宋琦
- 作品数：13 被引量：10H指数：2
- 供职机构：重庆邮电大学更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术文化科学更多>>
- 制造双极互补金属氧化半导体器件的方法及硅基多层结构
- 本发明公开了制造双极互补金属氧化半导体器件的硅基多层结构，所述硅基多层结构由下至上依次包括低掺杂单晶硅层、第一驰豫Si<Sub>1‑</Sub><Sub>y</Sub>Ge<Sub>y</Sub>层、Si<Sub>1‑x...
- 王冠宇苗乃丹于明道王巍袁军宋琦
- 一种绝缘体上硅锗衬底的异质结双极晶体管及其制造方法
- 本发明公开了一种绝缘体上硅锗衬底的异质结双极晶体管，包括低掺杂单晶硅衬底层及设置在所述低掺杂单晶硅衬底层上的基区、发射区及集电区，所述低掺杂单晶硅衬底层上与所述基区、发射区及集电区之间设置有二氧化硅绝缘层，所述发射区包括...
- 王冠宇于明道苗乃丹宋琦袁军王巍
- 文献传递
- 制造双极互补金属氧化半导体器件的方法及硅基多层结构
- 本发明公开了制造双极互补金属氧化半导体器件的硅基多层结构，所述硅基多层结构由下至上依次包括低掺杂单晶硅层、第一驰豫Si<Sub>1‑</Sub><Sub>y</Sub>Ge<Sub>y</Sub>层、Si<Sub>1‑x...
- 王冠宇苗乃丹于明道王巍袁军宋琦
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- 软件工程型人才培养体制下的《C++程序设计》课程“321”新模式被引量：4
- 2018年
- 随着软件工程型人才需求规模的增加,软件工程型人才的培养变得越来越重要。《C++程序设计》作为软件工程专业的核心课程,对软件工程型人才的培养起着至关重要的作用。该门课程以往的教学理念和教学方式,过于重理论轻实践,已无法满足软件工程型人才培养的需要。总结以往C++程序设计课程教学中存在的问题,以实践带动理论学习,提出C++程序设计课程教学的"321"教学新模式,经过实际教学验证,效果良好。
- 宋琦王冠宇张力生
- 关键词：C++程序设计教学模式
- 一种硅锗异质结光电晶体管及其制造方法
- 本发明涉及一种硅锗异质结光电晶体管及其制造方法，属于电子技术领域。在N型Si衬底上进行热氧化处理形成二氧化硅作为埋氧层；通过离子注入形成N+亚集电区和N‑集电区；通过氮化形成四氮化三硅牺牲保护层；在基极窗口所对应的集电区...
- 王冠宇魏进希孔森林凌鹏向盈聪宋琦王巍
- 一种采用组合发射区的异质结双极晶体管及其制造方法
- 本申请公开了一种采用组合发射区的异质结双极晶体管，包括单晶硅衬底层及设置在单晶硅衬底层上的集电区及基区，还包括设置在单晶硅衬底层上的组合发射区，组合发射区包括由下至上依次设置的重掺杂应变Si<Sub>1‑z</Sub>G...
- 王冠宇苗乃丹于明道宋琦周春宇王巍
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- 衬底施加单轴应力的硅锗异质结双极晶体管及其制造方法
- 本发明公开了衬底施加单轴应力的硅锗异质结双极晶体管，包括单晶Si衬底及设置在单晶Si衬底上的基区、发射区及集电区，单晶Si衬底上有两个凹槽，两个凹槽内填充有N型重掺杂的Si<Sub>1‑y</Sub>Ge<Sub>y</...
- 王冠宇于明道苗乃丹周春宇宋琦王巍袁军
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- 一种绝缘体上硅锗衬底的异质结双极晶体管及其制造方法
- 本发明公开了一种绝缘体上硅锗衬底的异质结双极晶体管，包括低掺杂单晶硅衬底层及设置在所述低掺杂单晶硅衬底层上的基区、发射区及集电区，所述低掺杂单晶硅衬底层上与所述基区、发射区及集电区之间设置有二氧化硅绝缘层，所述发射区包括...
- 王冠宇于明道苗乃丹宋琦袁军王巍
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- 一种高频硅锗异质结双极晶体管及其制造方法
- 本发明涉及一种高频硅锗异质结双极晶体管及其制造方法，属于电子技术领域。在单晶Si衬底上淀积埋氧化层；在基极窗口所对应的集电区的位置进行硼离子注入，并执行快速退火操作以消除晶格损伤；在集电区的一端刻蚀出凹槽形成STI隔离区...
- 王冠宇刘培培文剑豪周春宇魏进希宋琦王巍肖渝
- 文献传递
- DSP芯片在实时图像处理系统中的应用分析被引量：2
- 2015年
- 随着科学技术的快速发展,人们对图像的处理技术提出了更高的要求。由于数字信号处理器具有强大的系统性功能,凭借其自身的优势在图像处理领域得到了广泛应用。本文介绍了DSP芯片及其结构,对DSP芯片在实时图像处理系统中的应用进行了分析,希望对相关研究领域提供帮助。
- 宋琦
- 关键词：DSP芯片图像系统
