两个单生集成的压控振荡器（VCD），电路采用环形振荡器结构。为抑制电源和衬底的共模噪声，所有的高频信号通路都设计为差分形式。该项目避开了我国此前在工艺制造方面的弱势，利用境外先进的集成电路生产线工艺，充分发挥...; 关键词：; 关键词：环形压控振荡器光纤通信

12-GHz 0.25μmCMOS 1:2动态分频器被引量：10: 2003年; 基于D触发器的电路结构 ,采用TSMC 0 .2 5 μmCMOS工艺 ,成功地实现了12GHz 1:2动态分频器。经测试 ,该分频器在输入信号频率为 10 .5 3GHz时 ,最小可分频幅度小于 2mV ,输入信号单端幅度小于 30 0mV时 ,可分频范围为 7GHz～ 12GHz。电源电压 3.3V ,核心功耗 2 4mW。; 王欢王志功冯军朱恩陆建华陈海涛谢婷婷熊明珍章丽; 关键词：D触发器 CMOS工艺电路设计锁存器

12Gb/s0.25μm CMOS数据判决和1∶2数据分接电路: 2004年; 采用 TSMC 0 .2 5μm CMOS工艺成功实现了用于光纤传输系统的 12 Gb/s数据判决和 1∶ 2数据分接电路 .测试结果显示 ,在 3.3V电源供电情况下 ,功耗为 6 0 0 m W,其中包括 3路输出缓冲 .输入信号单端峰峰值为 2 5 0 m V时 ,该芯片的工作速率超过 12 Gb/s,相位裕度超过 10 0°.芯片面积为 1.0 7mm× 0 .99m m.; 王欢王志功冯军朱恩陆建华陈海涛谢婷婷熊明珍章丽; 关键词：数据判决 CMOS 光纤传输系统 D触发器锁存器

0.35μmCMOS工艺实现的1.9GHz上变频器被引量：8: 2001年; 分析了利用深亚微米CMOS工艺进行射频集成电路设计的方法 ,在此基础上设计出了采用标准 0 3 5 μmCMOS工艺的输出频率在 1 9GHz的上变频器 ,它可以用在WCDMA发射 /接收机中 .整个设计利用SPICE软件和HPADS软件进行电路和系统模拟 ,模拟结果 :三阶互调IIP3为 1 0dBm ,转换增益大于 1 0dB .已经利用Cadence工具进行版图设计和验证 ,最后通过美国MOSIS工程流片 .芯片面积大约为 0 6mm2 .目前初步的性能测试已经完成 .芯片混频效果良好 .在单电源 +3 3V供电情况下 ,功耗小于 6 0mW .进一步的测试将在近期完成 .; 陈新华陈志恒王志功姚胡静方芳谢婷婷; 关键词：射频集成电路混频器变频器

用于SDH系统的STM-64级别(10GHz)的时钟恢复电路: 2000年; 本文叙述基于 0 .18μm CMOS工艺的 10 GHz时钟恢复电路的设计。其核心电路采用了辅以 PL L的注入同步窄带环形压控振荡器 (ISNR-VCO,injection-synchronized narrowband ring-VCO)。模拟结果表明 ,该电路能够工作在 10 GHz频率上 ,注入信号峰值 0 .4 2 V时 ,同步范围可以达到 3 60 MHz。; 顾峥王志功冯军谢婷婷; 关键词：CMOS工艺 SDH 光纤通信

Markov状态转换机制的GARCH模型研究被引量：1: 2014年; 为了更好地描述存在结构转换的时间序列的波动性,将马尔科夫链和状态转换机制引入GARCH模型,定义了MRS-GARCH模型,使GARCH模型的预测精度和持续性问题得到改善。鉴于还没有MRS-GARCH模型的稳定性和矩的存在性的相关研究,因此,基于马尔科夫链的理论以及几何遍历性和有限矩的简单假设,并使用漂移函数阐述了MRS-GARCH的稳定性和矩的存在性的充分条件。; 谢婷婷张佳未朱涛江孝感; 关键词：稳定性

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谢婷婷