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叶茂

作品数:24 被引量:5H指数:1
供职机构:中国工程物理研究院流体物理研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金中国工程物理研究院科学技术发展基金博士科研启动基金更多>>
相关领域:电气工程理学电子电信核科学技术更多>>

文献类型

  • 13篇专利
  • 10篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 4篇电气工程
  • 4篇理学
  • 3篇电子电信
  • 2篇核科学技术
  • 1篇文化科学

主题

  • 10篇加速器
  • 8篇光导
  • 8篇光导开关
  • 5篇砷化镓
  • 5篇脉冲形成线
  • 5篇激光
  • 5篇激光二极管
  • 5篇功率
  • 5篇二极管
  • 4篇介质壁加速器
  • 4篇触发
  • 3篇电阻
  • 3篇多级脉冲
  • 3篇多通道
  • 3篇砷化镓光导开...
  • 3篇驱动电阻
  • 3篇脉冲功率
  • 3篇功率源
  • 3篇高能
  • 3篇高能加速器

机构

  • 24篇中国工程物理...
  • 1篇西南科技大学

作者

  • 24篇叶茂
  • 23篇刘毅
  • 23篇谌怡
  • 21篇夏连胜
  • 21篇张篁
  • 19篇王卫
  • 11篇杨超
  • 10篇石金水
  • 7篇章林文
  • 7篇邓建军
  • 5篇黄子平
  • 4篇潘海峰
  • 3篇龙继东
  • 2篇吕璐
  • 2篇刘云龙
  • 2篇李远

