张聪
- 作品数：8 被引量：1H指数：1
- 供职机构：济南市半导体元件实验所更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 两种增强肖特基二级管芯片稳定性的设计方法被引量：1
- 2016年
- 首先,介绍了肖特基二极管的基本原理和主要性能;然后,利用扩散势垒和多层金属化结构设计工艺对肖特基二极管进行了改进。结果表明,上述两种工艺能够使得肖特基势垒界面横向结构十分稳定,器件高温反向特性、低温正向特性得到提高,反向耐压与抗浪涌冲击能力大大增强,因而建议大力推广使用。
- 张聪李东华陈守迎
- 关键词：多层金属化高温性能可靠性
- 增强芯片可靠性的方法研究
- 2015年
- 研究了肖特基芯片势垒结构与参数性能的原理,结果表明利用扩散势垒和多层金属化结构设计工艺,使得肖特基势垒界面横向结构十分稳定,器件高温反向特性、低温正向特性得到提高,反向耐压与抗浪涌冲击能力大大增强。多层金属化结构利用几种金属各自的优点相互取长补短,提高了器件的抗热疲劳性能。在电极金属和硅化物层之间形成的扩散势垒可以有效阻止肖特基势垒高度ФB值及理想因子n值发生变化。
- 张聪陈守迎汤德勇
- 关键词：多层金属化高温性能可靠性
- 浅析高温Ti4H-SiC肖特基势垒二极管的特性
- 2014年
- SiC是新一代高温、高频、大功率和抗辐照半导体器件和集成电路的半导体材料,具有高击穿电场、高饱和电子漂移速率、高热导率及抗辐照能力强等一系列优点肖特基势垒二极管是实现各种SiC器件的基础,因此对SiC肖特基势垒二极管高温特性的研究具有十分重要的理论和实际意义。
- 陈守迎张聪汤德勇
- 关键词：碳化硅肖特基势垒二极管伏安特性
- 大电流玻封肖特基二极管及制作工艺
- 本发明公布了一种大电流玻封肖特基二极管以及该肖特基二极管的制作工艺，所述大电流玻封肖特基二极管包括玻壳、位于玻壳内部的芯片以及分别连接于玻壳上下两端的上引线和下引线，上引线的底端设有一个金属带面，金属带面与芯片上表面压力...
- 李东华张聪崔玉琦马捷韩希方
- 文献传递
- 大电流玻封肖特基二极管及制作工艺
- 本发明公布了一种大电流玻封肖特基二极管以及该肖特基二极管的制作工艺，所述大电流玻封肖特基二极管包括玻壳、位于玻壳内部的芯片以及分别连接于玻壳上下两端的上引线和下引线，上引线的底端设有一个金属带面，金属带面与芯片上表面压力...
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- 肖特基二极管芯片、器件及芯片复合势垒的制备方法
- 本发明公开了一种肖特基二极管芯片、器件及芯片复合势垒的制备方法，芯片包括N型硅半导体衬底，半导体衬底的正面设有NiPtSi势垒层，所述势垒层与半导体衬底直接接触，形成NiPtSi‑Si势垒。本发明方法简易、成本低、实用有...
- 陈守迎张聪董军单维刚杨晓亮沈中堂宋迎新
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