您的位置: 专家智库 > >

李二亮

作品数:2 被引量:0H指数:0
供职机构:苏州大学城市轨道交通学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 2篇电路
  • 2篇存储器
  • 1篇读操作
  • 1篇随机存储器
  • 1篇随机存取
  • 1篇随机存取存储...
  • 1篇温度补偿
  • 1篇芯片
  • 1篇芯片设计
  • 1篇蒙特卡罗
  • 1篇静态随机存取...
  • 1篇集成电路
  • 1篇SRAM
  • 1篇CMOS工艺
  • 1篇补偿电路
  • 1篇存取
  • 1篇MIX

机构

  • 2篇苏州大学

作者

  • 2篇李二亮
  • 1篇张立军
  • 1篇李有忠
  • 1篇姜伟

传媒

  • 1篇电子设计工程

年份

  • 2篇2015
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
基于Mix-IS算法的SRAM设计及良率分析
SRAM是一种重要的存储器,具有速度快、功耗低、可靠性高等优点,被广泛应用于系统级芯片。随着CMOS工艺的不断进步,SRAM的性能不断提高的同时,其生产成本也在不断下降。然而,当工艺尺寸降低到100nm以后,工艺参数的随...
李二亮
关键词:集成电路随机存储器CMOS工艺芯片设计
文献传递
基于补偿电路的SRAM读操作跟踪电路设计
2015年
在传统静态随机存储器(SRAM)读操作跟踪电路中,生产工艺和温度的偏差会直接影响到对SRAM中存储数据的正确读取。因此,在本文中,我们采用工艺拐点补偿和温度补偿的方法,设计出了新型SRAM读操作跟踪电路。所设计跟踪电路,通过在不同工艺拐点和不同温度的情况下,对时序追踪字线DBL补偿不同大小的电流,从而减小灵敏放大器输入位线电压差对工艺拐点和温度的敏感度。有效减小了工艺拐点和温度对于SRAM读操作的影响,提高了SRAM的良率。基于SMIC 40nm CMOS工艺,对上述读操作跟踪电路进行了仿真,并且分别对补偿前后进行了10000次蒙特卡罗仿真与比较,仿真结果验证了所设计电路的可靠性和有效性。
李二亮张立军李有忠张其笑姜伟胡玉青
关键词:静态随机存取存储器温度补偿蒙特卡罗
共1页<1>
聚类工具0