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李东华

作品数：38 被引量：4H指数：1
供职机构：济南市半导体元件实验所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 33篇专利
  • 5篇期刊文章

领域

  • 5篇电子电信

主题

  • 14篇二极管
  • 13篇封装
  • 11篇键合
  • 11篇高可靠
  • 8篇贴装
  • 8篇平行缝焊
  • 8篇封装工艺
  • 8篇表面贴装
  • 7篇超声键合
  • 6篇电流
  • 6篇肖特基
  • 5篇生产加工工艺
  • 5篇陶瓷
  • 5篇芯片
  • 5篇功率
  • 4篇电极
  • 4篇引线
  • 4篇塑封
  • 4篇金属
  • 4篇高压大功率

机构

  • 38篇济南市半导体...
  • 1篇山东大学

作者

  • 38篇李东华
  • 14篇马捷
  • 10篇杨旭东
  • 8篇刘贵庆
  • 8篇张宝财
  • 7篇侯杰
  • 5篇伊新兵
  • 4篇王爱敏
  • 3篇张聪
  • 3篇张礼
  • 3篇崔玉琦
  • 3篇张庆猛
  • 3篇王婷
  • 2篇侯秀萍
  • 2篇吕瑜
  • 2篇杜磊
  • 2篇崔同
  • 2篇赵杰
  • 1篇李惠军
  • 1篇李亚南

传媒

  • 1篇半导体技术
  • 1篇电子产品可靠...
  • 1篇电子技术与软...
  • 1篇中国科技期刊...
  • 1篇科学与信息化

年份

  • 1篇2024
  • 2篇2023
  • 2篇2022
  • 3篇2021
  • 5篇2019
  • 4篇2018
  • 8篇2017
  • 12篇2016
  • 1篇2011
共 38 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种玻璃陶瓷复合型绝缘子封装外壳及其制备方法
本发明公开了一种玻璃陶瓷复合型绝缘子封装外壳，包括金属底板、金属墙体、玻璃陶瓷复合型绝缘子、金属密封环、引出电极、焊接部位金属化层；本发明提供了一种玻璃陶瓷复合型绝缘子，兼具了玻璃绝缘子与陶瓷绝缘子的优点，通过合理地设计...
杨旭东李东华相裕兵王婷刘贵庆
高可靠超小金属陶瓷表面贴器件的封装工艺
本发明公开了一种高可靠超小金属陶瓷表面贴器件的封装工艺，所述封装工艺采用了深腔金基焊片共晶焊接工艺和深腔键合工艺，使用深腔金基焊片共晶焊接工艺将芯片焊接在管壳上，焊接剪切力大、热阻小，可靠性高，降低了器件的热阻和饱和压降...
赵志桓李东华张礼杜磊吕瑜
集成势垒夹断二极管的SGT功率MOS器件及加工工艺
本发明公开了一种集成势垒夹断二极管的SGT功率MOS器件及加工工艺，SGT功率MOS器件包括第一导电类型的漏极区和外延层，在外延层上设置开口向上的沟槽，在沟槽内上设置填充有第一多晶硅的厚氧化层，在第一多晶硅上方沟槽内设置...
孙德福邢仟强李东华
文献传递
功率VDMOSFET核心工艺参数的优化研究被引量：2
2011年
依据垂直双扩散场效应晶体管(VDMOSFET)的结构设计及参数要求,使用新一代Sentaurus系列TCAD工具对分立器件VDMOSFET进行分析。通过此工具可以对VDMOSFET的工艺结构级和半导体器件物理特性级进行可制造性设计及验证。本工作重点分析了能够影响功率VDMOSFET导通电阻、阈值电压等各种因素及其之间的关系,对沟道区、p+区和n+源区掺杂浓度,以及注入后的退火温度和时间等工艺参数进行优化设置。结果表明,通过使用Sentaurus系列TCAD工具对VDMOSFET器件进行模拟与分析所得出的参数能够达到IR公司的IRF140的设计水平。
赵志桓姜维宾韩希方张礼李惠军李东华
关键词：功率仿真工艺参数可制造性设计
一种金属钼材料的表面改性方法
本申请提供了一种金属钼材料的表面改性方法，包括以下依次进行的步骤：电解除油、化学除油、一次刻蚀处理、二次刻蚀处理、活化、电镀镍、热处理；本申请中金属钼材料与镀镍层的结合力强度好、镀镍层应力低、镀镍层厚度一致性好、镀镍层浸...
刘贵庆张振兴李东华相裕兵伊新兵杨旭东
文献传递
大电流玻封肖特基二极管及制作工艺
本发明公布了一种大电流玻封肖特基二极管以及该肖特基二极管的制作工艺，所述大电流玻封肖特基二极管包括玻壳、位于玻壳内部的芯片以及分别连接于玻壳上下两端的上引线和下引线，上引线的底端设有一个金属带面，金属带面与芯片上表面压力...
李东华张聪崔玉琦马捷韩希方
文献传递
一种玻璃陶瓷复合型绝缘子封装外壳及其制备方法
本发明公开了一种玻璃陶瓷复合型绝缘子封装外壳，包括金属底板、金属墙体、玻璃陶瓷复合型绝缘子、金属密封环、引出电极、焊接部位金属化层；本发明提供了一种玻璃陶瓷复合型绝缘子，兼具了玻璃绝缘子与陶瓷绝缘子的优点，通过合理地设计...
杨旭东李东华相裕兵王婷刘贵庆
文献传递
一种高压大功率碳化硅肖特基整流桥及其制备方法
本发明提供了一种高压大功率碳化硅肖特基整流桥及其制备方法，选用金属陶瓷外壳以适用于大功率高功耗的电路，选用高导热的无氧铜材料作为金属底板，内部选用高热导率的氮化铝陶瓷片作为电路载体，采用高温合金钎料焊接芯片，电连接采用高...
王迎春黄吉明薄霞徐姝丽赵晶高超李东华
高压大功率碳化硅二极管封装结构及封装工艺
本发明公开了一种高压大功率碳化硅二极管封装结构及封装工艺，二极管封装结构包括外壳、位于外壳内的一个或者多个串联在一起的芯片以及连接于外壳两端的引线，所述外壳是陶瓷外壳，芯片焊接于陶瓷外壳的内底面，芯片的两侧各设有一导带，...
许为新杨旭东李东华马捷
一种抗大电流冲击高可靠表面贴装的二极管及其制备方法
本发明公开了一种抗大电流冲击高可靠表面贴装的二极管及其制备方法，该二极管器件使用金属陶瓷外壳、芯片通过焊料烧结固定在外壳的烧结区、采用烧结方式用内引线焊片把芯片的电极与外壳的电极相连以及平行缝焊密封，克服了原有塑料封装器...
张宝财马捷李东华侯杰王爱敏
文献传递
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