李广立
- 作品数：6 被引量：5H指数：1
- 供职机构：西南交通大学材料科学与工程学院更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：化学工程一般工业技术理学电子电信更多>>
- 碱性条件下电沉积制备Cu_2O薄膜及其光电性能的研究被引量：1
- 2016年
- 采用硫酸铜-乳酸碱性溶液研究了溶液pH值对Cu2O薄膜形貌以及光电转化效率的影响。结果表明：溶液pH值对晶粒形貌影响显著。随着溶液pH的增加,Cu2O薄膜的光电转化效率升高。溶液pH=11时,获得的光电转化效率（η）最高为1.36%。
- 李广立范希梅
- 关键词：PH光电转化效率
- 氧化亚铜薄膜的制备及其光电性能研究
- 氧化亚铜(Cu2O)是一种非化学计量半导体，不同条件下制备的氧化亚铜可能为n型或p型半导体，它的禁带宽度约为2.1eV。在可见光范围内有较强的光吸收系数，其理论光电转换效率可以达到20％，因此其在新型薄膜电池材料的开发和...
- 李广立
- 关键词：光电性能
- Cu_2O薄膜的电化学沉积及其生长机理研究
- 2016年
- 采用酸性醋酸铜体系,使用透明的FTO导电玻璃进行恒电位沉积Cu_2O薄膜的实验,对Cu_2O的阴极电化学过程进行了细致的研究。使用X衍射射线与场发射电子显微镜对Cu_2O薄膜进行有效的扫描,分析出Cu_2O薄膜的微观结构与表面形貌。通过对电沉积时间的控制,细致的研究Cu_2O薄膜表面形貌发生的变化情况,最后,对Cu_2O的生长机理进行讨论。
- 李广立
- 关键词：电化学沉积
- 三乙醇胺含量对化学浴法制备硫化铜薄膜的影响被引量：1
- 2015年
- 为了研究三乙醇胺(TEA)在化学水域沉积法工艺中的作用,本文以氯化铜,硫脲,氨水和三乙醇胺为原料,采用化学浴沉积法在玻璃基底表面成功制备了硫化铜薄膜.研究了三乙醇胺不同含量对薄膜的厚度、结构,、形貌和光学性能的影响,并分析了反应机理.研究结果表明:三乙醇胺在反应中起到络合剂的作用,随着三乙醇胺含量的增加,反应诱导时间延长到23 min;沉积时间相同的情况下,组成薄膜的颗粒粒径变大且薄膜增厚240 nm,同时透射率呈现出减小的趋势.
- 范希梅张冯章李湘奇邬小凤范健黄瑶翰李广立
- 关键词：三乙醇胺络合剂
- 合成ZnO纳米阵列及刺突状CuO/ZnO异质结(英文)被引量：3
- 2015年
- 采用低温水热法在掺氟Sn O2(FTO)导电玻璃表面制备Zn O纳米阵列,研究了前驱体溶液浓度摩尔配比对Zn O纳米阵列形貌、光学性能及其生长机理的影响.研究发现,随着前驱体溶液浓度摩尔配比的增加,Zn O纳米阵列形貌及光学性能也随之变化.Zn O纳米阵列高度逐渐降低,Zn O纳米阵列直径和光学带隙值大体上出现先增大后降低的趋势.而当前驱体溶液(Zn(NO3)2:环六亚甲基四胺(HMT,C6H12N4))浓度摩尔配比为5:5时,其光学禁带值(3.2 e V)接近于理论值.结果显示制备Zn O纳米阵列的最优浓度摩尔配比为5:5.随后选用最优浓度摩尔配比下制备的Zn O纳米阵列为基底,通过一种两步溶液法成功在其表面制备刺突状Cu O/Zn O异质结.从场发射扫描电镜(FE-SEM)结果中可以清楚看见,大量的Cu O纳米粒子沉积在Zn O纳米阵列表面形成刺突状异质结结构.研究发现该Cu O/Zn O纳米异质结相对于纯Zn O纳米阵列在紫外光下光催化性能明显增加.最后,讨论了Cu O/Zn O纳米异质结光催化机理.
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- 关键词：ZN水热法光学性能
- 一种ZnO-CuInS<Sub>2</Sub>异质核壳结构纳米棒阵列的制备方法
- 一种ZnO-CuInS<Sub>2</Sub>异质核壳结构纳米棒阵列的制备方法，步骤是：将清洗后的FTO玻璃基板浸入乙酸锌乙醇溶液中，制备覆盖ZnO种子层的基底，并将其放入反应釜；将硝酸锌，六次甲基四胺，聚乙烯亚胺溶于水...
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- 文献传递
