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毛燕飞

作品数:5 被引量:3H指数:1
供职机构:东南大学更多>>
发文基金:浙江省自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信环境科学与工程化学工程更多>>

文献类型

  • 4篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 4篇电子电信
  • 1篇化学工程
  • 1篇环境科学与工...

主题

  • 4篇GHZ
  • 3篇谐波
  • 3篇次谐波
  • 2篇接收机
  • 2篇放大器
  • 2篇BICMOS...
  • 1篇带宽
  • 1篇低功耗
  • 1篇低噪
  • 1篇低噪声
  • 1篇低噪声放大器
  • 1篇增益
  • 1篇收发
  • 1篇收发机
  • 1篇太赫兹
  • 1篇炭制备
  • 1篇通信
  • 1篇频谱
  • 1篇频谱分析
  • 1篇中频放大器

机构

  • 5篇东南大学
  • 4篇浙江师范大学

作者

  • 5篇毛燕飞
  • 4篇鄂世举
  • 1篇颜素莉

传媒

  • 1篇红外
  • 1篇红外与毫米波...
  • 1篇微电子学
  • 1篇太赫兹科学与...

年份

  • 1篇2020
  • 3篇2019
  • 1篇2013
5 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
一种低功耗245 GHz次谐波接收机被引量:1
2019年
介绍了一种应用于气体频谱分析传感器的低功耗245 GHz次谐波接收机,该接收机具有低功耗、高线性度和高集成度的特点.该接收机由四级共基极低噪声放大器、二次次谐波无源反接并联二极管对(APDP)混频器、120GHz推推型压控振荡器-分频器链路、120 GHz功率放大器和中频放大器构成,采用了特征频率为300 GHz、最大振荡频率为500 GHz的锗硅BiCMOS工艺实现.该接收机芯片实现了10.6 dB的转换增益和13 GHz的带宽,噪声系数为20 dB,输入1dB压缩点仿真结果为-9 dBm,接收机如果不包括120 GHz压控振荡器-功率放大器链路功耗为99.6 mW,接收机包括120 GHz压控振荡器-功率放大器链路功耗为312 mW.
毛燕飞毛燕飞鄂世举SCHEYTT J.Christoph
关键词:低功耗中频放大器
220 GHz低噪声放大器研究被引量:2
2019年
基于IHP锗硅BiCMOS工艺,研究和实现了两种220 GHz低噪声放大器电路,并将其应用于220 GHz太赫兹无线高速通信收发机电路。一种是220 GHz四级单端共基极低噪声放大电路,每级电路采用了共基极(Common Base,CB)电路结构,利用传输线和金属-绝缘体-金属(Metal-Insulator-Metal,MIM)电容等无源电路元器件构成输入、输出和级间匹配网络。该低噪放电源的电压为1.8 V,功耗为25 mW,在220 GHz频点处实现了16 dB的增益,3 dB带宽达到了27 GHz。另一种是220 GHz四级共射共基差分低噪声放大电路,每级都采用共射共基的电路结构,放大器利用微带传输线和MIM电容构成每级的负载、Marchand-Balun、输入、输出和级间匹配网络等。该低噪放电源的电压为3 V,功耗为234 mW,在224 GHz频点实现了22 dB的增益,3 dB带宽超过6 GHz。这两个低噪声放大器可应用于220 GHz太赫兹无线高速通信收发机电路。
毛燕飞毛燕飞鄂世举SCHEYTT John Christoph
关键词:低噪声放大器GHZBICMOS工艺
磷酸活化法核桃壳活性炭制备及磷酸回收研究
毛燕飞
文献传递
245 GHz接收机芯片片外测试与实验
2020年
为了实现太赫兹气体频谱分析传感器,对245 GHz次谐波接收机芯片的片外测试展开研究。建立了245 GHz次谐波接收机片外测试系统以及基于245 GHz接收机芯片及发射机芯片的气体频谱分析传感器片外展示测试系统,对245 GHz次谐波接收机芯片转换增益和带宽进行测试。片外测试系统得到15 dB转换增益和15 GHz带宽;片外展示测试系统得到9 dB转换增益和16 GHz带宽。片外测试系统和片外展示测试系统结果基本吻合。在片外展示测试系统中加入气腔,即构成气体频谱分析传感器。与现有同类型传感器相比,本文的次谐波接收机具有高增益、高带宽、集成本地振荡信号、低功耗等优势,非常适用于消费电子领域小体积的智能气体频谱分析传感器。
毛燕飞毛燕飞鄂世举SCHEYTT J Christoph颜素莉
关键词:高增益高带宽
用于气体频谱分析传感器的245 GHz次谐波接收机
2019年
提出了一种用于气体频谱分析传感器的混频器优先的245 GHz次谐波接收机。该接收机具有高线性度、高带宽、低噪声系数、低功耗和高集成度的特点。该接收机由2次无源反接并联二极管对(APDP)次谐波混频器、120 GHz推推型压控振荡器-分频器链路和120 GHz功率放大器构成。采用特征频率/最大振荡频率为300 GHz/500 GHz的SiGe BiCMOS工艺进行实现。结果表明,该接收机芯片的转换增益为-16 dB,带宽为14 GHz,单边带噪声系数为19 dB,输入1 dB压缩点为0 dBm,功耗为213 mW。
毛燕飞毛燕飞鄂世举J.Christoph Scheytt
关键词:BICMOS工艺
共1页<1>
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