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崔帅

作品数:6 被引量:0H指数:0
供职机构:北京航天长征飞行器研究所更多>>
相关领域:电子电信自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 6篇国内会议论文

领域

  • 5篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 2篇电离辐射
  • 2篇电源
  • 2篇电源芯片
  • 2篇总剂量
  • 2篇芯片
  • 2篇抗辐射
  • 2篇抗辐射加固
  • 1篇单片
  • 1篇单片机
  • 1篇电路
  • 1篇电路测试
  • 1篇中子
  • 1篇中子辐照
  • 1篇总剂量效应
  • 1篇伽马射线
  • 1篇微处理器
  • 1篇集成电路
  • 1篇集成电路测试
  • 1篇辐照特性
  • 1篇VLSI

机构

  • 6篇北京航天长征...
  • 1篇西北核技术研...

作者

  • 6篇崔帅
  • 5篇张力
  • 5篇牛振红
  • 5篇曹雷团
  • 4篇刘洪艳
  • 3篇刘生东
  • 3篇李志峰
  • 1篇杨善潮
  • 1篇李斌
  • 1篇张雪
  • 1篇薛莲

传媒

  • 6篇第九届全国抗...

年份

  • 6篇2007
6 条 记 录,以下是 1-6
排序方式:
电源芯片60Co伽马射线总剂量辐照特性初探
对TI公司生产的TPS5461X和TPS5120电源芯片进行了动态<'60>Co伽马射线总剂量辐照试验,获得了其输出电压的辐照特性,并检测了测试电路板的工作电流,对TPS5461X和TPS5120电源芯片的辐照特性进行了...
牛振红刘生东崔帅刘洪艳曹雷团张力
关键词:电源芯片总剂量电离辐射
文献传递
高性能电源芯片瞬时辐射效应初探
对TI公司生产的高性能电源芯片TPS54616进行了X、γ瞬时辐射试验,对其辐射效应机理进行了研究,并提出加固措施,为后续高性能电源芯片的应用奠定了基础。
崔帅张雪刘洪艳刘生东曹雷团牛振红张力
关键词:电源芯片
文献传递
过程信息处理系统中子辐射效应研究
本文从数字电路中子损伤机理分析入手,针对抗辐射性能需求,围绕信息处理系统设计了辐照测试系统,主要测试信息处理系统在中子混合场辐照环境下工作的稳定性和可靠性,经过试验研究,对信息处理系统中子位移效应有了基本的了解,分析系统...
刘生东崔帅刘洪艳曹雷团李志峰牛振红张力
关键词:中子辐照
文献传递
不同应用状态下80C196KC单片机γ总剂量效应异同性研究
本文以intel公司生产的80C196KC20为主要试验件,分别在程控计算机系统和单片机测试系统上进行γ总剂量试验,比较两系统之间的总剂量损伤差异,进一步探讨80C196KC20的总剂量损伤效应。
曹雷团崔帅牛振红李志峰张力
关键词:80C196KC单片机总剂量效应抗辐射加固
文献传递
典型计算机组件不同脉宽瞬时辐射效应研究
对程控系统典型组件80C196KC20单片机的不同脉宽瞬时电离辐射效应进行研究,分析了不同脉宽辐射环境下典型组件的闭锁阈值和效应差异,对损伤现象和规律以及损伤机理进行研究。为后续单片机抗辐射加固设计和弹上应用提供技术支持...
崔帅曹雷团张力牛振红刘洪艳李志峰薛莲
关键词:微处理器电离辐射抗辐射加固
文献传递
VLSI辐射效应试验测试问题
针对近年来,系统进行的辐射效应试验情况,探讨试验中如何选择试验敏感参数问题,并提出相应的改进措施。
崔帅杨善潮李斌牛振红李瑞宾郭晓强
关键词:集成电路测试
文献传递
共1页<1>
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