张弛
- 作品数：5 被引量：4H指数：1
- 供职机构：中国电子科技集团公司第四十六研究所更多>>
- 发文基金：中国人民解放军总装备部预研基金更多>>
- 相关领域：电子电信化学工程更多>>
- β-Ga_(2)O_(3)晶体金刚石线锯切割的表面质量研究被引量：1
- 2022年
- 本文探究了往复式金刚石线锯的工艺参数对β-Ga_(2)O_(3)单晶沿(001)晶面切片时表面质量的影响,从压痕断裂力学理论角度探究了金刚石线锯切割β-Ga_(2)O_(3)单晶过程中磨粒行为和材料去除机理。实验从各向异性角度分析了切割方向对(001)面β-Ga_(2)O_(3)单晶切割片表面质量的影响,并采用SEM和SJ-210粗糙度测试仪探究了工艺参数对金刚石线锯切割后的晶片表面质量的影响。实验结果表明,增大锯丝速度或减小材料进给速度都能降低亚表面损伤层深度及表面粗糙度,有效改善晶片表面质量。
- 李晖高鹏程程红娟王英民高飞张弛王磊
- 关键词：金刚石线锯亚表面损伤层表面粗糙度
- 游离磨粒切割法和金刚石线切割法切割SiC的对比
- 2014年
- 通过采用镀铜钢线配合游离磨粒切割法和金刚石线与砂浆配合切割法对SiC晶锭分别进行切割试验,在对比两种方法的切割效果基础上,探讨两种切割方法对SiC晶片表面质量和弯曲度的作用和效果,并对比两种方法的优点。通过探讨总结出镀铜钢线配合游离磨粒切割法切割出的SiC晶片表面质量较好,但用时较长,适用于小型实验;金刚石线与砂浆配合切割法切割出的SiC晶片几何参数更好且稳定,且加工效率较高,适用于大型生产。
- 王磊王添依张弛张海磊冯玢
- 关键词：多线切割机
- SiC晶片倒角技术研究被引量：3
- 2015年
- 讨论了碳化硅晶片的倒角工艺,主要包括晶片边缘倒角的基本原理,晶片倒角的目的以及晶片边缘粗糙度的影响。采用500#磨料粒度的砂轮对碳化硅晶片进行边缘研磨,分析讨论了切入量、砂轮转速、吸盘转速等参数的影响。切入量、吸盘转速越大,晶片边缘质量越差,崩边数也越多,砂轮转速越大,晶片质量越好。通过实验数据,我们还当选用500#的砂轮时,切入量在100μm左右、砂轮转速在2 500 m/min左右、吸盘转速在6 mm/s左右较为合适。
- 张弛
- 有蜡贴片工艺对4英寸SiC抛光片几何参数的影响
- 2020年
- 研究了单面抛光中有蜡贴片工艺对抛光后4英寸(1英寸=2.54 cm)SiC晶片总厚度变化(TTV)和翘曲度的影响。分别选择固体蜡和液体蜡进行贴片实验,采用平面度测量仪检测加工前后晶片的TTV和翘曲度,采用数显千分表测量贴片及单面抛光后晶片表面5点厚度的变化。发现采用液体蜡贴片时,加工晶片的TTV较好,蜡层的均匀性是影响晶片TTV的主要原因,蜡层厚度均匀性差会使晶片TTV变差,同时也会使晶片发生不规则的形变。并且分析了旋涂参数对液体蜡蜡层均匀性的影响。结果表明,在滴蜡时间为2.3 s、低速旋转速度为700 r/min、低速旋转时间为6 s、高速旋转速度为3000 r/min、高速旋转时间为7 s的条件下,贴片表面5个点的厚度偏差小于2μm,加工晶片的TTV小于5μm。
- 高飞李晖张弛
- 关键词：翘曲度
- GaSb晶片钝化工艺对抛光表面的影响
- 2016年
- 锑化镓(GaSb)作为常用的III-V型半导体材料,因其易于氧化的性质而限制了其应用效果,而硫钝化是一种常见而有效的应对手段。该文选取了硫化铵溶液,对化学机械抛光后的晶片表面进行处理,以研究硫钝化工艺中钝化时间对抛光面的影响。实验结果通过原子力显微镜(AFM)和X线光电子能谱(XPS)进行了表征,研究发现,经硫化铵溶液处理后,与Ga相比,Sb的硫化程度更完全,且该程度会随着硫化时间的延长而逐渐加大。另外,处理时间长会加重GaSb晶片表面的腐蚀,使其表面起伏加剧,表面粗糙度增大。
- 卢伟涛程红娟张弛高飞
- 关键词：硫钝化
