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周玉杨

作品数：4 被引量：0H指数：0
供职机构：哈尔滨工业大学更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇中文专利

主题

  • 2篇等离子体增强
  • 2篇等离子体增强...
  • 2篇调节温度
  • 2篇异种材料
  • 2篇真空
  • 2篇真空钎焊
  • 2篇真空钎焊炉
  • 2篇陶瓷
  • 2篇陶瓷基
  • 2篇陶瓷基复合
  • 2篇陶瓷基复合材...
  • 2篇钎缝
  • 2篇钎焊
  • 2篇钎焊炉
  • 2篇纳米
  • 2篇纳米片
  • 2篇化学气相
  • 2篇化学气相沉积
  • 2篇复合材料
  • 2篇复合材

机构

  • 4篇哈尔滨工业大...

作者

  • 4篇冯吉才
  • 4篇亓钧雷
  • 4篇周玉杨
  • 4篇张兴凯
  • 2篇郭佳乐

年份

  • 2篇2016
  • 2篇2015
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
多孔中间层结构钎缝的异种材料钎焊方法
多孔中间层结构钎缝的异种材料钎焊方法，本发明涉及材料焊接领域。本发明要解决现有异种材料钎焊的过程中接头极易产生较大残余应力，进而严重削弱接头的力学性能，甚至导致已经连接好的接头发生破坏的问题。方法：打磨去除陶瓷基复合材料...
亓钧雷林景煌周玉杨郭佳乐张兴凯冯吉才
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一种制备纳米片结构氧化钴电极的方法
一种制备纳米片结构氧化钴电极的方法，本发明涉及制备电极的方法。本发明要解决现有氧化钴赝电容存在比电容较低的问题。本发明的方法：在Si基底上制备Co镀层，然后将其置于等离子体增强化学气相沉积真空装置中，通入氩气，调节气体流...
亓钧雷林景煌张兴凯谈雪琪周玉杨冯吉才
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一种制备纳米片结构氧化钴电极的方法
一种制备纳米片结构氧化钴电极的方法，本发明涉及制备电极的方法。本发明要解决现有氧化钴赝电容存在比电容较低的问题。本发明的方法：在Si基底上制备Co镀层，然后将其置于等离子体增强化学气相沉积真空装置中，通入氩气，调节气体流...
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多孔中间层结构钎缝的异种材料钎焊方法
多孔中间层结构钎缝的异种材料钎焊方法，本发明涉及材料焊接领域。本发明要解决现有异种材料钎焊的过程中接头极易产生较大残余应力，进而严重削弱接头的力学性能，甚至导致已经连接好的接头发生破坏的问题。方法：打磨去除陶瓷基复合材料...
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