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王瑞雪

作品数:61 被引量:340H指数:11
供职机构:中国科学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家重点实验室开放基金更多>>
相关领域:电气工程理学一般工业技术自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 31篇专利
  • 22篇期刊文章
  • 8篇会议论文

领域

  • 18篇电气工程
  • 13篇理学
  • 9篇一般工业技术
  • 5篇自动化与计算...
  • 4篇金属学及工艺
  • 1篇化学工程
  • 1篇机械工程
  • 1篇电子电信
  • 1篇航空宇航科学...
  • 1篇环境科学与工...
  • 1篇医药卫生

主题

  • 33篇等离子体
  • 16篇脉冲
  • 16篇放电
  • 14篇等离子体射流
  • 13篇纳秒
  • 13篇纳秒脉冲
  • 11篇电极
  • 8篇大气压
  • 7篇阻挡放电
  • 7篇放电等离子体
  • 6篇低温等离子体
  • 5篇电参数
  • 5篇电源
  • 5篇重复频率
  • 5篇介质
  • 5篇甲烷
  • 4篇等离子体处理
  • 4篇电荷
  • 4篇电荷积聚
  • 4篇电特性

机构

  • 61篇中国科学院
  • 9篇郑州大学
  • 9篇中国科学院大...
  • 7篇南京工业大学
  • 2篇中国石油化工...
  • 2篇华北电力大学
  • 2篇南京苏曼等离...
  • 1篇大连理工大学
  • 1篇福建农林大学
  • 1篇国家电网公司
  • 1篇北京航空航天...
  • 1篇武汉工程大学
  • 1篇国网吉林省电...

作者

  • 61篇王瑞雪
  • 53篇邵涛
  • 45篇章程
  • 22篇严萍
  • 13篇张帅
  • 12篇任成燕
  • 9篇高远
  • 6篇海彬
  • 5篇陈根永
  • 4篇牛宗涛
  • 4篇马云飞
  • 4篇李文耀
  • 3篇方志
  • 3篇沈苑
  • 2篇周珊
  • 2篇李璐
  • 2篇程显
  • 2篇顾建伟
  • 2篇高远
  • 2篇王金波

传媒

  • 7篇高电压技术
  • 7篇电工技术学报
  • 2篇物理学报
  • 2篇强激光与粒子...
  • 2篇中国电机工程...
  • 1篇绝缘材料
  • 1篇高压电器
  • 1篇中国电机工程...

