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梁堃

作品数：12 被引量：11H指数：2
供职机构：中国工程物理研究院电子工程研究所更多>>
发文基金：中国工程物理研究院发展基金更多>>
相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇期刊文章
  • 6篇专利

领域

  • 5篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇理学

主题

  • 6篇剂量率
  • 4篇光电
  • 4篇光电流
  • 3篇抗辐射
  • 3篇激光
  • 3篇剂量率效应
  • 2篇噪声
  • 2篇噪声测试
  • 2篇同步测量
  • 2篇流片
  • 2篇模拟系统
  • 2篇抗噪
  • 2篇抗噪声
  • 2篇建模法
  • 2篇宏模型
  • 2篇SPICE宏...
  • 2篇测试系统
  • 1篇单粒子
  • 1篇单粒子效应
  • 1篇电路

机构

  • 11篇中国工程物理...
  • 4篇中国工程物理...
  • 1篇复旦大学

作者

  • 12篇梁堃
  • 9篇代刚
  • 8篇解磊
  • 7篇李顺
  • 7篇孙鹏
  • 5篇李沫
  • 2篇张健
  • 2篇何志刚
  • 2篇宋宇
  • 2篇刘鑫
  • 1篇赵振国
  • 1篇黄清华
  • 1篇杨帆
  • 1篇张龙

传媒

  • 2篇太赫兹科学与...
  • 1篇强激光与粒子...
  • 1篇原子能科学技...
  • 1篇电子产品可靠...
  • 1篇电子元件与材...

