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冯双龙

作品数：103 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院重庆绿色智能技术研究院更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术化学工程自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 101篇专利
  • 2篇期刊文章

领域

  • 11篇电子电信
  • 8篇一般工业技术
  • 2篇化学工程
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 33篇石墨
  • 31篇石墨烯
  • 29篇探测器
  • 27篇纳米
  • 21篇光电
  • 21篇红外
  • 21篇衬底
  • 20篇电极
  • 15篇光电探测
  • 15篇光电探测器
  • 14篇红外探测
  • 12篇红外探测器
  • 12篇非制冷
  • 11篇微测辐射热计
  • 11篇量子
  • 11篇纳米线
  • 11篇波段
  • 11篇测辐射热计
  • 10篇红外吸收
  • 9篇量子点

机构

  • 103篇中国科学院重...
  • 1篇长春理工大学
  • 1篇中国科学院大...

作者

  • 103篇冯双龙
  • 54篇史浩飞
  • 48篇陆文强
  • 44篇魏兴战
  • 40篇申钧
  • 34篇周大华
  • 32篇杨俊
  • 28篇杜春雷
  • 28篇王亮
  • 26篇石彪
  • 15篇李振湖
  • 14篇李昕
  • 13篇冷重钱
  • 12篇刘双翼
  • 11篇张之胜
  • 9篇魏大鹏
  • 8篇何培培
  • 7篇孙泰
  • 7篇周大明
  • 6篇王凤丽

传媒

  • 1篇功能材料
  • 1篇微纳电子技术

年份

  • 3篇2024
  • 3篇2023
  • 5篇2022
  • 9篇2021
  • 14篇2020
  • 7篇2019
  • 12篇2018
  • 15篇2017
  • 25篇2016
  • 10篇2015
共 103 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种微测辐射热计
本实用新型涉及一种微测辐射热计，包括用于非制冷红外探测器的微测辐射热计微桥结构，包括顶层氮化硅，所述顶层氮化硅向下依次为红外热敏叠层薄膜、氮化硅支撑层，氮化硅支撑层与反射层之间通过支撑桥墩形成谐振腔；所述金属反射层位于硅...
魏兴战杨俊汤林龙申钧周大华冯双龙陆仕荣史浩飞杜春雷
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一种快速制备材料的微波等离子反应装置
本实用新型公开了一种用于快速制备材料的微波等离子体反应装置，属于微波应用技术领域。包括等离子体激发装置、反应器和气压调节装置，等离子体激发装置为商用微波源；反应器放置在微波腔内，同时将反应物放置在反应器内；通过真空连接法...
冯双龙陆文强刘双翼石彪
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无催化剂横向生长纳米线网电路的方法
本发明提供一种无催化剂横向生长纳米线网电路的方法，应用于半导体领域，所述方法包括：1）提供一表面制备有周期性纳米硅柱的硅衬底和供盛放化学反应物的舟；2）将所述硅衬底制备有周期性纳米硅柱的一面朝向盛有化学反应物的舟进行放置...
陆文强何培培石彪冯双龙李昕王亮宋金会
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一种大面积MoS<Sub>2</Sub>薄膜生长方法
本发明公开了一种大面积MoS<Sub>2</Sub>薄膜生长方法，采用化学气相沉积法制备大面积MoS<Sub>2</Sub>薄膜，具体步骤如下：1)将三氧化钼和硫粉分别放置在炉子的中心和端头位置，将SiO<Sub>2</...
冯双龙聂长斌魏兴战陆文强史浩飞杜春雷
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用于红外光电的铅盐薄膜结构及其制备方法
本发明属于光电子器件领域，具体涉及一种用于红外光电的复合结构铅盐薄膜及其制备方法。基底、物理气相沉积法制备的铅盐晶粒层、化学法制备的小晶粒铅盐；所述铅盐晶粒层覆在所述基底上，铅盐晶粒之间存在缝隙；所述小晶粒铅盐嵌入所述缝...
周大华李云杰黄德萍冯双龙杨俊孙泰史浩飞
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尺寸可控的水溶性PbS/PbSe/ZnS核壳结构量子点及其制备方法
本发明公开了一种尺寸可控的水溶性PbS/PbSe/ZnS核壳结构量子点及其制备方法，制备方法包括：S1：将稳定剂加入铅源水溶液中，调节pH值，注入硫源水溶液，生成带有亲水性配体的PbS量子点；S2：向步骤S1中加入硒源水...
冷重钱申钧聂长斌周大华冯双龙陆文强魏兴战史浩飞
一种制备ZnO纳米栅栏的方法
本发明公开了一种制备ZnO纳米栅栏的方法，其特征在于，包括如下步骤：（1）GaN衬底光刻；（2）衬底涂覆金催化剂反应溶液；（3）加热衬底，溶液收缩；（4）金从溶液中被还原出来，呈闭合环形分布；（5）用CVD法由催化剂诱导...
王亮陆文强宋金会冯双龙王凤丽李振湖
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一种石墨烯硅复合光电探测器的制备方法
本发明属于微电子学技术领域，具体涉及一种石墨烯硅复合光电探测器的制备方法。本发明提供一种石墨烯硅复合光电探测器的制备工艺方法，包括步骤：1、石墨烯制备。2、旋涂PMMA层。3、转移石墨烯。4、旋涂光刻胶层。5、石墨烯图案...
申钧吴启明魏兴战冯双龙周大华汤林龙冷重钱聂长斌张之胜伍俊史浩飞
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无催化剂横向生长纳米线网电路的方法
本发明提供一种无催化剂横向生长纳米线网电路的方法，应用于半导体领域，所述方法包括：1）提供一表面制备有周期性纳米硅柱的硅衬底和供盛放化学反应物的舟；2）将所述硅衬底制备有周期性纳米硅柱的一面朝向盛有化学反应物的舟进行放置...
陆文强何培培石彪冯双龙李昕王亮宋金会
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一种大面积MoS<Sub>2</Sub>薄膜生长方法
本发明公开了一种大面积MoS<Sub>2</Sub>薄膜生长方法，采用化学气相沉积法制备大面积MoS<Sub>2</Sub>薄膜，具体步骤如下：1)将三氧化钼和硫粉分别放置在炉子的中心和端头位置，将SiO<Sub>2</...
冯双龙聂长斌魏兴战陆文强史浩飞杜春雷
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