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宋琦

作品数：15 被引量：10H指数：2
供职机构：重庆邮电大学更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术文化科学更多>>

合作作者

文献类型

  • 11篇专利
  • 4篇期刊文章

领域

  • 6篇电子电信
  • 3篇自动化与计算...
  • 3篇文化科学

主题

  • 8篇晶体管
  • 8篇集电区
  • 6篇异质结
  • 6篇异质结双极晶...
  • 6篇双极晶体管
  • 6篇发射区
  • 3篇单晶
  • 3篇重掺杂
  • 3篇衬底
  • 2篇单晶硅
  • 2篇氧化物半导体
  • 2篇应变硅
  • 2篇双极
  • 2篇退火
  • 2篇金属氧化物半...
  • 2篇金属氧化物半...
  • 2篇空穴
  • 2篇教学
  • 2篇硅基
  • 2篇半导体

机构

  • 15篇重庆邮电大学

作者

  • 15篇宋琦
  • 9篇王巍
  • 5篇袁军
  • 2篇周渝陇
  • 2篇王冠宇
  • 1篇黄德玲
  • 1篇张力生
  • 1篇吴朝锋

传媒

  • 2篇现代计算机
  • 1篇创新创业理论...
  • 1篇电子技术与软...

年份

  • 2篇2024
  • 1篇2022
  • 2篇2021
  • 2篇2020
  • 2篇2019
  • 5篇2018
  • 1篇2015
共 15 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
制造双极互补金属氧化半导体器件的方法及硅基多层结构
本发明公开了制造双极互补金属氧化半导体器件的硅基多层结构，所述硅基多层结构由下至上依次包括低掺杂单晶硅层、第一驰豫Si<Sub>1‑</Sub><Sub>y</Sub>Ge<Sub>y</Sub>层、Si<Sub>1‑x...
王冠宇苗乃丹于明道王巍袁军宋琦
一种绝缘体上硅锗衬底的异质结双极晶体管及其制造方法
本发明公开了一种绝缘体上硅锗衬底的异质结双极晶体管，包括低掺杂单晶硅衬底层及设置在所述低掺杂单晶硅衬底层上的基区、发射区及集电区，所述低掺杂单晶硅衬底层上与所述基区、发射区及集电区之间设置有二氧化硅绝缘层，所述发射区包括...
王冠宇于明道苗乃丹宋琦袁军王巍
文献传递
一种用于无人航行器的数据链平稳切换方法
本发明属于无人航行器通信技术领域，涉及一种用于无人航行器的数据链平稳切换方法；包括：对所有数据链进行测试，得到通信质量较好的新链路；新建与通信质量较好的新链路的连接且保持原链路不断开，并在新链路和原链路均保持连接期间，采...
周渝陇刘鑫满宋琦吴挺
制造双极互补金属氧化半导体器件的方法及硅基多层结构
本发明公开了制造双极互补金属氧化半导体器件的硅基多层结构，所述硅基多层结构由下至上依次包括低掺杂单晶硅层、第一驰豫Si<Sub>1‑</Sub><Sub>y</Sub>Ge<Sub>y</Sub>层、Si<Sub>1‑x...
王冠宇苗乃丹于明道王巍袁军宋琦
文献传递
软件工程型人才培养体制下的《C++程序设计》课程“321”新模式被引量：4
2018年
随着软件工程型人才需求规模的增加,软件工程型人才的培养变得越来越重要。《C++程序设计》作为软件工程专业的核心课程,对软件工程型人才的培养起着至关重要的作用。该门课程以往的教学理念和教学方式,过于重理论轻实践,已无法满足软件工程型人才培养的需要。总结以往C++程序设计课程教学中存在的问题,以实践带动理论学习,提出C++程序设计课程教学的"321"教学新模式,经过实际教学验证,效果良好。
宋琦王冠宇张力生
关键词：C++程序设计教学模式
一种硅锗异质结光电晶体管及其制造方法
本发明涉及一种硅锗异质结光电晶体管及其制造方法，属于电子技术领域。在N型Si衬底上进行热氧化处理形成二氧化硅作为埋氧层；通过离子注入形成N+亚集电区和N‑集电区；通过氮化形成四氮化三硅牺牲保护层；在基极窗口所对应的集电区...
王冠宇魏进希孔森林凌鹏向盈聪宋琦王巍
一种采用组合发射区的异质结双极晶体管及其制造方法
本申请公开了一种采用组合发射区的异质结双极晶体管，包括单晶硅衬底层及设置在单晶硅衬底层上的集电区及基区，还包括设置在单晶硅衬底层上的组合发射区，组合发射区包括由下至上依次设置的重掺杂应变Si<Sub>1‑z</Sub>G...
王冠宇苗乃丹于明道宋琦周春宇王巍
文献传递
衬底施加单轴应力的硅锗异质结双极晶体管及其制造方法
本发明公开了衬底施加单轴应力的硅锗异质结双极晶体管，包括单晶Si衬底及设置在单晶Si衬底上的基区、发射区及集电区，单晶Si衬底上有两个凹槽，两个凹槽内填充有N型重掺杂的Si<Sub>1‑y</Sub>Ge<Sub>y</...
王冠宇于明道苗乃丹周春宇宋琦王巍袁军
文献传递
一种绝缘体上硅锗衬底的异质结双极晶体管及其制造方法
本发明公开了一种绝缘体上硅锗衬底的异质结双极晶体管，包括低掺杂单晶硅衬底层及设置在所述低掺杂单晶硅衬底层上的基区、发射区及集电区，所述低掺杂单晶硅衬底层上与所述基区、发射区及集电区之间设置有二氧化硅绝缘层，所述发射区包括...
王冠宇于明道苗乃丹宋琦袁军王巍
文献传递
一种高频硅锗异质结双极晶体管及其制造方法
本发明涉及一种高频硅锗异质结双极晶体管及其制造方法，属于电子技术领域。在单晶Si衬底上淀积埋氧化层；在基极窗口所对应的集电区的位置进行硼离子注入，并执行快速退火操作以消除晶格损伤；在集电区的一端刻蚀出凹槽形成STI隔离区...
王冠宇刘培培文剑豪周春宇魏进希宋琦王巍肖渝
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