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李永建

作品数：5 被引量：1H指数：1
供职机构：北京金自天正智能控制股份有限公司更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇会议论文
  • 2篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 3篇功率半导体
  • 3篇半导体
  • 2篇器件芯片
  • 2篇芯片
  • 2篇内存
  • 2篇交交变频
  • 2篇反射内存
  • 2篇反射内存网
  • 2篇半导体器件
  • 2篇变频
  • 2篇大功率半导体
  • 1篇电力
  • 1篇电力电子
  • 1篇电力电子系统
  • 1篇电流容量
  • 1篇信号
  • 1篇虚部
  • 1篇优化设计
  • 1篇真空
  • 1篇正弦信号

机构

  • 5篇北京金自天正...

作者

  • 5篇李永建
  • 2篇尤金霜
  • 2篇李凡
  • 2篇唐磊
  • 2篇王成胜
  • 2篇兰志明
  • 2篇段巍
  • 2篇杨琼涛
  • 2篇赵悦
  • 2篇苑莉
  • 2篇蒋珺

传媒

  • 1篇电力电子

年份

  • 1篇2018
  • 1篇2017
  • 2篇2012
  • 1篇2007
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
一种基于Profibus和反射内存网的大功率交交变频控制系统
本发明公开了一种基于Profibus和反射内存网的大功率交交变频控制系统，属于电力电子及交流传动技术领域。所述的控制系统由一个基于VME总线的21槽机箱构成，所有的板卡均为标准6U板卡，统一插在所述21槽机箱的插槽中；2...
李凡段巍王成胜蒋珺兰志明杨琼涛唐磊赵悦苑莉李永建
大功率半导体器件芯片烧结工艺的改进
在现有的硅-铝-钼烧结工艺的基础上,将钼圆片由原来的5mm厚减薄到4.5mm,并在大型卧式真空烧结炉,温场更为均匀的情况下进行烧结。结果表明,该工艺仍然能得到浅而平坦的烧结合金结,并能保持器件的反向阻断特性和通态特性,保...
尤金霜李永建李红梅任世强
关键词：晶闸管合金
文献传递
大功率半导体器件芯片烧结工艺的改进
在现有的硅-铝-钼烧结工艺的基础上，将钼圆片由原来的5mm厚减薄到4.5mm，并在大型卧式真空烧结炉，温场更为均匀的情况下进行烧结。结果表明，该工艺仍然能得到浅而平坦的烧结合金结，并能保持器件的反向阻断特性和通态特性，保...
尤金霜李永建李红梅任世强
关键词：半导体器件生产工艺优化设计
一种基于Profibus和反射内存网的大功率交交变频控制系统
本发明公开了一种基于Profibus和反射内存网的大功率交交变频控制系统，属于电力电子及交流传动技术领域。所述的控制系统由一个基于VME总线的21槽机箱构成，所有的板卡均为标准6U板卡，统一插在所述21槽机箱的插槽中；2...
李凡段巍王成胜蒋珺兰志明杨琼涛唐磊赵悦苑莉李永建
文献传递
优化安全工作区(SOA)性能的下一代IGCT被引量：1
2007年
为了改进电力电子系统的性能、减小其尺寸以及降低成本,大功率半导体器件将继续朝着高电压和大电流容量的方向发展。IGCT也不例外。本文描述具有电压额定值为4.5kV～6.5kV的一个新的IGCT系列的高安全工作区(SOA)能力。
Th. StiasnyP. StreitM. RahimoE. Carroll李永建古玉书（校）
关键词：安全工作区IGCT功率半导体器件电力电子系统电流容量
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