周磊
- 作品数：2 被引量：2H指数：1
- 供职机构：常州大学更多>>
- 发文基金：江苏省高等学校大学生实践创新训练计划项目江苏省自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术更多>>
- 尖端集电效应在薄膜沉积中的应用
- 2015年
- 本文利用尖端集电原理,在射频平衡磁控溅射过程中通过施加衬底偏压沉积了Cu2O薄膜。然后用原子力显微镜和掠入射X射线衍射仪对薄膜样品的形貌和结构进行表征。研究结果表明,不管施加的是正偏压还是负偏压,所制备Cu2O薄膜的形貌和结构相差不大,均呈现出疏松多孔和(111)择优取向的特点。进一步地,从尖端集电的角度对平衡磁控溅射沉积过程中的偏压效应进行了合理解释。
- 苏江滨刘阳蒋美萍周磊
- 关键词：偏压多孔薄膜磁控溅射
- 金属电阻率Cu/Cu_2O半导体弥散复合薄膜的制备及其偏压效应被引量：2
- 2016年
- 采用平衡直流磁控溅射技术,通过改变衬底偏压在玻璃衬底上制备了Cu/Cu2O 弥散复合薄膜,并利用扫描电子显微镜、X射线衍射仪、四探针测试仪和紫外-可见分光光度计等进行表征与分析.研究发现,Cu/Cu2O 弥散复合薄膜表现出金属和半导体双特性,其电阻率范围为（5.23-9.98）×10^-5 Ω·cm,禁带宽度范围为2.23-2.47eV.同时,研究还发现衬底偏压对Cu/Cu2O 弥散复合薄膜的形貌、结构、电学和光学性能都产生了较大的影响,特别是当衬底偏压为-100V时薄膜样品的表面最为致密,结晶程度最好,电阻率最低,禁带宽度最窄.进一步地,对平衡磁控溅射过程的偏压效应进行了分析,并提出了两种区别于传统轰击和再溅射作用的新机制.
- 刘阳马骥唐斌蒋美萍苏江滨周磊
- 关键词：磁控溅射电阻率禁带宽度
