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袁昊

作品数：128 被引量：2H指数：1
供职机构：西安电子科技大学更多>>
相关领域：电子电信文化科学电气工程自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 126篇专利
  • 2篇学位论文

领域

  • 67篇电子电信
  • 4篇文化科学
  • 3篇电气工程
  • 2篇自动化与计算...
  • 1篇经济管理

主题

  • 45篇肖特基
  • 34篇二极管
  • 32篇肖特基接触
  • 27篇电阻
  • 26篇碳化硅
  • 25篇导通
  • 23篇导通电阻
  • 23篇欧姆接触
  • 21篇肖特基二极管
  • 20篇电极
  • 20篇外延层
  • 18篇势垒
  • 14篇源区
  • 13篇沟槽
  • 12篇FET器件
  • 11篇漂移区
  • 11篇终端区
  • 11篇反向漏电
  • 10篇电池
  • 10篇电迁移

机构

  • 128篇西安电子科技...
  • 3篇陕西半导体先...

作者

  • 128篇袁昊
  • 102篇张玉明
  • 101篇汤晓燕
  • 101篇宋庆文
  • 43篇何艳静
  • 20篇郭辉
  • 20篇张艺蒙
  • 17篇韩超
  • 16篇胡彦飞
  • 11篇弓小武
  • 6篇陈利利
  • 6篇王栋
  • 2篇元磊
  • 2篇王悦湖
  • 2篇张文博
  • 2篇贾仁需
  • 1篇王岩
  • 1篇姜超颖
  • 1篇张春福
  • 1篇李家贵

年份

  • 29篇2024
  • 21篇2023
  • 34篇2022
  • 11篇2021
  • 15篇2020
  • 11篇2019
  • 4篇2017
  • 2篇2014
  • 1篇2013
共 128 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种以石墨烯为扩散阻挡层的SiC基欧姆接触制备方法
本发明公开了一种以石墨烯为扩散阻挡层的SiC基欧姆接触制备方法，包括：选取SiC衬底；对SiC衬底的背面进行预设深度的N离子注入；在SiC衬底的正面形成石墨烯/SiC结构；在石墨烯/SiC结构的石墨烯上淀积Au膜；在Si...
胡彦飞纪宇婷郭辉梁佳博何艳静袁昊王雨田
文献传递
一种抗单粒子的SiC UMOSFET器件
本发明涉及一种抗单粒子的SiC UMOSFET器件，包括：衬底；漏极设置在衬底下方；N‑漂移区位于衬底上方；第一P+区位于N‑漂移区的内部；第二P+区位于N‑漂移区的内部；P型基区设置在N‑漂移区的内部，位于第一P+区与...
汤晓燕张男宋庆文袁昊陶静雯张玉明
一种结型势垒肖特基二极管
本发明涉及一种结型势垒肖特基二极管，包括从下至上依次设置的底层金属层、N+衬底层和N‑外延层，其中，N‑外延层上设置有隔离介质层和顶层金属层，隔离介质层环绕在N‑外延层上表面的四周，顶层金属层设置在N‑外延层和隔离介质层...
张玉明宋庆文汤晓燕袁昊张艺蒙范鑫
文献传递
一种新型异质结光电探测器及其制备方法
本发明公开了一种新型异质结光电探测器及其制备方法，由碳化硅、单层石墨烯、氧化镓和电极组成，所述单层石墨烯设置于所述碳化硅与所述氧化镓之间，所述电极为两个，两个所述电极均与所述单层石墨烯接触连接。与现有技术相比，本发明采用...
胡彦飞兰志超郭辉王雨田袁昊何艳静
低损耗4H-SiC结势垒肖特基二极管及其制备方法
本发明公开了一种低损耗4H‑SiC结势垒肖特基二极管，包括：衬底、叠加于衬底上的掺杂浓度自顶部至底部逐渐降低的4H‑SiC漂移层、叠加于4H‑SiC漂移层上的凸状阶梯沟道层、叠加于凸状阶梯沟道层的顶部表面的肖特基势垒调制...
袁昊魏俊楠宋庆文汤晓燕杜丰羽韩超周瑜
一种集成JBS二极管的SiC MOSFET元胞结构及器件版图
本发明公开了一种集成JBS二极管的SiC MOSFET元胞结构及器件版图，其中，每个元胞结构均包括一个半包围式VDMOS元胞和一个条形JBS二极管；JBS二极管位于VDMOS元胞的下方，且JBS二极管的长度等同于VDMO...
何艳静夏童童詹欣斌袁昊宋庆文汤晓燕弓小武张玉明
一种集成TJBS的碳化硅UMOSFET器件
本发明涉及一种集成TJBS的碳化硅UMOSFET器件，包括：N+衬底区、N‑外延区、P‑阱区、N+注入区、第一P+注入区、第二P+注入区、栅极，源极和漏极，其中，第二P+注入区与第一P+注入区间隔设置且深度一致，第一P+...
何艳静袁昊胡彦飞汤晓燕宋庆文张玉明
文献传递
一种L型垂直源极的碳化硅MOSFET器件及其制作方法
本发明公开了一种L型垂直源极的碳化硅MOSFET器件及其制作方法，包括：依次设置的N型衬底、N型外延层、P型阱区以及N型源极区；P型离子注入区，位于N型外延层以及P型阱区中；N型外延层、P型阱区、N型源极区以及P型离子注...
何艳静周圣钧汤晓燕袁昊宋庆文弓小武张玉明
一种基于BEV特征多模态融合的三维目标检测方法及系统
一种基于BEV特征多模态融合的三维目标检测方法及系统，步骤1，分别使用相机和雷达传感器获取采集的图像数据和三维点云数据，并进行预处理；步骤2，将步骤1中经过预处理后的图像数据和三维点云数据输入到特征提取网络中，分别进行特...
张文博袁昊关珍博崔翔宇杨星月
提高SiC MOSFET抗浪涌能力的半导体器件
本发明公开了一种提高SiC MOSFET抗浪涌能力的半导体器件，涉及碳化硅功率半导体领域，包括：第一元胞区，第一元胞区包括多个阵列排布的晶体管，晶体管包括体二极管；第一二极管区，至少部分围绕第一元胞区，第一二极管区包括多...
何艳静裴冰洁赖建锟袁昊宋庆文汤晓燕弓小武张玉明
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