您的位置： 专家智库 > >

田中元

作品数：4 被引量：0H指数：0
供职机构：河北普兴电子科技股份有限公司更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇中文专利

主题

  • 4篇外延片
  • 3篇硅外延
  • 3篇硅外延片
  • 2篇双极型
  • 2篇双极型晶体管
  • 2篇抛光
  • 2篇抛光工艺
  • 2篇抛光片
  • 2篇晶体管
  • 2篇刻蚀
  • 2篇衬底
  • 2篇除杂
  • 2篇除杂质
  • 1篇电特性
  • 1篇失配位错
  • 1篇配位
  • 1篇外延层
  • 1篇吹扫

机构

  • 4篇河北普兴电子...

作者

  • 4篇赵丽霞
  • 4篇袁肇耿
  • 4篇田中元
  • 4篇李永辉
  • 4篇薛宏伟

年份

  • 1篇2016
  • 1篇2015
  • 2篇2013
共 4 条 记 录，以下是 1-4
全选 清除 导出
排序方式：
一种双极型晶体管用双层硅外延片的制造方法
本发明公开了一种双极型晶体管用双层硅外延片的制造方法，与常规双层硅外延片的制造方法相比，其具有如下特点：第一层硅外延片生长前使用HCl抛光工艺去除硅片表面微损伤；第一层硅外延片生长完成后取出硅片对系统进行刻蚀处理；第二层...
袁肇耿薛宏伟赵丽霞田中元许斌武李永辉侯志义
文献传递
P++衬底上P-层硅外延片的制备方法
本发明公开了一种P++衬底上P-层硅外延片的制备方法，属于硅外延片技术领域。其包括下述步骤：（1）选用P+〈111〉/Boron单面抛光片；（2）HCl抛光；（3）吹扫；（4）双层外延生长：采用高纯度SiHCl<Sub>...
侯志义袁肇耿薛宏伟赵丽霞田中元许斌武李永辉
文献传递
P++衬底上P-层硅外延片的制备方法
本发明公开了一种P++衬底上P-层硅外延片的制备方法，属于硅外延片技术领域。其包括下述步骤：（1）选用P+〈111〉/Boron单面抛光片；（2）HCl抛光；（3）吹扫；（4）双层外延生长：采用高纯度SiHCl<Sub>...
侯志义袁肇耿薛宏伟赵丽霞田中元许斌武李永辉
文献传递
一种双极型晶体管用双层硅外延片的制造方法
本发明公开了一种双极型晶体管用双层硅外延片的制造方法，与常规双层硅外延片的制造方法相比，其具有如下特点：第一层硅外延片生长前使用HCl抛光工艺去除硅片表面微损伤；第一层硅外延片生长完成后取出硅片对系统进行刻蚀处理；第二层...
袁肇耿薛宏伟赵丽霞田中元许斌武李永辉侯志义
文献传递
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0