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邓万玉

作品数：4 被引量：0H指数：0
供职机构：天津大学更多>>
相关领域：自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇中文专利

领域

  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 2篇电池
  • 2篇电化学
  • 2篇电化学池
  • 2篇电极
  • 2篇氧化硅
  • 2篇杂化膜
  • 2篇制氢
  • 2篇质子
  • 2篇质子传导率
  • 2篇燃料电池
  • 2篇微球
  • 2篇甲醇燃料电池
  • 2篇光电
  • 2篇光电阴极
  • 2篇光解
  • 2篇光解水
  • 2篇光解水制氢
  • 2篇光生
  • 2篇光生电压
  • 2篇二氧化硅

机构

  • 4篇天津大学

作者

  • 4篇邓万玉
  • 2篇吴洪
  • 2篇王拓
  • 2篇尹永恒
  • 2篇巩金龙
  • 2篇姜忠义
  • 2篇李慧敏
  • 2篇李安平
  • 2篇王鸿燕

年份

  • 1篇2021
  • 1篇2020
  • 1篇2016
  • 1篇2015
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
硅基半导体MIS结构及其制备方法、光电阴极和应用
本发明属于半导体电极技术领域，公开了一种硅基半导体MIS结构及其制备方法、光电阴极和应用，先除去p型硅片体表面自氧化产生的SiO<Sub>2</Sub>，然后对p型硅基底进行功能化处理后，再表面原子层沉积Al<Sub>2...
巩金龙李慧敏王拓邓万玉孙士佳
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硅基半导体MIS结构及其制备方法、光电阴极和应用
本发明属于半导体电极技术领域，公开了一种硅基半导体MIS结构及其制备方法、光电阴极和应用，先除去p型硅片体表面自氧化产生的SiO<Sub>2</Sub>，然后对p型硅基底进行功能化处理后，再表面原子层沉积Al<Sub>2...
巩金龙李慧敏王拓邓万玉孙士佳
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Nafion/氨基酸修饰空心介孔硅杂化膜及制备和应用
本发明公开了一种Nafion/氨基酸修饰空心介孔硅杂化膜，是由Nafion与氨基酸修饰空心介孔硅构成。其制备过程包括：合成二氧化硅微球，利用二氧化硅微球，通过双层化、去核及去模板制得空心介孔硅；将空心介孔硅与3‑氨丙基三...
吴洪尹永恒姜忠义邓万玉王鸿燕李安平
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Nafion/氨基酸修饰空心介孔硅杂化膜及制备和应用
本发明公开了一种Nafion/氨基酸修饰空心介孔硅杂化膜，是由Nafion与氨基酸修饰空心介孔硅构成。其制备过程包括：合成二氧化硅微球，利用十六烷基三甲基溴化铵为模板制备双层二氧化硅微球，通过去核及去模板制得空心介孔硅；...
吴洪尹永恒姜忠义邓万玉王鸿燕李安平
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