高磊
- 作品数：38 被引量：71H指数：4
- 供职机构：中国石油大学（北京）理学院更多>>
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- 相关领域：理学文化科学机械工程轻工技术与工程更多>>
- 太赫兹光谱测量中保持样品恒温的样品架
- 本实用新型为一种太赫兹光谱测量中保持样品恒温的样品架，包括一竖直放置的长方体结构，长方体结构的下部开设有贯通相对两个侧壁的方形透孔，方形透孔的底面上设置有向下凹设的样品池放置槽，方形透孔的两端开口均设置有能开合的透明观察...
- 高磊张平衣玲学于宪书
- 文献传递
- 近化学计量比铌酸锂晶体生长的新方法(英文)被引量：1
- 2008年
- 在计算机温场模拟的基础上,探索设计了悬挂式双坩埚和均匀加料装置。在富锂(Li2O摩尔分数为58.5%)熔体中采用提拉法生长了φ50mm×50mm的近化学计量比铌酸锂晶体。测量结果表明:晶体的紫外吸收边发生了明显的蓝移,测得Li摩尔分数达到49.87%。利用干涉仪测量样品的光学均匀性,生长晶体均方根折射率不均匀性?n=7.250×10-5 cm-1。
- 吴剑波姚淑华夏宗仁秦小勇高磊刘宏王继扬
- 关键词：铌酸锂近化学计量比提拉法
- 邻苯二甲酸二丁酯的太赫兹光谱研究被引量：2
- 2015年
- 利用透射式太赫兹时域光谱技术对常用塑化剂邻苯二甲酸二丁酯（DBP）进行了研究。将邻苯二甲酸二丁酯（DBP）分别融人正己烷、乙醇这两种溶剂中，置于室温氮气环境中分别获得了不同浓度的样品在太赫兹波段（0．2～1.5THz）下的太赫兹时域光谱。光学参数计算结果表明，随着邻苯二甲酸二丁酯（DBP）含量的增加，DBP／正己烷混合溶液和DBP／乙醇混合溶液在太赫兹波段（0．2～1．5THz）的折射率与吸收系数等光学参数随浓度均呈有规律的变化，根据吸收系数、折射率以及频谱面积与浓度变化曲线可以求得任意未知溶液DBP的含量。该研究为白酒等含乙醇饮料中塑化剂含量的快速检测提供了新的思路和方法。
- 赵丽君高磊姜晨衣玲学于宪书赵昆
- 关键词：太赫兹时域光谱邻苯二甲酸二丁酯折射率
- 一种光探测器
- 本发明提供一种光探测器，该光探测器包括：光传感器；连接所述光传感器的第一电极和第二电极；以及第一电极引线和第二电极引线，该第一电极引线和第二电极引线的一端分别与第一电极和第二电极连接，另一端作为输出端；所述光传感器的光响...
- 刘昊赵嵩卿周娜赵卉高磊王爱军赵昆
- 文献传递
- 紫外光探测器
- 本发明提供一种紫外光探测器，该紫外光探测器至少包括：一个光传感器，所述光传感器至少包括一个二氧化硅光传感器芯片、两个电极和两个输出端，其中所述两个电极位于所述二氧化硅光传感器芯片的一个侧面上，两个输出端分别与两个电极相连...
- 刘昊赵嵩卿周娜赵卉高磊王爱军赵昆
- 文献传递
- 掺镝近化学计量比铌酸锂晶体的光谱性质被引量：1
- 2008年
- 利用提拉法,在锂铌比为58.5/41.5的富锂熔体中生长了质量良好的掺镝近化学计量比铌酸锂(Dy:NSLN)单晶,生长晶体的尺寸为25 mm×35 mm。测量了晶体的室温吸收谱,并根据Judd-Ofelt理论,拟合出Dy3+离子的晶体场唯象强度参数:Ω2=4.8130×10-20,Ω4=2.6140×10-20,Ω6=2.2448×10-20。计算了各能级的跃迁辐射几率AJ,J',振子强度PJ,J',辐射寿命τ,荧光分支比βJ'等,并根据这些光学参量讨论了该晶体的部分性能和应用前景。
- 高磊王继扬刘宏夏海瑞吴剑波秦小勇
- 关键词：晶体生长JUDD-OFELT理论光谱
- 一种快速响应红外光探测器及其制备方法
- 本发明提供一种快速响应红外光探测器及其制备方法，该红外光探测器包括光响应层、第一电极、第二电极、第一电极引线、第二电极引线，其中，所述光响应层为Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>单晶或Al<Sub>2...
- 周娜赵嵩卿刘昊赵卉高磊王爱军赵昆
- 文献传递
- 太赫兹光谱测量中用于放置温度可控液体样品的装置
- 本实用新型为一种太赫兹光谱测量中用于放置温度可控液体样品的装置，所述装置包括有样品池和样品池支架，所述样品池放置在样品池支架上，该样品池内盛装有液体样品；所述样品池内设有一U形管，U形管内设有循环流动的冷却介质，所述样品...
- 高磊于宪书赵丽君赵昆
- 文献传递
- 一种光探测器
- 本发明提供一种光探测器，该光探测器包括：光传感器；连接所述光传感器的第一电极和第二电极；以及第一电极引线和第二电极引线，该第一电极引线和第二电极引线的一端分别与第一电极和第二电极连接，另一端作为输出端；所述光传感器的光响...
- 刘昊赵嵩卿周娜赵卉高磊王爱军赵昆
- 文献传递
- 紫外光探测器
- 本发明提供一种紫外光探测器，该紫外光探测器至少包括：一个光传感器，所述光传感器至少包括一个二氧化硅光传感器芯片、两个电极和两个输出端，其中所述两个电极位于所述二氧化硅光传感器芯片的一个侧面上，两个输出端分别与两个电极相连...
- 刘昊赵嵩卿周娜赵卉高磊王爱军赵昆
- 文献传递
