公共文化服务平台

考虑驱动电压主动调节的混合器件结温波动平滑控制方法: 本发明公开了一种考虑驱动电压主动调节的混合器件结温波动平滑控制方法，包括以下步骤：步骤S1、设置负载电流后，通过损耗模型计算实际所给范围内不同驱动电压下的MOSFET与IGBT损耗；步骤S2、以负载电流有效值作为限制条件...; 龙柳肖凡涂春鸣白丹郭祺肖标韩硕

基于Si和SiC混合器件的多元调控参数损耗模型构建方法: 基于Si和SiC混合器件的多元调控参数损耗模型构建方法，包括以下步骤：获取母线电压、负载电流和结温分别对Si IGBT和SiC MOSFET的单一开关损耗函数；结合混合器件采用的开关模式，根据单一开关损耗函数构建混合器件...; 涂春鸣肖标朱梓贤郭祺肖凡龙柳韩硕

一种适用于混合器件的综合结温平滑控制方法: 本发明公开一种适用于混合器件的综合结温平滑控制方法，具体步骤为：根据负载电流大小实时监测混合器件的结温变化情况；当负载电流由<Image file="ZY_1.GIF" he="27" imgContent="drawi...; 涂春鸣韩硕龙柳肖凡肖标郭祺白丹

一种考虑多元调控参数的Si/SiC混合器件选型与性能评估方法: 一种考虑多元调控参数的Si/SiC混合器件选型与性能评估方法，包括以下步骤：建立导通损耗模型、开关损耗模型和过冲电流模型；基于混合器件内部单一器件的功率组合特性确定混合器件的预选组合方案；通过过冲电流模型获取预选组合方案...; 肖标郭祺涂春鸣肖凡龙柳朱梓贤韩硕

基于Si和SiC混合器件的多元调控参数综合设计方法: 基于Si和SiC混合器件的多元调控参数综合设计方法，包括步骤S1，确定混合器件所应用开关模式；步骤S2，在步骤S1所确定的开关模式下，先定性分析调控参数对混合器件损耗和电流过冲的影响，再根据混合器件内Si IGBT和Si...; 涂春鸣肖标朱梓贤郭祺肖凡龙柳韩硕

基于同伦分析的结构可靠性分析: 一次二阶矩可靠性分析方法(FORM)是国际工程界公认的一种有效的结构可靠性分析方法。该方法具有迭代格式简单，收敛快的特点，但它对非线性较强的问题的收敛性仍存在问题。本文提出一种新的基于同伦分析的结构可靠性分析方法，这种方...; 姜潮韩硕韩旭; 关键词：FORM 同伦分析

面向Si/SiC混合器件逆变器全寿命周期安全工作区的多开关模式主动切换策略被引量：1: 2023年; 基于硅基绝缘栅双极型晶体管(Si IGBT)和碳化硅金属氧化物半导体场效应管(SiC MOSFET)的Si IGBT/SiC MOSFET混合器件采用多开关模式切换策略可使变换器具备应对复杂工况的能力,然而现有切换策略并未考虑器件疲劳老化对模式切换阈值电流的影响,在混合器件老化进程后期极有可能造成器件热失效,进而严重威胁变换器的可靠运行。基于此,提出了一种面向Si/SiC混合器件逆变器全寿命周期安全工作区的多开关模式主动切换策略。基于器件疲劳老化对逆变器最大安全运行电流的影响规律,设计了考虑老化进程的逆变器安全工作区刻画流程。根据安全工作区刻画结果,提出了适用于混合器件全寿命周期的多开关模式主动切换策略。实验结果表明,该策略能够针对混合器件不同老化程度来动态调整开关模式切换阈值电流,从而在器件全寿命周期内保障逆变器的运行可靠性。; 涂春鸣韩硕龙柳肖凡肖标郭祺; 关键词：全寿命周期安全工作区

一种Si/SiC混合器件耦合热参数辨识方法: 本发明公开了一种Si/SiC混合器件耦合热参数辨识方法，包括：设置散热工况F<Sub>1</Sub>，给IGBT和MOSFET分别施加功率损耗进行单独加热；分别根据单独加热后的拉氏域等效热网络模型获取对应的拉氏域节点电压...; 龙柳涂春鸣肖凡郭祺肖标韩硕

基于混合功率器件疲劳累积效应的多开关模式切换方法: 基于混合功率器件疲劳累积效应的多开关模式切换方法，包括以下步骤：获取最小损耗开关模式和结温平衡开关模式下三维安全工作区对应的二维映射图；根据二维映射图获取健康状态安全工作区和非健康状态安全工作区；以额定工作点为基准，当逆...; 涂春鸣韩硕龙柳肖凡肖标郭祺朱梓贤

基于同伦算法的结构可靠性分析: 由制造及测量等带来的不确定性广泛存在于工程实际当中，对不确定性参数精确度量、分析及控制并进行可靠性分析，是保证产品或结构在复杂工况下正常使用的有效手段。一次二阶矩方法是目前结构可靠性分析领域比较经典和常用的方法，基于一次...; 韩硕; 关键词：同伦算法; 文献传递

渝B2-20050021-1　渝公网安备 50019002500403号　违法和不良信息举报中心　互联网出版许可证　新出网证(渝)字10号

韩硕