李祯
- 作品数：24 被引量：34H指数：4
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- 发文基金：北京市自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：化学工程电子电信一般工业技术理学更多>>
- 高性能透明镁铝尖晶石陶瓷的制备及应用
- 雷牧云宋庆海李祯黄存新沈德忠杨永良石景富葛世艳娄载亮赵艳民
- 高性能透明镁铝尖晶石陶瓷(以下简称TMAC)材料属于无机非金属材料领域中高技术陶瓷范畴。TMAC在紫外、可见光、红外波段具有优良的透过性能，主要应用在光电材料领域，作为窗口材料、透明防护材料和基片材料等。该项目从制备高纯...
- 关键词：
- 关键词：无机非金属材料
- 透明尖晶石陶瓷的高温性能和应用研究被引量：4
- 2009年
- 以高纯、超细的镁铝尖晶石粉末作为起始原料,采用真空热压烧结与热等静压法相结合制备透明尖晶石陶瓷材料(TMAC)。测试了TMAC材料的高温性能,并探讨其可能的应用。从室温到250℃,材料的抗弯强度没有发生明显的变化;从室温到900℃的热膨胀系数和电阻率测试结果表明该材料有良好的稳定性和电绝缘性能;经过从室温到1100℃的退火,TMAC的红外透过率和面形均未发生明显变化,表明材料有比较好的耐高温性能。
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- 关键词：透明陶瓷尖晶石高温性能
- MgAl_2O_4透明荧光陶瓷用于白光LED的初步研究被引量：4
- 2011年
- 简单介绍了白光发光二极管(LED)中与荧光转换材料和封装工艺相关的现状和存在问题,重点介绍了烁光特晶科技有限公司研制的新型铝酸镁荧光透明陶瓷材料。采用自制的铝酸镁粉体分别混合自制和市售的荧光粉制备了荧光透明陶瓷,对其加工并替代传统白光LED中的荧光粉层和环氧树脂封装外壳进行了封装测试。由于荧光转换物质在透明陶瓷中均匀分布,解决了传统工艺中荧光粉易沉降的问题,有利于出光的均匀性;陶瓷材料比树脂等有机材料热导率高,加快了散热;同时,荧光陶瓷机械强度高、耐腐蚀、耐磨损,可直接作为封装外壳,简化了封装工艺,可拓展LED的应用范围。
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- 关键词：透明陶瓷发光二极管封装材料
- 氧化钇透明陶瓷的烧结工艺研究
- 采用自制高性能氧化钇粉体,分别添加0.5w%w%无水氯化钙,0.5w%w%氟化锂作为助烧剂,真空热压烧结制成氧化钇陶瓷。采用XRD分析样品的物相组成;采用SEM观测YO透明陶瓷的晶粒形貌,尺寸及断口形貌;测试了抛光后样品...
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- 文献传递
- 非化学计量比镁铝尖晶石透明陶瓷的制备及性能被引量：6
- 2011年
- 制备了一系列非化学计量比镁铝尖晶石粉体及透明陶瓷(MgO.nAl2O3,n=1,1.5,2,4),研究了n值对粉体物相的影响以及n值与陶瓷中波红外透过率、抗弯强度的关系。n值为1.5、2、4时,MgO.nAl2O3粉体仍可保持纯尖晶石相。MgO.1.5Al2O3透明陶瓷在具备与计量比镁铝尖晶石透明陶瓷(MgAl2O4,即MgO.Al2O3)相当的优良中波红外透过率的同时,抗弯强度从152 MPa提高至215 MPa,提高幅度达41%。力学性能的提升有利于镁铝尖晶石透明陶瓷的应用。
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- 关键词：镁铝尖晶石透明陶瓷中波红外抗弯强度
- 透明尖晶石陶瓷的高温性能和应用研究
- 本文采用高纯、超细的尖晶石粉末作为起始原料,分别用真空热压烧结和真空烧结结合热等静压法制备各种形状的TMAC;测试了TMAC材料的高温性能。测试了TMAC从室温到250℃的抗弯强度,在此温度范
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- 文献传递
- 氧化钇透明陶瓷的烧结工艺研究
- 自制高性能氧化钇粉体，分别添加0.5％～3％(质量分数。下同)氟化锂，0.5％～3％无水氯化钙与氟化锂作为助烧剂，采用钢模压制成型，然后进行真空热压烧结，真空热压温度1300～1550℃。保温时间2h，然后再进行热等静压...
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- 关键词：红外材料透明陶瓷真空热压烧结
- 一种惰性气氛烧结镁铝尖晶石透明陶瓷的方法
- 本发明公开了一种惰性气氛烧结镁铝尖晶石透明陶瓷的方法,包括以下步骤：将镁铝尖晶石粉体加入LiF，常温常压下球磨，造粒，得到镁铝尖晶石球状粉体；将镁铝尖晶石球状粉体装入石墨模具，放入真空热压烧结炉中进行真空烧结，然后卸压降...
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- 文献传递
- 一种利用透明陶瓷制备LED的方法
- 本发明公开了一种利用透明陶瓷制备LED的方法，具体为：将设定量的荧光粉加入到透明陶瓷粉体中，荧光粉的掺入比例为0.01到100wt.％；将原料充分混合后，采用陶瓷制备工艺制备出荧光透明陶瓷；将制备出的荧光透明陶瓷和半导体...
- 雷牧云李祯赵艳民娄载亮杨永良宋庆海
- 文献传递
- K4体系KTP晶体的制备及其性能研究被引量：1
- 2011年
- 本文选用K4P2O7助溶剂体系生长KTP晶体,所生长的晶体具有低吸收率和蓝、绿光波段抗灰迹性能,确定其最佳生长配比为KTP/K4=0.8 mol/mol,测定其饱和点为850℃左右,从饱和点缓慢降温到820℃所生长晶体质量最佳,并对其进行了PCI抗灰迹吸收测试、倍频效率测试、电导率测试。结果表明:在同样原料纯度的情况下,吸收系数只有普通K6体系KTP晶体的十几分之一;1064 nm调Q到绿光的转化效率为61.8%(普通KTP转化效率为50%);在1 kV直流长时间加压条件下,Z向电导率达到10-10 S/cm量级,较普通K6体系生长的KTP晶体低2～3个数量级。
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