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王鑫波

作品数：2 被引量：4H指数：1
供职机构：北京交通大学理学院更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇理学

主题

  • 1篇电子散射
  • 1篇散射
  • 1篇迁移
  • 1篇迁移率
  • 1篇界面粗糙度
  • 1篇XGA
  • 1篇GAN

机构

  • 1篇北京交通大学

作者

  • 1篇吕燕伍
  • 1篇王鑫波
  • 1篇杨鹏

传媒

  • 1篇物理学报

年份

  • 1篇2015
共 2 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
AlN插入层对Al_xGa_(1-x)N/GaN界面电子散射的影响被引量：3
2015年
本文研究AlN作为AlxGa1-xN/GaN插入层引起的电子输运性质的变化,考虑了AlxGa1-xN和AlN势垒层的自发极化、压电极化对AlxGa1-xN/Al N/GaN双异质结高电子迁移率晶体管(HEMT)中极化电荷面密度、二维电子气(2DEG)浓度的影响,分析了AlN厚度与界面粗糙度散射和合金无序散射的关系;结果表明,2DEG浓度、界面粗糙度散射和合金无序散射依赖于AlN层厚度,插入一层1—3nm薄的AlN层,可以明显提高电子迁移率.
杨鹏吕燕伍王鑫波
关键词：迁移率
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共1页<1>
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