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闫兆文

作品数:9 被引量:4H指数:1
供职机构:兰州大学更多>>
发文基金:甘肃省自然科学基金甘肃省教育厅科研基金国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信理学更多>>

文献类型

  • 6篇专利
  • 3篇期刊文章

领域

  • 3篇电子电信
  • 2篇理学

主题

  • 5篇晶体管
  • 4篇半导体
  • 3篇多晶
  • 3篇多晶硅
  • 3篇有机半导体
  • 3篇有机半导体材...
  • 3篇有机场效应晶...
  • 3篇晶体
  • 3篇浮栅
  • 3篇半导体材料
  • 3篇场效应
  • 3篇场效应晶体管
  • 2篇电子能
  • 2篇电子能谱
  • 2篇压降
  • 2篇有源层
  • 2篇真空蒸镀
  • 2篇重掺杂
  • 2篇外延层
  • 2篇静电感应晶体...

机构

  • 9篇兰州大学
  • 3篇兰州文理学院

作者

  • 9篇闫兆文
  • 6篇杨建红
  • 6篇王娇
  • 5篇杨盼
  • 4篇肖彤
  • 3篇张福甲
  • 3篇张旭
  • 3篇张杰
  • 2篇周星宇
  • 1篇邵宇波

传媒

  • 2篇光谱学与光谱...
  • 1篇发光学报

年份

  • 1篇2018
  • 1篇2016
  • 6篇2015
  • 1篇2014
9 条 记 录,以下是 1-9
排序方式:
基于有机场效应晶体管的多晶硅浮栅存储器及其制备方法
本发明公开了基于有机场效应晶体管的多晶硅浮栅存储器及其制备方法,栅电极采用厚度为100~300nm重掺杂的低阻单晶硅衬底;形成于栅电极硅衬底表面的栅绝缘介质层;嵌于栅绝缘介质层与隧穿绝缘介质层之间的多晶硅浮栅,作为电荷存...
杨建红闫兆文肖彤谌文杰杨盼乔坚栗王娇
文献传递
苝四甲酸二酐的真空升华提纯及其光谱测试与分析被引量:4
2015年
纯度为9.75%的有机半导体材料苝四甲酸二酐(PTCDA),在其升华点进行了真空升华提纯,其纯度可达99.9%。利用质谱、红外光谱及X光电子能谱对这种高纯材料进行了测试并详细分析了其分子结构、化学键的形成、原子在晶格平衡位置的振动模式、电子的组态和原子的结合能的变化。由红外光谱分析得出,苝四甲酸二酐的分子结构是中央5个C构所组成的苝核基团及位于苝核两端的两个酸酐组成,它们主要以共价键结合。晶格上的C原子在其平衡位置主要以伸缩振动为主。其分子中有大量可以自由移动的π电子;分子间离域大π键的交叠决定了苝四甲酸二酐的导电性能。由XPS谱分析得出,高纯度的苝四甲酸二酐中有结合能不同的两种C原子,结合能分别为:285.3和288.7eV。它们对应于苝环及酸酐上的C原子。另外,有两种类型的O原子,即CO和C—O—C,其结合能分别为531.3和533.1eV。
张旭张杰闫兆文周星宇张福甲
关键词:质谱红外光谱X光电子能谱结合能
一种表面栅型静电感应晶体管
本发明涉及一种小功率的常关型表面栅型静电感应晶体管(SIT)及制造方法。本发明的晶体管由:漏极、位于漏极之上的N<Sup>+</Sup>低阻单晶的衬底、位于N<Sup>+</Sup>低阻单晶的衬底之上的N<Sup>-</...
杨建红王娇乔坚栗闫兆文谌文杰杨盼
文献传递
一种表面栅型静电感应晶体管
本实用新型涉及一种表面栅型静电感应晶体管(SIT)。本实用新型的晶体管由:漏极、位于漏极之上的N<Sup>+</Sup>低阻单晶的衬底、位于N<Sup>+</Sup>低阻单晶的衬底之上的N<Sup>-</Sup>高阻外延...
杨建红王娇乔坚栗闫兆文谌文杰杨盼
PTCDA/P-Si光电探测器欧姆接触层的XPS测试分析被引量:1
2014年
