赵晓薇
- 作品数：3 被引量：13H指数：2
- 供职机构：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家攀登计划中国科学院知识创新工程重要方向项目更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 低压MOCVD ZnSeTe ZnSe多量子阱的制备及质量判别被引量：2
- 1997年
- 宽带ⅡⅥ族半导体如ＺｎＳｅ，ＺｎＴｅ等材料在室温有大的禁带宽度，成为蓝绿波段光电器件的主要候选材料，因而有关它们的研究备受瞩目。但对于ＺｎＳｅＴｅ三元化合物和ＺｎＳｅＴｅＺｎＳｅ多层结构的报道却很少见，而且其中大都采用分子束外延（ＭＢＥ）技术。本文首次报道用低压金属有机化学气相沉积（ＭＯＣＶＤ）制备的ＺｎＳｅＴｅＺｎＳｅ多量子阱。用Ｘ射线衍射、光致发光（ＰＬ）和受激发射实验检测该结构。使用低压ＭＯＣＶＤ装置，在（１００）ＧａＡｓ衬底上以用高纯氢气作载气的二甲基锌（ＤＭＺｎ）、二乙基碲（ＤＥＴｅ）和Ｈ２Ｓｅ源材料生长５０周期ｘ＝０．０７和ｘ＝０．１６的ＺｎＳｅ１ｘＴｅｘＺｎＳｅ多层结构。生长温度和压力分别是４５０℃和３８Ｔｏｒ。Ⅱ族源和Ⅵ族源分别从不同的管道进入反应室，Ⅱ／Ⅵ（Ｈ２）是０．８／１．２，经实验验证，在这个比值可以生长成均匀的薄膜。Ｘ射线衍射的测试采用Ｄ／ＭａｘｒＡ型旋转阳极衍射仪的Ｃｕ钯Ｋα特征谱线。Ｘ射线衍射谱出现四个明显可分辨的卫星峰，这些峰位于ＧａＡｓ衬底衍射峰左侧，主要峰值半宽度小于２０ａｒｃ／ｓｅｃ。多级卫星峰的出现和小的谱线宽度表明，样品已形成具有陡峭界面的周期性多量子阱结?
- 赵晓薇范希武张吉英杨宝均于广友申德振
- 关键词：化学气相沉积法多量子阱硒化锌碲化锌半导体
- Si衬底上ZnSe外延膜的低压MOCVD生长被引量：5
- 2002年
- 以硒化氢（H2Se）和二甲基锌为源材料,生长温度是300°C时,用低压金属有机化学气相沉积（LP-MOCVD）系统在Si（111）衬底上外延生长了ZnSe薄膜。通过X射线衍射（XRD）、扫描电子显微镜的能量色散（EDS）以及光致发光（PL）实验验证ZnSe外延膜的质量。在X射线衍射谱中只有一个强的ZnSe（111）面衍射峰,这说明外延膜是（111）取向的单晶薄膜。在能量色散谱中除了Si,Zn和Se原子外,没有观测到其他原子,说明ZnSe外延膜中杂质含量较少。ZnSe外延膜中Zn/Se原子比接近1,有较好的化学配比。在ZnSe外延膜的77K光致发光谱中没有观测到与深中心发射相关的发光峰,表明ZnSe外延膜的晶格缺陷密度较小。77K时的近带边发射峰447nm在室温时移至465nm附近。
- 赵晓薇范希武张吉英单崇新张振中羊亿吕有明刘益春申德振
- 关键词：SI衬底
- 温度对Si衬底上低压MOCVD外延生长ZnS薄膜质量的影响被引量：6
- 2000年
- 用低压 MOCVD系统在 ( 1 1 1 ) Si衬底上 ,用两步生长方法 (改变 / 流量比 )在 3 0 0～ 4 0 0℃时外延生长了 Zn S单晶薄膜。随着衬底温度的降低 ,Zn S薄膜结晶质量提高 ,并在 3 0 0℃生长时获得结晶完整性较好的( 1 1 1 ) Zn S单晶薄膜。文中讨论了衬底温度对薄膜质量的影响。
- 赵晓薇张吉英杨宝均范希武羊亿申德振
- 关键词：外延膜温度硅衬底硫化锌
