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黄志峰

作品数:5 被引量:4H指数:2
供职机构:中国科学院广州能源研究所更多>>
发文基金:中国科学院“百人计划”国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域:一般工业技术理学化学工程电子电信更多>>

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 2篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇一般工业技术
  • 1篇化学工程
  • 1篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 3篇电致变色
  • 3篇氧化钨
  • 3篇孔径
  • 2篇电致变色器件
  • 2篇独创性
  • 2篇多孔
  • 2篇多孔薄膜
  • 2篇孔径大小
  • 2篇孔径分布
  • 2篇磁控
  • 1篇电致变色性能
  • 1篇氧化物
  • 1篇氧化物半导体
  • 1篇氧化物薄膜
  • 1篇溶胶
  • 1篇溶胶-凝胶法
  • 1篇气敏
  • 1篇气敏特性
  • 1篇功能材料
  • 1篇光学

机构

  • 5篇中国科学院
  • 1篇中国科学院研...

作者

  • 5篇黄志峰
  • 4篇徐刚
  • 3篇黄春明
  • 3篇苗蕾
  • 2篇徐雪青
  • 1篇徐雪青

传媒

  • 1篇材料科学与工...
  • 1篇材料研究与应...

年份

  • 1篇2012
  • 1篇2010
  • 2篇2009
  • 1篇2008
5 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
一种多孔氧化钨薄膜的制备方法
本发明提供了一种多孔氧化钨薄膜的制备方法,其特征在于包括以下步骤:采用钨靶、铝靶双靶磁控共溅射的工艺把钨、铝沉积在基片上,形成钨-铝合金薄膜;把所得到的钨-铝合金薄膜浸入碱性溶液中进行选择性腐蚀氧化,最后在基片上得到了多...
徐刚黄志峰黄春明徐雪青苗蕾
文献传递
多孔氧化物薄膜的制备和表征
氧化物半导体是一类重要的功能材料,在能源、环保、化工、信息等领域有着广泛的应用。其中,二氧化钛和氧化钨由于其优异的性能而成为研究的热点。TiO2是一种重要的直接带隙、宽禁带氧化物半导体材料,具有良好的光催化效果和光电特性...
黄志峰
关键词:多孔薄膜氧化物半导体功能材料气敏特性电致变色性能
氧化钨多孔薄膜的制备及光学性质被引量:2
2009年
多孔结构可以使氧化钨薄膜的气敏、电致变色等性能得到增强,但目前多孔氧化钨薄膜的制备仍存在困难。本文采用W和Al双靶磁控溅射的方法得到了W-Al合金薄膜后,把合金薄膜浸入NaOH溶液中处理,其中的Al被腐蚀同时W被氧化,从而得到了多孔的氧化钨薄膜。利用SEM观察多孔氧化钨薄膜样品的表面形貌,用XPS分析样品中W的价态,用XRD分析样品的晶体结构,用紫外-可见-近红外分光光度计测量样品的光学性质。结果显示:制得的多孔氧化钨薄膜的平均孔径在100nm左右,呈海绵状疏松结构;薄膜中W的价态以+5价为主;薄膜属于非晶相;在可见光区域,多孔氧化钨薄膜具有较高的透过率,而在近红外区域则具有近似平直的透过率曲线。
黄志峰徐刚苗蕾黄春明
关键词:氧化钨多孔薄膜孔径
一种多孔氧化钨薄膜的制备方法
本发明提供了一种多孔氧化钨薄膜的制备方法,其特征在于包括以下步骤:采用钨靶、铝靶双靶磁控共溅射的工艺把钨、铝沉积在基片上,形成钨-铝合金薄膜;把所得到的钨-铝合金薄膜浸入碱性溶液中进行选择性腐蚀氧化,最后在基片上得到了多...
徐刚黄志峰黄春明徐雪青苗蕾
文献传递
多孔TiO_2薄膜的制备及其表征被引量:2
2008年
以钛酸四丁酯为前驱物,PEG(分子量2000)为模板,用溶胶-凝胶法经500℃热处理制备了多孔TiO2薄膜。用SEM和UV-Vis测试手段对制得的TiO2薄膜进行表征,结果表明,制得的多孔TiO2薄膜的孔隙分布较均匀,孔径约为1μm;样品吸收峰在330 nm左右,吸收带边在410 nm左右.
黄志峰徐刚徐雪青
关键词:TIO2多孔溶胶-凝胶法
共1页<1>
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