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史建平

作品数:11 被引量:9H指数:2
供职机构:北京大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家重点实验室开放基金更多>>
相关领域:一般工业技术化学工程文化科学更多>>

文献类型

  • 9篇专利
  • 2篇期刊文章

领域

  • 2篇一般工业技术
  • 1篇化学工程
  • 1篇文化科学

主题

  • 8篇气相沉积
  • 8篇化学气相
  • 8篇化学气相沉积
  • 5篇退火
  • 5篇硫化
  • 4篇预退火
  • 4篇气相
  • 4篇气相沉积法
  • 4篇硫化钼
  • 4篇化学气相沉积...
  • 4篇二硫化钼
  • 3篇
  • 3篇常压化学气相...
  • 2篇单质硫
  • 2篇电催化
  • 2篇载气
  • 2篇微观形貌
  • 2篇析氢
  • 2篇析氢反应
  • 2篇硫粉

机构

  • 11篇北京大学

作者

  • 11篇张艳锋
  • 11篇史建平
  • 1篇刘忠范
  • 1篇洪敏
  • 1篇张玉
  • 1篇马冬林

传媒

  • 1篇科学通报
  • 1篇化学学报

年份

  • 2篇2019
  • 4篇2018
  • 3篇2017
  • 1篇2016
  • 1篇2015
11 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种化学气相沉积法制备二硫化钽的方法
本发明公开了一种化学气相沉积法制备二硫化钽的方法,包括:将购买的商业金箔进行清洗和高温预退火处理;将清洗和预退火后的金箔放入高温管式炉中,利用常压化学气相沉积的方法进行二硫化钽纳米片的生长,利用低压化学气相沉积的方法进行...
张艳锋史建平
文献传递
一种化学气相沉积法制备二硒化钽纳米片的方法
本发明公开了一种化学气相沉积法制备二硒化钽纳米片的方法,包括:将购买的商业金箔进行清洗和高温预退火处理;将清洗和预退火后的金箔放入高温管式炉中,利用常压化学气相沉积的方法进行二硒化钽纳米片的生长。生长结束后,温度降至室温...
张艳锋史建平
一种化学气相沉积法制备二硒化钽纳米片的方法
本发明公开了一种化学气相沉积法制备二硒化钽纳米片的方法,包括:将购买的商业金箔进行清洗和高温预退火处理;将清洗和预退火后的金箔放入高温管式炉中,利用常压化学气相沉积的方法进行二硒化钽纳米片的生长。生长结束后,温度降至室温...
张艳锋史建平
文献传递
过渡金属硫属化合物层间异质结构的可控制备和能源应用被引量:4
2017年
随着石墨烯及其优异性质被发现以来,二维层状材料成为了材料科学领域研究的热点.二维层状材料每个片层内的原子通过化学键连接,片层间以弱范德华力相互堆垛.这种几何结构使得二维层状材料在晶格不匹配和生长方法不兼容的情况下,彼此之间仍然能够相互混合和匹配,从而衍生出很多范德华层间异质结构.这种异质结构利用了不同堆垛材料迥异的物理和化学性质,在电子、光电子器件、可再生能源储存和转化等领域得到了广泛的应用.需要指出的是,大面积、大畴区、可控制备本征层间异质结构是实现其实际应用的首要条件.本文总结了基于过渡金属硫属化合物(MX_2)和石墨烯(graphene)层间异质结构的最新研究成果,重点描述了MX_2/graphene和MX_2/MX_2层间异质结构的化学气相沉积(CVD)可控制备、新奇物理性质探索以及这两类异质结构在能源领域(电/光催化析氢反应)中的应用,并讨论了所存在的问题和未来发展方向.
史建平周协波张哲朋张艳锋
关键词:石墨烯
制备垂直过渡金属硫化物纳米片阵列的方法及电催化析氢催化剂
本发明公开了一种利用化学气相沉积制备垂直的金属性过渡金属硫化物纳米片阵列的方法,包括:1)利用多孔金作为生长基底;2)用单质硫和过渡金属的氯化物作为前驱体依次放置在气流上游;3)通入载气去除残留空气,气流稳定后,将单质硫...
张艳锋郇亚欢史建平
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一种采用两步化学气相沉积法制备过渡金属硫属化合物/二维层状材料层间异质结构的方法
本发明公开了一种采用两步化学气相沉积法制备过渡金属硫属化合物/二维层状材料层间异质结构的方法,所述方法包括以下步骤:1)将金箔进行清洗和高温预退火处理;2)将退火后的金箔置于高温管式炉中,利用低压化学气相沉积的方法在金箔...
张艳锋史建平张哲朋周协波
文献传递
一种二硫化钼的基底转移方法
本发明公开了一种二硫化钼的基底转移方法。它包括如下步骤:1)将生长有二硫化钼的生长基底放在匀胶机上,在生长基底有二硫化钼的一面滴涂聚甲基丙烯酸甲酯溶液,启动匀胶机匀胶,使聚甲基丙烯酸甲酯溶液在二硫化钼上成膜,得到涂有聚甲...
张艳锋马冬林史建平
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一种可控制备单层分形二硫化钼的方法
本发明公开了一种可控制备单层分形二硫化钼的方法。该方法包括如下步骤:在惰性气氛中,按照气路由上游至下游的顺序,依次放置硫粉、钼的氧化物和基底钛酸锶单晶,由室温升温后进行化学气相沉积,沉积完毕降温,即在所述基底上得到二硫化...
张艳锋张玉史建平
文献传递
制备垂直过渡金属硫化物纳米片阵列的方法及电催化析氢催化剂
本发明公开了一种利用化学气相沉积制备垂直的金属性过渡金属硫化物纳米片阵列的方法,包括:1)利用多孔金作为生长基底;2)用单质硫和过渡金属的氯化物作为前驱体依次放置在气流上游;3)通入载气去除残留空气,气流稳定后,将单质硫...
张艳锋郇亚欢史建平
文献传递
金箔上单层MoS_2的控制生长及电催化析氢应用被引量:5
2015年
金属衬底上单层Mo S2的可控批量制备是探索其微观形貌、新奇物理化学特性以及潜在应用的重要前提.最近,我们利用低压化学气相沉积的方法,在多晶金箔上实现了高质量、大面积/大批量、畴区尺寸可调(从几百纳米到几十微米)单层Mo S2的可控制备;利用低能电子显微/衍射实现了直接生长的单层Mo S2畴区取向和畴区边界的原位识别;利用金箔上合成的纳米尺寸Mo S2作为电催化析氢反应的催化剂,实现了高效的析氢效果(塔菲尔斜率约61 m V/dec,交换电流密度约38.1μA/cm2).本文将以这些研究成果为主线,系统地阐述金箔上单层Mo S2的可控制备和转移、畴区的原位识别以及在电催化析氢反应中的应用,并对该领域的未来发展趋势和所面临的挑战进行简要的展望.
史建平马冬林张艳锋刘忠范
关键词:二硫化钼化学气相沉积低能电子衍射
共2页<12>
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