在光电探测器PTCDA/P-Si芯片的有机层表面,成功制作出了比接触电阻为4.5×10-5Ω·cm2的低阻欧姆接触层。利用X射线光电子能谱(XPS)对Al/Ni/ITO的欧姆接触层界面的电子状态进行了测试和分析。结果表明,ITO中的In3d及Sn3d各出现两个分裂能级的谱峰,它们是In和Sn原子处于氧化环境的结合能。Ni2p有两个谱峰Ni2p(1)及Ni2p(2),低结合能位置Ni2p(1)对应于Ni原子被X射线激发产生的谱峰,说明NiITO之间没有发生化学反应,Ni层阻止了Al层被氧化成Al2O3;高结合能Ni2p(2)谱峰说明已形成了Al3Ni冶金相,有利于低阻欧姆接触层的形成。
张旭张杰闫兆文周星宇张福甲
关键词:反应机理X射线光电子能谱
高纯度3,4,9,10 Perylenetetracarboxylic Dianhydride-PTCDA的元素分析及核磁共振谱和X射线衍射谱的测试与分析被引量:1
2016年
采用真空升华的方法,对国产纯度为98%的苝四甲酸二酐(简称PTCDA)粉末,在其升华点450℃进行了提纯。应用朗伯比尔定律及紫外-可见光分光光度计测试分析,其纯度可达99.8%;利用元素分析仪,对提纯前、后分子中的C元素和H元素含量进行了对比测定,结果表明提纯后的PTCDA分子中C和H含量十分接近理论值;采用核磁共振(NMR)谱,研究了分子中H元素的归属得出,处于两种不同化学环境中的H原子数目相等并且它位于芳环上,其分子中存在酸酐;对PTCDA分子的化学键的形成讨论后得出,高纯度PTCDA分子中的C,H,O原子主要以共价键结合;使用X射线衍射(XRD)仪,测试分析了这种有机材料的结晶状态及其晶体结构指出,提纯后的PTCDA多晶粉末存在α-PTCDA及β-PTCDA两种物相,主要成份为α-PTCDA,而β-PTCDA约占总成份的五分之一。其晶胞属于平面单斜晶系底心点阵结构。同时详细研究了在其升华点沉积在P型单晶Si(100)表面,由此形成薄膜的晶体状态及其晶粒度的尺寸和能带结构。高纯度α-PTCDA分子在P—Si单晶表面形成有机层单晶薄膜时,在其薄膜的分子层平面的上、下及其两侧,将由π电子云所覆盖。由于C,H和O原子最外层价电子轨道的交叠形成离域大π键,从而产生价电子的共有化运动,使其能级分裂为能带。它的价带与第一紧束缚带的能量差为2.2eV,使这种有机材料具有半导体导电的性质,本征载流子浓度为1014 cm-3,属于弱p型有机半导体材料;它与P—Si的交界面可形成同型异质结,对可见光至近红外波段的光有很好地响应。
张旭张杰闫兆文邵宇波张福甲
关键词:核磁共振谱X射线衍射谱分子结构
基于有机场效应晶体管的多晶硅浮栅存储器及其制备方法
本发明公开了基于有机场效应晶体管的多晶硅浮栅存储器及其制备方法,栅电极采用厚度为100~300nm重掺杂的低阻单晶硅衬底;形成于栅电极硅衬底表面的栅绝缘介质层;嵌于栅绝缘介质层与隧穿绝缘介质层之间的多晶硅浮栅,作为电荷存...
杨建红闫兆文肖彤谌文杰杨盼乔坚栗王娇
一种基于有机场效应晶体管的多晶硅浮栅存储器
本实用新型公开了一种基于有机场效应晶体管的多晶硅浮栅存储器,栅电极采用厚度为100~300nm重掺杂的低阻单晶硅衬底;形成于栅电极硅衬底表面的栅绝缘介质层;嵌于栅绝缘介质层与隧穿绝缘介质层之间的多晶硅浮栅,作为电荷存储单...
杨建红闫兆文肖彤谌文杰杨盼乔坚栗王娇
文献传递
一种静电感应器件的制备方法及装置
本发明公开了一种静电感应器件的制备方法及装置,涉及半导体器件制备,能够大大简化制备工艺程序,降低制备成本,更加适用于批量生产。技术方案要点为:将制备载体进行氧化处理;氧化后所述制备载体进行胶体附着;胶体附着后所述制备载体...
杨建红王娇乔坚栗闫兆文肖彤
文献传递
共1页<1>
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