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吕江平
作品数:
6
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供职机构:
中国兵器工业集团
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相关领域:
文化科学
电子电信
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合作作者
白涛
中国兵器工业集团
龙善丽
中国兵器工业集团
武凤芹
中国兵器工业集团
梁宛玉
中国兵器工业集团
贺克军
中国兵器工业集团
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机构
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作者
6篇
吕江平
4篇
龙善丽
4篇
白涛
2篇
刘庆飞
2篇
张瑾
2篇
唐兴刚
2篇
李秋利
2篇
贺克军
2篇
梁宛玉
2篇
武凤芹
年份
1篇
2016
3篇
2013
1篇
2012
1篇
2011
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一种用于电子倍增电荷耦合器件驱动的单片式集成方法
本发明公开了一种用于电子倍增电荷耦合器件驱动的单片式集成方法,对驱动EMCCD芯片的时序信号进行串行数据编码后再经过第一次解码识别电路进行二进制码转换,并输出二进制编码到指令控制和执行电路编译出具体指令输出到存储器,存储...
刘庆飞
刘小淮
吕江平
李秋利
梁宛玉
文献传递
高阶温度补偿CMOS带隙基准电压源
<B>本发明公开一种高阶温度补偿</B> <B>CMOS</B> <B>带隙基准电压源,包括启动电路、带隙主体电路、反馈控制回路及输出电路,启动电路在电源上电时摆脱简并点的束缚而正常工作,带隙主体电路产生一带正温度系数电...
白涛
张瑾
龙善丽
吕江平
武凤芹
张紫乾
一种用于电子倍增电荷耦合器件驱动的单片式集成方法
本发明公开了一种用于电子倍增电荷耦合器件驱动的单片式集成方法,对驱动EMCCD芯片的时序信号进行串行数据编码后再经过第一次解码识别电路进行二进制码转换,并输出二进制编码到指令控制和执行电路编译出具体指令输出到存储器,存储...
刘庆飞
刘小淮
吕江平
李秋利
梁宛玉
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一种基于CMOS工艺实现的全硅时钟发生器
本发明涉及一种基于CMOS工艺实现的全硅时钟发生器,其包括输出端相依次连接的温度补偿电流源、工艺补偿电路、V-I转换电路、环路振荡电路和整形电路,温度稳定电流源用以提供进行温度补偿后的电流;工艺补偿电路用于提供减少CMO...
龙善丽
唐兴刚
贺克军
张紫乾
吕江平
白涛
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一种基于CMOS工艺实现的全硅时钟发生器
本发明涉及一种基于CMOS工艺实现的全硅时钟发生器,其包括输出端相依次连接的温度补偿电流源、工艺补偿电路、V-I转换电路、环路振荡电路和整形电路,温度稳定电流源用以提供进行温度补偿后的电流;工艺补偿电路用于提供减少CMO...
龙善丽
唐兴刚
贺克军
张紫乾
吕江平
白涛
高阶温度补偿CMOS带隙基准电压源
<B>本发明公开一种高阶温度补偿</B> <B>CMOS</B> <B>带隙基准电压源,包括启动电路、带隙主体电路、反馈控制回路及输出电路,启动电路在电源上电时摆脱简并点的束缚而正常工作,带隙主体电路产生一带正温度系数电...
白涛
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