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康晋锋

作品数：5 被引量：0H指数：0
供职机构：北京大学深圳研究生院更多>>

合作作者

文献类型

  • 5篇中文专利

主题

  • 5篇半导体
  • 4篇电路
  • 4篇集成电路
  • 4篇半导体集成
  • 4篇半导体集成电...
  • 4篇存储器
  • 2篇单管
  • 2篇动态随机存储...
  • 2篇随机存储器
  • 2篇铁电
  • 2篇铁电材料
  • 2篇阻挡层
  • 2篇非挥发性存储...
  • 2篇编程
  • 2篇编程方法
  • 2篇衬底
  • 2篇存储电荷
  • 1篇单晶
  • 1篇单晶硅
  • 1篇旋涂

机构

  • 5篇北京大学

作者

  • 5篇王新安
  • 5篇康晋锋
  • 5篇韩汝琦
  • 3篇张兴
  • 2篇杜刚
  • 2篇王阳元
  • 2篇杨竞峰
  • 2篇李惟芬
  • 1篇王漪
  • 1篇唐浩
  • 1篇刘力锋

年份

  • 1篇2008
  • 4篇2006
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
铁电动态随机存储器单管单元阵列的编程方法
本发明提供一种铁电动态随机存储器单管单元阵列的编程方法，属于半导体集成电路设计和制造技术领域。该方法在对选中单元进行编程操作的过程中，对非选中单元的字线、位线和源线都施加禁止编程电压，使实现单管单元阵列结构可加的编程电压...
康晋锋李惟芬刘晓彦杜刚韩汝琦王新安
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非挥发性存储器器件结构
本发明提供一种非挥发性存储器器件结构，属于半导体集成电路器件设计及制造技术领域。该结构包括位于衬底之上隧穿氧化层、位于隧穿氧化层之上的衬底阻挡层、位于衬底阻挡层之上的类浮栅电荷存储层、位于类浮栅电荷存储层之上的栅阻挡层以...
康晋锋杨竞峰刘晓彦张兴王新安韩汝琦王阳元
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非挥发性存储器器件结构
本发明提供一种非挥发性存储器器件结构，属于半导体集成电路器件设计及制造技术领域。该结构包括位于衬底之上隧穿氧化层、位于隧穿氧化层之上的衬底阻挡层、位于衬底阻挡层之上的陷阱电荷存储层、位于陷阱电荷存储层之上的栅阻挡层以及位...
康晋锋杨竞峰刘晓彦张兴王新安韩汝琦王阳元
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铁电动态随机存储器单管单元阵列的编程方法
本发明提供一种铁电动态随机存储器单管单元阵列的编程方法，属于半导体集成电路设计和制造技术领域。该方法在对选中单元进行编程操作的过程中，对非选中单元的字线、位线和源线都施加禁止编程电压，使实现单管单元阵列结构可加的编程电压...
康晋锋李惟芬刘晓彦杜刚韩汝琦王新安
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室温铁磁半导体Co掺杂的TiO<Sub>2</Sub>薄膜的制备方法
本发明提供一种室温铁磁半导体Co掺杂的TiO<Sub>2</Sub>薄膜的制备方法，属于新型半导体自旋电子器件制备领域。该方法首先采用溶胶—凝胶法制备Co掺杂TiO<Sub>2</Sub>溶胶，将溶胶旋涂在单晶硅衬底上形...
刘力锋康晋锋王漪唐浩张兴王新安韩汝琦
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