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马达
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电子科技大学
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相关领域:
电子电信
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合作作者
罗小蓉
电子科技大学
吴俊峰
电子科技大学
魏杰
电子科技大学
张彦辉
电子科技大学
尹超
电子科技大学
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马达
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3篇
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一种功率MOS器件
本发明属于功率半导体器件技术领域,涉及一种功率MOS器件。本发明包括具有高K介质延伸栅结构的元胞结构、漏延伸区和介质槽终端,且多个元胞结构并联排布,使得器件具有以下特点:兼顾VDMOS可并联产生大电流以及LDMOS易集成...
罗小蓉
尹超
谭桥
张彦辉
刘建平
周坤
魏杰
马达
吴俊峰
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一种三栅功率LDMOS
本发明属于功率半导体器件领域,涉及一种基于体硅技术的横向三栅功率LDMOS。本发明主要特点为:具有三栅结构和可以与源或栅或外加电极电气相连的第二导电材料。本发明主要优势如下:三栅结构增加了沟道密度,降低了沟道电阻,从而使...
罗小蓉
葛薇薇
吴俊峰
马达
吕孟山
黄琳华
刘庆
孙涛
文献传递
一种横向SOI功率LDMOS
本发明属于半导体功率器件技术领域,涉及一种横向SOI功率LDMOS。与现有结构相比,本发明的功率LDMOS具有三维栅极结构,栅极延伸至漂移区的槽栅场板部分与漂移区的之间的氧化层厚度从栅极到漏端逐渐变化。在正向导通状态下,...
罗小蓉
吴俊峰
马达
魏杰
文献传递
超低比导通电阻槽型功率MOS新结构与机理研究
功率MOS器件作为电力电子系统的核心,其研究热点之一为实现低功耗。其中,功率MOS的总功耗主要包括静态功耗和动态功耗,器件的静态功耗主要是通过导通电阻来衡量,动态功耗通过器件的栅漏电容来衡量。为了降低功率MOS的导通电阻...
马达
关键词:
VDMOS器件
集成电路
芯片设计
文献传递
一种LDMOS器件的制造方法
本发明属于半导体技术,具体的说是涉及一种LDMOS器件的制造方法。本发明LDMOS器件制造方法的主要步骤为:在第二导电类型半导体衬底上表面生成第一导电类型半导体有源层;在第一导电类型半导体有源层上层注入离子形成介质隔离层...
罗小蓉
张彦辉
刘建平
谭桥
尹超
魏杰
周坤
马达
徐青
张波
文献传递
一种槽栅功率MOSFET器件
本发明属于功率半导体技术领域,特别涉及一种槽栅功率MOSFET器件。本发明有以下特点:一、采用横向重掺杂半导体漏区和纵向漏延伸区,从而使器件同时具有VDMOS可并联产生大电流和LDMOS易集成的优点;二、采用分段沟槽栅结...
罗小蓉
吕孟山
尹超
张彦辉
马达
吴俊峰
阮新亮
葛薇薇
文献传递
一种槽型MOS功率器件
本发明属于功率半导体技术领域,特别涉及一种槽型MOS功率器件。本发明的槽型功率MOS器件具有槽栅结构和槽源结构,不仅保持功率VDMOS可并联产生大电流和元胞尺寸小的特点,而且兼具可集成的优点。在反向耐压状态下,槽栅结构和...
罗小蓉
尹超
刘建平
谭桥
张彦辉
田瑞超
吕孟山
马达
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一种SA‑LIGBT
本发明属于半导体技术领域,具体的说涉及一种SA‑LIGBT。本发明的主要方案为,本发明中的N型阱区内部有沿器件横向方向平行的P+阳极区和N+阳极区,且P+阳极区和N+阳极区沿器件纵向方向为分段式结构;同时,P+阳极区和N...
罗小蓉
阮新亮
周坤
邓高强
魏杰
马达
孙涛
张波
文献传递
一种横向SOI功率LDMOS
本发明属于半导体功率器件技术领域,涉及一种横向SOI功率LDMOS。与现有结构相比,本发明主要特点为具有三栅结构和分离栅结构。三栅结构增加了沟道长度,调制了体内电流分布,从而减小了导通电阻;凹槽形成的分离栅结构减小了栅漏...
罗小蓉
马达
吴俊峰
魏杰
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一种LDMOS器件的制造方法
本发明属于半导体技术,具体的说是涉及一种LDMOS器件的制造方法。本发明LDMOS器件制造方法的主要步骤为:在第二导电类型半导体衬底上表面生成第一导电类型半导体有源层;在第一导电类型半导体有源层上层注入离子形成介质隔离层...
罗小蓉
张彦辉
刘建平
谭桥
尹超
魏杰
周坤
马达
徐青
张波
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