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宋爱民

作品数:7 被引量:1H指数:1
供职机构:曼彻斯特大学更多>>
相关领域:电子电信电气工程更多>>

文献类型

  • 3篇专利
  • 2篇期刊文章
  • 2篇会议论文

领域

  • 4篇电子电信
  • 1篇电气工程

主题

  • 4篇纳米
  • 2篇电势
  • 2篇势垒
  • 2篇阈值电压
  • 2篇肖特基
  • 2篇肖特基势垒
  • 2篇灵敏度
  • 2篇蒙特卡罗
  • 2篇蒙特卡罗模拟
  • 2篇敏度
  • 2篇晶体管
  • 2篇开关
  • 2篇开关器件
  • 2篇基源
  • 2篇薄膜晶体
  • 2篇薄膜晶体管
  • 2篇RATCHE...
  • 1篇单位面积
  • 1篇电解质
  • 1篇电容

机构

  • 7篇曼彻斯特大学
  • 4篇华南师范大学
  • 4篇中山大学

作者

  • 7篇宋爱民
  • 4篇许坤远
  • 4篇王钢

传媒

  • 2篇半导体技术

年份

  • 1篇2021
  • 1篇2020
  • 1篇2019
  • 4篇2008
7 条 记 录,以下是 1-7
排序方式:
平面纳米自开关器件灵敏度的研究
运用二维系宗蒙特卡罗方法,模拟了平面纳米自开关器件的工作特性。结果表明,平面纳米自开关器件在加正向电压时是导通的,加负电压时是关闭的。但是在负偏压情况下并不是完全没有电流通过而是存在一不随电压变化的恒定漏电流。这使得电流...
许坤远王钢宋爱民
关键词:蒙特卡罗纳米灵敏度
文献传递
用于生产溅射的氧化硅电解质的方法
本发明的实施方式提供一种溅射的氧化硅电解质及用于生产其的方法,其中工作气体的预定压力及每目标单位面积的功率密度中的一种或多种经控制以使得溅射的氧化硅电解质具有无定形结构、0.5至2.0g/cm<Sup>3</Sup>之间...
宋爱民马嚣尘
文献传递
平面纳米自开关器件灵敏度的研究被引量:1
2008年
运用二维系宗蒙特卡罗方法,模拟了平面纳米自开关器件的工作特性。结果表明,平面纳米自开关器件在加正向电压时是导通的,加负电压时是关闭的。但是在负偏压情况下并不是完全没有电流通过而是存在一不随电压变化的恒定漏电流。这使得电流电压关系曲线在零电压附近具有很强的非线性特性,因此可以把该器件运用于电磁波探测。通过多项式拟合方法获得了电流电压关系曲线的解析表达式,从而求得该器件的灵敏度。进一步分析表明通过改变表面态密度能够改变漏电流的大小,而小的漏电流有利于获得高的灵敏度。
许坤远王钢宋爱民
关键词:蒙特卡罗纳米灵敏度
基于Ratchet效应的平面纳米二极管
2008年
采用二维系综蒙特卡罗方法对平面纳米结构的电响应特性进行了详细地研究。计算结果表明纳米结构加工过程所带来的表面电荷能够用来改变纳米沟道中的电场分布,从而使得纳米沟道中的电势分布呈现出空间不对称。由于Ratchet效应,此时通过纳米沟道的电子输运将体现出方向性,这使得该器件具有类似于二极管的电流电压特性曲线。通过优化结构,还可以获得开启电压为零的器件。由于该器件为纳米量级,因此具有很快的响应速度。模拟结果表明在亚太赫兹波段,该器件有不为零的整流信号输出。
许坤远王钢宋爱民
关键词:蒙特卡罗模拟纳米电势阈值电压
器件与方法
本发明描述了一种肖特基势垒薄膜晶体管。这种肖特基势垒薄膜晶体管包含了在氧化物半导体上的肖特基源极接触电极。这种肖特基势垒薄膜晶体管拥有至少500的本征增益。本发明还描述了一种在氧化物半导体沟道上形成肖特基源极接触电极的肖...
宋爱民张嘉炜约书亚·威尔逊
文献传递
基于Ratchet效应的平面纳米二极管
采用二维系综蒙特卡罗方法对平面纳米结构的电响应特性进行了详细地研究。计算结果表明纳米结构加工过程所带来的表面电荷能够用来改变纳米沟道中的电场分布,从而使得纳米沟道中的电势分布呈现出空间不对称。由于Ratchet效应,此时...
许坤远王钢宋爱民
关键词:蒙特卡罗模拟纳米电势阈值电压
文献传递
肖特基势垒薄膜晶体管及其制造方法
装置和方法描述了一种肖特基势垒薄膜晶体管(SBTFT)200A。所述SBTFT 200A包括栅极触点(110)、栅极绝缘体层(120)、肖特基源极触点(150)以及与所述源极触点(150)接触的传导氧化物漏极触点(140...
宋爱民张嘉炜J·威尔逊
文献传递
共1页<1>
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