传媒

  • 6篇强激光与粒子...
  • 3篇高能量密度物...
  • 1篇高电压技术

年份

  • 1篇2024
  • 2篇2023
  • 1篇2022
  • 1篇2021
  • 1篇2020
  • 3篇2019
  • 8篇2016
  • 6篇2015
  • 1篇2014
24 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
砷化镓光导开关的引线连接结构以及引线焊接工艺
本发明公开了砷化镓光导开关的引线连接结构以及引线焊接工艺,解决了现有砷化镓光导开关在引线连接过程中出现尖端焊点、电极与引线的接触电阻较大的问题。本发明包括具有开关电极(2)的砷化镓光导开关本体(4),以及连接在开关电极(...
谌怡吕璐潘海峰王卫刘毅叶茂杨超夏连胜张篁石金水章林文邓建军
文献传递
一种多芯组高功率塑封脉冲半导体激光二极管
本发明涉及高功率脉冲半导体激光二极管领域,尤其是涉及一种多芯组高功率塑封脉冲半导体激光二极管。本发明针对现有技术存在的问题,提供一种多芯组高功率塑封脉冲半导体激光二极管,通过调节半导体激光二极管芯组的数量M、芯组的间距D...
王卫夏连胜谌怡刘毅张篁杨超叶茂
文献传递
一种低能重离子加速器及加速方法
本发明公开了一种低能重离子加速器及加速方法,涉及离子加速器领域,该加速器包括带有时序控制功能的脉冲功率源以及多个连续设置的加速单元,加速单元具有加速腔,所有加速腔相互连通并形成离子的加速传输通道;该加速方法将脉冲功率源按...
夏建胜谌怡张篁刘毅叶茂石金水
GaAs-PCSS多通道同步导通条件实验研究被引量:1
2020年
砷化镓光导开关(GaAs-PCSS)是具有快响应、高重频、低抖动、高功率容量的半导体光电导开关,多通道设计能够有效降低GaAs-PCSS非线性大电流导通时的损伤,提高开关寿命。为探究GaAs-PCSS多通道同步导通的必要条件,在基于固态脉冲形成线的实验平台上,通过特殊设计的夹具,将多枚GaAs-PCSS并联连接以作为脉冲形成电路的开关,以对各GaAs-PCSS施以不同的触发信号进行测试。实验结果证明:相同触发信号下,开关导通电流被成功地均分到4个GaAs-PCSS通道中;不同触发信号下,为获得较好的电流均分效果,各通道触发延迟时差须小于1 ns,触发能量差须小于20μJ。设计了分体式、单体式两种结构的多通道GaAs-PCSS,其中基于刻蚀工艺的单体式20通道GaAs-PCSS在7000余次大电流工作后仅发生轻微损伤。
刘毅谌怡夏连胜王卫叶茂张篁
关键词:砷化镓光导开关多通道
介质壁加速腔加速结构优化
2016年
为了在介质壁加速器中增大轴向加速电场,提高加速梯度的同时抑制径向电场对束包络的扩张,提出了在每个加速电极上添加金属栅网结构。采用基于粒子云网格方法的电磁粒子模拟软件对不加栅网与添加栅网的电极结构进行了数值仿真,分析了不同结构下加速管道中的电场分布和束包络变化。通过实验对比了两种不同结构下经过相同的加速长度获得的粒子能量。结果表明:添加金属栅网结构相对于不加栅网的金属小孔式结构,轴向加速电场强度提高20%,同时径向电场得到有效抑制;栅网结构下,被加速的粒子束在自由漂移空间中的径向发散基本得到抑制;在相同的加速长度下加速H+3粒子,栅网结构得到的能量增益提高了一倍。
叶茂张篁刘毅王卫谌怡杨超夏连胜石金水章林文
关键词:介质壁加速器场分布束包络数值仿真
多峰离子源放电的全三维PIC/MCC模拟软件的研制
2014年
为顺应国际离子源发展的潮流以及弥补离子源模拟方面的不足,探索离子源放电的物理机制以及H^-的产生机制,掌握离子源内各粒子的传输和沉积特性生,分析影响离子源内引出离子光学特性的因素,为离子源设计者提供可靠的、理想的理论支撑,在多年工作的基础上,基于FORTRAN软件平台,考虑不同激励和放电环境,采用高品质电磁粒子模拟算法处理带电粒子所受电、磁力问题,抑制数值噪声增长以保证算法收敛,利用Rasser和Nickel模型处理中性粒子输运过程。运用Null和TA模型分别处理了非同种粒子和同种粒子的碰撞事件发生概率,结合V.Vahedi和K.Nanbu等人提出的动力学方法处理碰撞前、后粒子的动量变化,研制出能模拟多类负氢离子源放电的全三维PIC/MCC软件,并对国内外研究较热的离子源进行了模拟验证。
杨超夏连胜王卫刘毅谌怡叶茂张篁邓建军
关键词:负氢离子源蒙特卡罗
多通道砷化镓光电导开关
本发明提供了多通道砷化镓光电导开关。所述的光电导开关中的绝缘基座上设置有平行排列的N个长条形的砷化镓,砷化镓与绝缘基座固定连接,相邻的砷化镓之间的间距相等,并在绝缘基座上构成通道,砷化镓的两端齐平,绝缘介质设置在通道中。...
刘毅潘海峰叶茂夏连胜谌怡王卫张篁石金水章林文刘云龙
文献传递
大功率激光脉冲二极管触发高增益光导开关实验研究
2016年
研究了一种新型大功率激光脉冲二极管的输出特性,该激光二极管主要用于触发工作在高增益模式下的砷化镓光导开关。研制了基于射频金属-氧化物半导体场效应管的激光二极管驱动电路,可以为激光二极管提供上升沿、半高宽和峰值电流分别为4ns,20ns和130A的脉冲驱动电流。研究了激光二极管输出的激光脉冲波形、能量、功率、光场分布等特性,并在Blumlein传输线结构中,研究了该大功率激光脉冲二极管的输出特性对工作于高增益模式下的光导开关的导通电阻、开关抖动等主要导通性能参数的影响规律。实验结果表明,激光脉冲的能量和功率越大,光斑面积越大、分布越均匀,在相同偏置电压条件下,光导开关的导通性能越好。
王卫刘毅谌怡夏连胜杨超叶茂
关键词:激光二极管大功率光导开关
介质壁直线加速器加速单元间的电路耦合及解耦
2016年
中国工程物理研究院流体物理研究所研发的介质壁直线加速器是基于固态脉冲形成线、GaAs光导开关和高梯度绝缘介质壁三项关键技术的新型直线脉冲加速器。在加速器调试阶段,测量出获得加速的质子束流能量远低于预期值,在排除功率源负载能力因素之后,发现脉冲功率源因连接回路引起的电路耦合效应是导致束流能量低的主要原因。基于介质壁直线加速器加速单元放电回路结构的分析,确认了加速单元之间的电路耦合的必然性。并通过测量回路电流,研究了几种不同工作模式下的电路耦合效应。结合电路耦合的特点,给出了两种基于磁芯隔离的解耦方法,并测量了这两种方法的解耦效率。
谌怡张篁刘毅王卫叶茂夏连胜石金水章林文邓建军
关键词:电路耦合解耦
一种基于玻纤板的单级和多级脉冲形成线及其感应叠加器
本发明公开了一种基于玻纤板的单级和多级脉冲形成线及其感应叠加器,包括:MOSFET驱动电路、MOSFET开关、玻纤板基材、若干层覆铜电极;MOSFET驱动电路和MOSFET开关均焊接在玻纤板基材上表面;MOSFET驱动电...
谌怡王卫刘毅叶茂张篁夏连胜黄子平龙继东
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