年份

  • 1篇2024
  • 1篇2022
  • 1篇2021
  • 3篇2020
  • 6篇2019
  • 12篇2018
  • 10篇2017
  • 17篇2016
  • 10篇2015
61 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种微秒脉冲等离子体射流一体机装置及其使用方法
本发明公开了一种微秒脉冲等离子体射流一体机装置,包括微秒脉冲激励电源、等离子体射流装置和反应气体装置,微秒脉冲激励电源通过连接线内设置的高压线与等离子体射流装置的高压端连接,反应气体装置内的反应气体通过进气管进入微秒脉冲...
王瑞雪邵涛田思理邱锦涛方志万京林
文献传递
一种等离子体处理金属表面的实验装置及方法
本发明涉及一种等离子体处理金属表面的实验装置,包括:实验腔,所述实验腔两端分别通过法兰盘A和法兰盘B密封,所述法兰盘A设有进气口,所述法兰盘B设有出气口。所述实验腔顶部经过铜电极A连接高压纳秒脉冲电源阳极,所述实验腔底部...
邵涛周中升章程王瑞雪严萍
文献传递
微秒和纳秒脉冲激励下甲烷DBD电学特性研究被引量:7
2017年
利用等离子体技术可以裂解甲烷,产生C2烃和氢气等具有更高价值的物质。对等离子体放电参数优化以提高甲烷等离子体转化效率具有重要意义。文中基于同轴DBD反应装置,在自主研制的微秒和纳秒脉冲电源的激励下,改变电源参数和气体流速,研究了甲烷裂解过程中不同参数下初始击穿电压的变化规律、放电图像、Lissajous图形以及单脉冲内的能量和功率,为甲烷转化提供参考。实验结果表明,两台电源作用下气体初始击穿电压均随脉冲重复频率的增加而下降,但纳秒源作用时该趋势更明显;放电强度均随脉冲重复频率增加而加强,相同参数下,微秒源作用时放电更强;施加电压一定时,不同脉冲重复频率以及不同气体流速下Lissajous图形形状几乎一致,微秒源作用时的图形更接近典型的平行四边形;气体流速和脉冲重复频率相同时,两台电源单脉冲内放电能量与所加电压几乎成直线关系变化,气体流速和施加电压相同时,单脉冲内放电能量几乎不受脉冲重复频率的影响,但是纳秒源可以得到更高的瞬时功率。实验表明,脉冲电源可以作用于DBD反应器用于转化甲烷,纳秒源作用时系统的效率比微秒源更高。
张凯王瑞雪高远张帅邵涛严萍
关键词:甲烷DBD脉冲重复频率纳秒脉冲
等离子体射流快速改性促进表面电荷衰减被引量:29
2017年
随着高压直流输电迅猛发展,绝缘材料在直流电压下表面电荷积聚现象严重威胁直流输电系统的安全可靠运行。为加快绝缘材料表面电荷的消散,采用大气压等离子体射流,以TEOS为前驱物,在环氧树脂表面沉积SiO_x薄膜。对改性前后材料表面化学组成、表面电导率、表面电荷特性、表面陷阱分布以及耐压特性进行多参数测量,研究等离子体射流改性前后环氧树脂表面特性。实验结果表明:等离子体处理在环氧树脂表面引入大量以Si-O-Si及Si-OH基团为主的无机基团,且表面电导率提高2个数量级。随着改性时间的延长,表面电荷的初始积聚量减少,消散速度加快,陷阱能级深度变浅;沿面闪络电压呈现先增后降的趋势,在改性180s时闪络电压提高到最高值9.0k V。研究结果表明:通过大气压等离子体射流在聚合物表面沉积薄膜能够提高环氧树脂绝缘性能,为其工程应用提供了有效的改性方法。
林浩凡王瑞雪谢庆张帅邵涛
关键词:等离子体射流表面电荷环氧树脂闪络电压
利用大气压低温等离子体提高电容器储能密度的方法
本发明涉及一种利用大气压低温等离子体提高电容器储能密度的方法,包括:将待处理的电容器薄膜清洗、干燥;选定大气压低温等离子体产生设备,将所述电容器薄膜放置于大气压低温等离子体产生设备的等离子体产生区域;选定高压电源、前驱物...
邵涛王瑞雪林浩凡章程张帅
文献传递
大气压脉冲气体放电与等离子体应用被引量:190
2016年
脉冲放电等离子体及其应用是脉冲功率技术民用领域极具前景的发展方向之一。为了推动脉冲放电等离子体理论与应用技术的研究和发展,综述了近年来纳秒脉冲气体放电机理与典型脉冲等离子体特性和应用的研究进展。介绍了基于高能电子逃逸击穿的机理假说及相关测量技术的研究进展。分析了直接驱动型脉冲放电、脉冲介质阻挡放电和脉冲等离子体射流三种典型脉冲放电形式的国内外研究现状。以材料表面改性、主动流动控制、点火助燃和甲烷转化为代表介绍了脉冲等离子体应用研究进展。最后结合脉冲放电等离子体研究现状的分析,展望了大气压脉冲气体放电与放电等离子体应用的发展趋势。
邵涛章程王瑞雪严萍任成燕
关键词:纳秒脉冲气体放电脉冲等离子体逃逸电子放电特性等离子体应用
基于三电极表面介质阻挡放电的大气压等离子体发生装置
本发明涉及一种基于三电极表面介质阻挡放电的大气压等离子体发生装置。所述等离子体发生装置包括两个相对布置的竖直介质板和若干个均匀固定在两个竖直介质板上的放电单元,所述放电单元左、右对称布置且均分布在两个竖直介质板的外侧;高...
章程甘汶艳邵涛王瑞雪严萍
等离子体沉积类SiO_2薄膜抑制环氧树脂表面电荷积聚被引量:30
2017年
气体绝缘设备中的环氧树脂材料在直流高压下易积聚表面电荷,引发沿面闪络事故。为了抑制环氧树脂材料表面电荷的积聚,采用交流电源激励的滑动放电产生低温等离子体,并以正硅酸乙酯(TEOS)为反应前驱物在环氧树脂表面沉积类SiO_2薄膜,同时利用Fourier变换红外光谱仪(FTIR)、高阻表和表面电位测试系统等对沉积薄膜表面进行分析。实验结果表明:沉积时间超过5 s时,环氧树脂表面形成一层以Si—O—Si及Si—OH基团为主要组成的薄膜,其厚度可达219 nm;且水接触角显著降低,表面电导率及体积电导率可提升2个数量级,相对介电常数明显降低。表面电位3维分布图结果表明,沉积处理后环氧树脂的表面电荷初始积聚减少,且消散速度加快。这是因为环氧树脂表面沉积类SiO_2薄膜后使材料表面陷阱能级变浅,从而抑制了表面电荷的积聚。
海彬章程王瑞雪张帅陈根永邵涛
关键词:环氧树脂电导率
大气压下纳秒脉冲弥散放电对铜的表面处理被引量:8
2015年
纳秒脉冲弥散放电能够在大气压下产生高功率密度、高电子能量的低温等离子体。为了研究弥散放电等离子体在金属材料表面改性的作用,利用上升沿约150 ns、脉宽约300 ns的MPC-50D纳秒脉冲电源在大气压下(空气)管-板电极之间产生弥散放电,寻找最佳弥散放电参数,并对金属Cu表面进行了弥散处理。研究结果表明:随着重复频率的增加,弥散放电增强,瞬时功率增大,沉积能量增多。当施加电压为31 kV,重复频率为800 Hz,间隙距离为3 cm时,得到最佳的弥散放电效果。此外,采用发射光谱检测到空气中弥散放电中N2(C→B,0-0)的第二正带系和N2+(B→X,0-0)的第一负带系。采用大气压弥散放电等离子体对金属Cu表面处理的结果显示处理后的Cu表面出现孔径约0.5μm的熔孔;Cu的亲水性及表面能有明显提高,在处理90 s后趋于饱和。显微硬度测量结果表明,表层硬度在等离子体处理时间480 s后提高约26.5%。
章程周中升王瑞雪沈苑方志邵涛
关键词:纳秒脉冲低温等离子体表面改性发射光谱
一种微秒脉冲等离子体射流一体机装置及其使用方法
本发明公开了一种微秒脉冲等离子体射流一体机装置,包括微秒脉冲激励电源、等离子体射流装置和反应气体装置,微秒脉冲激励电源通过连接线内设置的高压线与等离子体射流装置的高压端连接,反应气体装置内的反应气体通过进气管进入微秒脉冲...
王瑞雪邵涛田思理邱锦涛方志万京林
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