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李倩

作品数:21 被引量:28H指数:3
供职机构:中国电子科技集团第十三研究所更多>>
发文基金:国家部委资助项目河北省科技计划项目河北省高等学校科学技术研究指导项目更多>>
相关领域:电子电信机械工程电气工程更多>>

文献类型

  • 8篇期刊文章
  • 7篇标准
  • 4篇专利
  • 2篇会议论文

领域

  • 9篇电子电信
  • 8篇机械工程
  • 1篇电气工程

主题

  • 7篇微电子
  • 7篇微电子机械
  • 7篇微电子机械系...
  • 7篇MEMS
  • 5篇滤波器
  • 5篇毫米波
  • 4篇微机械
  • 4篇微机械加工
  • 4篇封装
  • 3篇频段
  • 3篇腔体
  • 3篇芯片
  • 3篇X波段
  • 2篇低损耗
  • 2篇电路
  • 2篇电路工艺
  • 2篇陶瓷
  • 2篇陶瓷基
  • 2篇陶瓷基板
  • 2篇腔体滤波器

机构

  • 21篇中国电子科技...
  • 3篇专用集成电路...
  • 2篇中机生产力促...
  • 2篇绍兴中芯集成...
  • 2篇河北美泰电子...
  • 1篇石家庄学院
  • 1篇深圳市美思先...
  • 1篇明石创新(烟...
  • 1篇宁波志伦电子...
  • 1篇武汉飞恩微电...
  • 1篇杭州左蓝微电...

作者

  • 21篇李倩
  • 12篇杨拥军
  • 8篇杨志
  • 8篇胡小东
  • 4篇汪蔚
  • 2篇付兴昌
  • 2篇徐达
  • 2篇要志宏
  • 2篇赵瑞华
  • 2篇吕苗
  • 2篇常青松
  • 2篇王帆
  • 2篇李博
  • 2篇许鹏
  • 1篇卢新艳
  • 1篇李丽
  • 1篇李莉
  • 1篇徐永青
  • 1篇顾枫
  • 1篇王玉奎

传媒

  • 7篇微纳电子技术
  • 1篇河北工业大学...
  • 1篇中国微米纳米...
  • 1篇中国微米、纳...

