师瑞泽
- 作品数：9 被引量：1H指数：1
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- 一种具有抗灰迹性能KTP晶体的制备方法
- 本发明公开了一种具有抗灰迹性能KTP晶体的制备方法，具体为：1)将合成KTiOPO<Sub>4</Sub>晶体的原料KH<Sub>2</Sub>PO<Sub>4</Sub>和TiO<Sub>2</Sub>，合成K<Sub...
- 师瑞泽肖亚波葛世艳王国影高山虎尹利君王忠何庭秋
- 文献传递
- K4体系KTP晶体的制备及其性能研究被引量：1
- 2011年
- 本文选用K4P2O7助溶剂体系生长KTP晶体,所生长的晶体具有低吸收率和蓝、绿光波段抗灰迹性能,确定其最佳生长配比为KTP/K4=0.8 mol/mol,测定其饱和点为850℃左右,从饱和点缓慢降温到820℃所生长晶体质量最佳,并对其进行了PCI抗灰迹吸收测试、倍频效率测试、电导率测试。结果表明:在同样原料纯度的情况下,吸收系数只有普通K6体系KTP晶体的十几分之一;1064 nm调Q到绿光的转化效率为61.8%(普通KTP转化效率为50%);在1 kV直流长时间加压条件下,Z向电导率达到10-10 S/cm量级,较普通K6体系生长的KTP晶体低2～3个数量级。
- 葛世艳师瑞泽肖亚波李祯张杰姜秀丽王立弟
- 低电导率、抗灰迹Rb:KTP晶体及其制备方法
- 本发明公开了一种低电导率、抗灰迹Rb:KTP晶体，所述晶体的化学式为Rb<Sub>x</Sub>K<Sub>(1－x)</Sub>TiOPO<Sub>4</Sub>，0.01＜x＜0.1。本发明还公开了一种低电导率、抗灰...
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- 文献传递
- 抗灰迹Rb∶KTP晶体的生长及性能研究
- 2013年
- 本文采用K6P4O13(K6)作助熔剂来生长Rb∶KTP晶体,所生长的晶体具有电导率低,吸收系数稳定和好的抗灰迹性能等优点。本文按照生长比例KTP∶K6=1.345∶1(物质的量比),Rb离子浓度为取代溶液中K离子浓度的1.4 mol%左右来进行配料。测量了Rb∶KTP晶体中掺杂的Rb离子浓度为0.87 mol%,经过测试,晶体的电导率达到10-10S/cm。测试了晶体随时间延长的光能吸收,发现Rb∶KTP晶体的吸收系数比较稳定,并进行了晶体抗灰迹性能激光测试,发现Rb∶KTP晶体较普通KTP晶体具有很好的抗灰迹性能。
- 庞珍丽师瑞泽张杰肖亚波姜秀丽
- 关键词：磷酸钛氧钾
- 新型KTP晶体的产业化开发
- 胡永岚沈德忠黄朝恩尹利君师瑞泽何庭秋张邵峰肖亚波姜秀丽齐家宝
- 该项目采用顶部籽晶助熔剂剂法生长KTP单晶技术能够批量生产出低电导率、高激光损伤阈值的大尺寸单畴KTP单晶。创新点：设计出一种特殊的高温熔剂顶部籽晶法，籽晶只与熔体表面接触，晶体长成后，籽晶在晶体的外部，使长出的KTP晶...
- 关键词：
- 关键词：KTP基片
- 一种适于制作PPKTP器件的KTP晶体生长方法
- 本发明公开了一种适于制作PPKTP器件的KTP晶体生长方法，包括步骤：A)制作长X向片状籽晶：从可获得的X向最长的KTP原晶坯料中沿XZ平面切割籽晶片，在X向最长位置垂直于Z向加工一XY平面，然后在该XY平面沿X方向的中...
- 沈德忠黄朝恩师瑞泽胡永岚肖亚波王国影高山虎葛世艳苏贞珍尹利君王忠何庭秋
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- 一种具有抗灰迹性能KTP晶体的制备方法
- 本发明公开了一种具有抗灰迹性能KTP晶体的制备方法，具体为：1)将合成KTiOPO<Sub>4</Sub>晶体的原料KH<Sub>2</Sub>PO<Sub>4</Sub>和TiO<Sub>2</Sub>，合成K<Sub...
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- 一种适于制作PPKTP器件的KTP晶体生长方法
- 本发明公开了一种适于制作PPKTP器件的KTP晶体生长方法，包括步骤：A)制作长X向片状籽晶：从可获得的X向最长的KTP原晶坯料中沿XZ平面切割籽晶片，在X向最长位置垂直于Z向加工一YZ平面，然后在该YZ平面沿X方向的中...
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- 一种双晶电光开关组装系统、组装方法及双晶电光开关
- 本发明公开了一种双晶电光开关组装系统、组装方法及双晶电光开关，通过激光正交锥光干涉法进行开关组装，与现有的光点回原技术进行开关组装的方案相比，该方法中光束通过整个晶体面积产生干涉条纹，其十字中心的最亮和最暗是晶体中包含缺...
- 师瑞泽肖亚波王晓东张杰
- 文献传递
