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黄润华

作品数：52 被引量：11H指数：1
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所更多>>
发文基金：江苏省“青蓝工程”基金更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术文化科学更多>>

合作作者

文献类型

  • 50篇专利
  • 2篇期刊文章

领域

  • 27篇电子电信
  • 2篇自动化与计算...
  • 1篇文化科学

主题

  • 19篇碳化硅
  • 13篇导电类型
  • 12篇导通
  • 12篇沟道
  • 10篇导通电阻
  • 10篇电阻
  • 9篇二极管
  • 9篇MOSFET...
  • 7篇氧化层
  • 7篇MOS型
  • 7篇掺杂
  • 6篇栅氧化
  • 6篇栅氧化层
  • 6篇退火
  • 5篇栅极
  • 5篇肖特基
  • 5篇肖特基二极管
  • 4篇源区
  • 4篇碳化硅肖特基...
  • 4篇漂移

机构

  • 52篇中国电子科技...
  • 1篇东南大学

作者

  • 52篇黄润华
  • 51篇柏松
  • 14篇汪玲
  • 13篇陶永洪
  • 8篇陈刚
  • 8篇刘昊
  • 6篇刘奥
  • 2篇陈谷然
  • 1篇孙伟锋
  • 1篇赵志飞
  • 1篇陈征
  • 1篇刘斯扬
  • 1篇杨勇

传媒

  • 1篇科技导报
  • 1篇电子器件

年份

  • 3篇2023
  • 9篇2022
  • 6篇2021
  • 9篇2020
  • 5篇2019
  • 10篇2018
  • 6篇2017
  • 2篇2016
  • 2篇2015
共 52 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种变掺杂结终端制备方法
本发明公开了一种变掺杂结终端制备方法，通过在介质层表面加工出蚀刻阻挡层，形成了阶梯状介质形貌，再通过离子注入形成了渐变结构的结终端。本发明通过严格控制两层介质的蚀刻速率比，实现了台阶高度的精准控制，避免了由蚀刻速率漂移引...
黄润华柏松陶永洪汪玲
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一种改进型SiC平面MOSFET器件的制备方法
本发明公开了一种改进型SiC平面MOSFET器件的制备方法，在传统MOSFET外延表面生长了一层几十纳米的低掺杂外延层，掺杂浓度在1e14cm<Sup>‑3</Sup>量级；该改进型MOSFET器件结构可以极大的提升沟道...
柏松杨同同黄润华
一种集成SBD结构的单侧MOS型器件制备方法
本发明公开了一种集成SBD结构的单侧MOS型器件制备方法，通过引入特殊角度沟槽制备工艺，倾斜角度单侧离子注入工艺，与欧姆工艺兼容的肖特基金属工艺，实现了集成SBD结构的SiC沟槽MOSFET器件的制备。本发明将碳化硅SB...
李士颜柏松黄润华刘昊
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一种多颗芯片同时制备封装使用的方法
本发明公开了一种多颗芯片同时制备封装使用的方法，该方法包括：器件芯片所在圆片布局设计优化；器件芯片具体结构设计优化；原有微加工工艺流程和难度不变；器件划片和封装使用过程简化，器件总制备成本降低。本发明通过设计优化，减小器...
陈允峰李士颜刘昊陈谷然黄润华柏松
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一种提高浪涌能力的碳化硅肖特基二极管结构及制备方法
本发明公开了一种提高浪涌能力的碳化硅肖特基二极管结构及制备方法，该结构包括第一导电类型碳化硅衬底、位于碳化硅衬底上的漂移层，以及阳极电极和以及阴极电极，其特征在于，漂移区表面具有第二导电类型主结、位于主结一侧的第二导电类...
黄润华柏松刘奥陈刚
一种阱局部高掺的MOS型器件及制备方法
本发明公开了一种阱局部高掺的MOS型器件及制备方法，包括衬底，衬底上方为阻挡层，阻挡层上方沟道两侧依次离子注入形成阱区域、多层阱局部高掺区域和源极高掺区域；多层阱局部高掺区域包括第五掺杂区域、第四掺杂区域、第三掺杂区域、...
杨同同柏松黄润华
一种三维电场调制低漏电终端保护结构
本发明公开了一种三维电场调制低漏电终端保护结构，包括有源区、器件隔离区，以及位于所述有源区和器件隔离区之间的终端保护区，所述终端保护区具有多个多边形注入区；所述多边形注入区的各边与有源区主结形成一夹角，使得终端保护区的电...
黄润华柏松陶永洪汪玲
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一种碳化硅开关器件及制作方法
本发明公开了一种碳化硅开关器件及制作方法，降低沟道电阻在器件导通电阻中所占比例。本发明通过两次外延生长完成器件顶部结构加工，二次外延沟道区掺杂浓度低于侧向注入Pwell区的掺杂浓度，二次外延N+区掺杂浓度远高于侧向注入P...
黄润华柏松陶永洪汪玲刘奥李士颜刘昊
高压大功率碳化硅电力电子器件研制进展被引量：10
2021年
碳化硅电力电子器件已经成为国内外研究和产业化热点,在一些应用领域正在逐步取代硅基电力电子器件。概述了碳化硅材料和器件的特性,即具有高工作电压、高效率、高工作温度等优势。综述了国际上碳化硅电力电子器件技术的发展现状,其中中低压器件发展已逐渐成熟,高击穿电压器件研究成果展现出由碳化硅材料特性预测的性能优势。展示了宽禁带半导体电力电子器件国家重点实验室在该领域取得的最新技术进展,建立了600~3300 V碳化硅肖特基二极管和MOSFET产品技术,研制出国际先进水平的高压碳化硅MOS-FET和IGBT。
柏松李士颜杨晓磊费晨曦刘奥黄润华杨勇
关键词：碳化硅电力电子MOSFETIGBT
一种提高浪涌能力的碳化硅肖特基二极管结构及制备方法
本发明公开了一种提高浪涌能力的碳化硅肖特基二极管结构及制备方法，其中二极管结构包括第一导电类型碳化硅衬底、位于碳化硅衬底上的漂移层、阳极电极和阴极电极，漂移层表面具有第二导电类型主结；在主结的一侧设置有第二导电类型窄有源...
杨同同黄润华柏松
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