年份

  • 3篇2022
  • 1篇2021
  • 1篇2019
  • 3篇2018
  • 2篇2017
  • 2篇2016
  • 2篇2014
  • 1篇2013
  • 1篇2012
  • 1篇2011
  • 1篇2010
  • 1篇2008
  • 2篇2005
21 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
X波段MEMS可变电容的设计与制作
2008年
对一种适合于X波段通信系统的RF MEMS可变电容进行了结构设计和工艺实现。该电容用高阻硅作为衬底材料,采用凹形和T形梁结构,整个结构由金材料组成;静电驱动,采用驱动信号与微波信号分离的方法。用有限元分析软件Ansys对该电容进行了模拟,随着驱动电压的变化,电容上极板产生位移变化,电容值相应地发生变化;设计了相应的工艺流程,实现了X波段MEMS可变电容的工艺制作和测试,该工艺与集成电路工艺兼容。S参数测试结果表明,在9GHz时Q值可达32.5,电容调节范围为28.8%。
李倩胡小东李丽
关键词:可变电容压控振荡器Q值静电力射频微机电系统
硅腔体MEMS环行器的设计与制作被引量:5
2017年
设计制作了一种基于MEMS工艺的硅腔体环行器。该环行器以高阻硅为衬底材料,基于基片集成波导(SIW)技术的传输理论,采用体硅MEMS工艺和低损耗金属化技术实现了硅通孔及通孔金属化的制备。设计并仿真优化了硅腔体MEMS环行器结构,给出了一套硅腔体MEMS环行器制备的工艺流程,针对该工艺流程方案进行了关键参数的工艺误差仿真。实现了中心频率为13 GHz MEMS环行器的工艺制作和性能测试,频带内插损小于0.5 dB,电压驻波比(VSWR)小于1.25,隔离度大于20 dB,环行器尺寸仅为11.0 mm×11.0 mm×2.5 mm,远小于对应的波导腔体环行器。
李倩汪蔚杨拥军杨志
关键词:环行器
一种立式金属陶瓷封装外壳、器件及制备方法
本发明提供了一种立式金属陶瓷封装外壳、封装器件及制备方法,立式金属陶瓷封装外壳包括:结构对称的下封装外壳和上封装外壳,以及盖板;其中,下封装外壳包括:下陶瓷基板和贯穿下陶瓷基板的上下表面的下金属互联柱;在下陶瓷基板的上表...
李仕俊要志宏付兴昌杨阳阳常青松徐达杨树国王翠芳周伟李倩曹金萍默春芳胡静胡彦星李其
文献传递
硅基多层腔体滤波器
本发明公开了一种硅基多层腔体滤波器,由两层以上介质层上下叠加组成,在每层介质层上均设有通孔,在通孔的内壁上设有经硅微机械加工技术形成的内壁金属层;相邻两介质层之间设有经硅微机械加工技术形成的中间金属层,在所述中间金属层上...
杨志杨拥军胡小东李倩
文献传递
MEMS陀螺仪参数标定工艺技术要求
本标准规定了MEMS陀螺仪制造过程中的人员、环境、安全、设备和仪器的一般要求,以及工艺流程、工艺准备和参数标定的详细要求。本标准适用于MEMS陀螺仪制造过程中的零偏、标度因数、零偏温度灵敏度和标度因数温度灵敏度的标定。
王帆杨拥军李倩李博许鹏董晓亮王晓
硅基多层腔体滤波器
本发明公开了一种硅基多层腔体滤波器,由两层以上介质层上下叠加组成,在每层介质层上均设有通孔,在通孔的内壁上设有经硅微机械加工技术形成的内壁金属层;相邻两介质层之间设有经硅微机械加工技术形成的中间金属层,在所述中间金属层上...
杨志杨拥军胡小东李倩
Ku频段Si基异质集成MEMS表面贴装型环行器被引量:3
2019年
随着现代电子技术的发展,通信收发系统趋向小型化,对射频前端的环行器提出了小型化的迫切需求,微电子机械系统(MEMS)环行器与传统环行器相比具有尺寸小、精度高、功率高的优势。创新性地提出了一款基于MEMS工艺的可表面贴装使用的环行器,最终尺寸为6 mm×6 mm×2.6 mm,工作频率为14~18 GHz,器件损耗小于0.65 dB,隔离度大于18 dB,电压驻波比小于1.4,满足用户需求;与传统微带环行器相比,其具有精度高、一致性好、可批量化生产等特点,同时通过金属化通孔实现微波信号垂直传输,避免出现金丝/金带键合使用时的匹配复杂等难题,在通信和雷达收发组件领域有着广泛应用。
汪蔚翟晓飞李倩杨拥军
关键词:表面贴装环行器
宽范围可调MEMS集成滤波器的设计与制作被引量:1
2011年
基于MEMS平面螺旋电感和MEMS可调平行板电容设计并制作了一种宽可调范围的集成可调带通滤波器。理论分析并计算了可调滤波器电感和可调电容的取值范围,利用HFSS设计得到各元件结构参数,并使用AnsoftDesigner分析软件对可调滤波器电路进行了模拟仿真。设计得到的可调滤波器中心频率调节范围为400~700MHz,可调率达75%,实现了宽范围可调,3dB相对带宽范围为5%~10%,插入损耗小于5dB,芯片尺寸为20mm×6mm×0.4mm。给出了一套基于MEMS平面工艺的MEMS集成可调滤波器的制作流程,实现了MEMS集成可调滤波器的工艺制作及测试。测试结果表明,获得的可调滤波器实现了通带频率宽范围可调。
杨志杨拥军李倩胡小东
关键词:滤波器微机械加工
MEMS陀螺仪测试方法
本标准规定了MEMS陀螺仪参数的测试环境、测试设备和仪器的一般要求,以及参数测试目的、测试框图、测试原理、规定条件、测试步骤和计算方法。本标准适用于MEMS陀螺仪的标度因数、标度因数非线性、标度因数重复性、零偏、零偏稳定...
王帆杨拥军李博李倩李丽霞董晓亮许鹏汪蔚
MEMS惯性器件芯片在片测试技术要求
本标准规定了MEMS惯性器件敏感芯片电参数在片测试的人员、环境、安全、设备和仪器的一般要求,以及测试流程、测试准备、测试系统连接、参数测试等详细要求。本标准适用于MEMS惯性器件敏感芯片(以下简称营片)导通电阻、绝缘电阻...
冯楠杨拥军杨琳李倩李丽霞任倩婷卢新艳
共3页<123>
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