年份

  • 1篇2024
  • 1篇2021
  • 1篇2020
  • 1篇2019
  • 3篇2018
  • 1篇2017
  • 3篇2016
  • 1篇2015
共 12 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
二次熔融SiP产品的失效分析被引量：1
2021年
针对某系统级封装(SiP)开展失效分析。首先,基于用户提供的失效信息作出合理的初步判定,缩小失效模式范围;然后,对产品先后进行无损检测和破坏性检测,定位失效点并确定失效原因;最后,结合失效信息和检测结果对失效机理进行了阐述,并针对产品生产工艺提出了改进意见。
张玉兴梁堃何志刚
关键词：系统级封装无损检测
一种半导体器件辐射剂量率效应激光模拟系统
本发明公开了一种半导体器件辐射剂量率效应激光模拟系统，本发明属于半导体器件辐射效应研究领域。该模拟系统包括脉冲激光产生与调节系统、测试系统和控制系统。本发明利用聚焦物镜和激光扩束镜调节激光光斑尺寸，通过三轴精密运动平台控...
孙鹏李沫代刚宋宇李俊焘解磊梁堃张健
文献传递
TSV阵列在温度循环下的晶格变化对电学性能影响的研究
2024年
针对TSV(Through Silicon Via,硅通孔)热机械可靠性较差且其结构特性变化对电学性能影响情况不明的问题,基于一种TSV阵列叉指电极对样品开展了-55~125℃的温度循环试验,测试了温循后阵列电极的电学性能与边界绝缘性能变化,跟踪测试了TSV铜柱的几何尺寸变化,对比分析了试验前后TSV结构的形貌和晶格特性等衍化规律。结果表明,温度循环载荷导致了TSV-Cu晶粒向上生长、铜柱体积变大、微观结构缺陷产生以及电学性能退化;此外,还定量地构建了晶格特性变化对TSV阵列电极电学性能影响的关系架构,具有一定的工程意义。
梁堃王月兴何志刚赵伟
关键词：温度循环绝缘性能
一种半导体器件辐射剂量率效应激光模拟系统
本发明公开了一种半导体器件辐射剂量率效应激光模拟系统，本发明属于半导体器件辐射效应研究领域。该模拟系统包括脉冲激光产生与调节系统、测试系统和控制系统。本发明利用聚焦物镜和激光扩束镜调节激光光斑尺寸，通过三轴精密运动平台控...
孙鹏李沫代刚宋宇李俊焘解磊梁堃张健
文献传递
中子单粒子效应TCAD仿真被引量：4
2015年
分析了核裂变与聚变情况下,典型能量的中子与半导体器件反应,所产生的次级粒子及其能谱分布。根据中子所能导致的最恶劣情况,讨论了65nm工艺尺寸下,半导体静态存储器的单粒子效应,并给出了TCAD仿真的结果。结果显示,商用6管单元难以避免中子单粒子效应的发生。双互锁存储单元(DICE)结构在高密度设计时,也由于电荷共享效应,发生了单粒子翻转。由于电荷共享效应难以用SPICE仿真的方法得到,TCAD仿真更适用于中子单粒子免疫的SRAM设计验证。最后,讨论了65nm工艺下,中子单粒子免疫的SRAM设计,指出6管单元加电容的方式,可能是更有竞争力的方案。
解磊代刚李顺梁堃
关键词：中子单粒子效应
一维均匀掺杂突变PN结伽马剂量率辐射解析模型
2018年
研究硅基半导体集成电路最基本结构之一PN结的伽马剂量率辐射模型,阐明PN剂量率辐射模型的重要意义。根据半导体物理基本方程,推导计算出在剂量率辐射下一维均匀掺杂突变PN结光电流响应的解析解模型,根据解析解,在不同参数下用Mathematica作图观察,并与计算机辅助设计技术(TCAD)数值模拟仿真结果对比,验证解析解的正确性;最后基于解析解,通过分析剂量率、偏压、PN结几何尺寸、掺杂浓度、载流子扩散系数、少子寿命等参数对稳态光电流的影响,提出一个更方便工程计算的稳态光电流模型。
赵珩尧黄清华代刚李顺梁堃
关键词：PN结剂量率光电流解析解计算机辅助设计技术
SOI器件瞬时剂量率效应的激光模拟技术研究被引量：6
2017年
为验证激光模拟技术用于半导体SOI器件瞬时剂量率效应研究的可行性,对其优势和主要原理进行了分析。利用0.13μm SOI MOS器件单管测试芯片进行了激光辐射实验,获得了不同尺寸器件辐射所激发的瞬时光电流与激光入射能量的关系曲线,并计算得到了线性拟合后的光电流表达式。通过激光实验数据与器件TCAD仿真结果的对比,获得了本文实验条件下的辐射剂量率-激光能量模拟等效关系。结果表明,激光模拟技术可用于半导体SOI器件瞬时剂量率效应研究。
梁堃孙鹏李沫代刚李顺解磊
一种SOIMOS管剂量率辐射SPICE宏模型建模法
本发明涉及一种SOIMOS管剂量率辐射SPICE宏模型建模法；本发明主要针对SOI MOS器件的剂量率辐射效应，利用宏模型技术将器件在各种不同条件下的辐射响应特性耦合到器件非辐射下的原始SPICE模型上，以形成包含了辐射...
梁堃李顺解磊孙鹏代刚李沫
一种抗噪声SOI晶体管光电流测试系统设计
本发明公开了一种抗噪声SOI晶体管光电流测试系统设计，该测试系统设计包括SOI晶体管结构测试单元和至少两个噪声测试电阻，噪声测试电阻与SOI晶体管结构测试单元串联，SOI晶体管结构测试单元的两端至少有一个噪声测试电阻；本...
解磊代刚李顺梁堃孙鹏刘鑫
文献传递
基于OMP的SRAM成品率分析的分组建模方法
2020年
静态随机存取存储器(SRAM)电路的失效是极小概率事件,并且不同电路条件下的失效区域边界可能相距很远。因此,为了更高效地获得更精准的SRAM成品率预测结果,提出一种基于正交匹配追踪(OMP)算法的SRAM性能分组建模方法,并应用于典型SRAM电路成品率的预测。此方法主要根据不同SRAM电路条件下失效区域边界距离的差异将仿真数据划分为多组,之后利用OMP算法对不同组的数据分别建立多项式模型,该模型可用于对SRAM电路的成品率进行快速分析预测。与标准蒙特卡洛统计算法及基于OMP的单一建模方法相比,基于OMP的分组建模方法不仅可以缩短建模时间,提高建模准确度,还能够获得更加精确的SRAM成品率预测结果。
梁堃张龙张龙赵振国
关键词：正交匹配追踪重要性采样
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