彭波
- 作品数：6 被引量：7H指数：1
- 供职机构：安徽理工大学更多>>
- 发文基金：安徽省自然科学基金江苏省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电气工程电子电信更多>>
- 一种新型的触屏开关
- 本实用新型介绍了一种新型的触屏开关，它包括壳体、触摸屏(4)和触摸电路(3)，在触摸电路(3)中整流器N的1结点接开关管S的C管脚、稳压管VD<Sub>5</Sub>的J管脚、电容C<Sub>1</Sub>的H管脚、芯片...
- 彭波张正文杨思学齐剑张冬雷
- 文献传递
- 一种新型的便携式终端声音补偿滤波器
- 本实用新型介绍了一种新型便携式终端声音补偿滤波器的设计装置。该装置主要包括信号同步器(200)，丢失间隔估计器(202)，延迟信号补偿器(204)，丢失信号恢复器(206)。将记录的测试信号输入信号同步器，信号同步器接区...
- 齐剑郝竹银阚杰彭波李峰
- 文献传递
- 中间带对ZnO/ZnTe光伏太阳能电池性能的影响被引量：6
- 2015年
- 中间带光伏太阳电池是为了充分利用太阳光谱中的红外光子能量而提出的一种高效率新概念太阳电池。II-VI和III-V族高失配合金半导体是新型高效中间带太阳电池的优选材料体系。采用太阳电池电容模拟软件(SCAPS),模拟出具有中间带的ZnTe:O高失配合金作为本征层时的太阳电池的性能参数,并与ZnO/ZnTe及ZnO/ZnTe/ZnTe的太阳电池对比分析。结果表明:本征层的存在及材料结构对太阳电池性能有显著影响,具有中间带的ZnTe:O作为本征层时的电池性能参数明显优于ZnO/ZnTe和ZnO/ZnTe/ZnTe;不同掺杂类型的ZnTe:O本征层通过改变费米能级在中间带的位置影响太阳电池的性能参数。模拟结果显示:n型ZnTe:O作为本征层时短路电流密度JSC及电池效率分别为52.39mA/cm2和61.58%,远高于p型ZnTe:O结构太阳电池。
- 蒋建彗吴孔平鲁开林齐剑彭波朱艳娜
- 关键词：太阳电池
- 一种新型单级半桥式开关电源的设计
- 2015年
- 提出了一种新型单级半桥式开关电源,其输出电压可以稳定在48V,可以作为LED灯的电源使用。该开关电源的单级结构由一个半桥AC/DC功率因数校正电路(PFC)[1-3]和一个半桥DC/DC电源转换器融合而成。通过采用在不连续导通模式(DCM)下具有功率因数校正功能的PFC功率校正电路调节开关电源的输出。相比于传统的两级电源,这种单级半桥式结构提高了系统稳定性,提高了工作效率,降低了产品成本和尺寸,简化了设计。详细介绍新型开关电源的工作原理,并通过仿真验证系统的可行性。
- 彭波张正文杨思学齐剑
- 一种新型单级半桥式开关电源的设计与研究
- 开关电源在当代工业、农业、军事等领域具有广泛的运用。以往市场上的开关电源存在着对电能利用率不高，体积大，操作不方便等问题。随着电源技术的高速发展，高频电源正向更快、更稳定、体积更小和效率更高的方向发展。 论文系统的论述...
- 彭波
- 关键词：开关电源脉宽调制电路设计拓扑结构
- 第一性原理的广义梯度近似＋U方法的纤锌矿Zn(1-x)MgxO极化特性与Zn(0.75)Mg(0.25)O/ZnO界面能带偏差研究
- 2015年
- 在纤锌矿结构Zn_(1-x)Mg_xO/ZnO异质结构中发现了高迁移率的二维电子气(2DEG),2DEG的产生很可能是由于界面上存在不连续极化,而且2DEG通常也被认为是由极化电荷产生的结果.为了探索2DEG的形成机理及其产生的根源,研究Zn_(1-x)MgxO合金的极化特性与ZnO/Zn_(1-x)Mg_xO超晶格的能带排列是非常必要的.基于第一性原理广义梯度近似+U方法研究了Zn_(1-x)Mg_xO合金的自发极化随Mg组分x的变化关系,其中极化特性的计算采用Berry-phase方法.由于ZnO与Zn_(1-x)Mg_xO面内晶格参数大小相当,ZnO与Zn_(1-x)Mg_xO的界面匹配度优良,所以ZnO/Zn_(1-x)Mg_xO超晶格模型较容易建立.计算了Mg_(0.25)Zn_(0.75)O/ZnO超晶格静电势的面内平均及其沿着Z(0001)方向上的宏观平均.(5+3)Mg_(0.25)Zn_(0.75)O/ZnO超晶格拥有较大的尺寸,确保远离界面的Mg_(0.25)Zn_(0.75)O与ZnO区域与块体计算情况一致.除此之外,基于宏观平均为能量参考,计算得到Mg_(0.25)Zn_(0.75)O/ZnO超晶格界面处价带偏差为0.26 eV,并且导带偏差与价带偏差的比值处于合理区间,这与近来实验上报道的结果相符.除了ZnO在[0001]方向上产生自发极化外,由于在ZnO中引入Mg杂质会产生应变应力,导致Mg_xZn_(1-x)O层产生额外的极化值.这样必然会在Mg_(0.25)Zn_(0.75)O/Zn界面处产生非连续极化现象,促使单极性电荷在界面处积累,从而在Mg_(0.25)Zn_(0.75)O/Zn超晶格中产生内在电场.此外,计算了Mg_(0.25)Zn_(0.75)O/ZnO超晶格的能带排列,由于价带偏差△Ev=0.26 eV与导带偏差△Ec=0.33 eV,表明能带遵循I型排列.Mg_(0.25)Zn_(0.75)O/ZnO的这种能带排列方式足以让电子与空穴在势阱中产生禁闭作用.2DEG在电子学与光电子学领域都有重要应用,本文的研究结果将对Mg_(0.25)Zn_(0.75)O/ZnO界面2DEG的设计与优化中起到重要作用,并且可以作为研究其他Mg组分的Mg_xZn_(1-x)O/ZnO超晶格界面电子气特性的参考依据.
- 吴孔平齐剑彭波汤琨叶建东朱顺明顾书林
- 关键词：自发极化
