- 采用多次离子注入调整亚微米CMOS电路的阈电压
- 1993年
- 采用多次离子注入来调整亚微米CMOS的NMOS和PMOS管的阈值电压是研究亚微米CMOS电路的关键.浅离子注入调节表面掺杂浓度以达到调整阈值电压的目的.深离子注入调整源漏穿通电压.与LDD、硅化物工艺相合,已研制出0.5μm的CMOS 27级环振电路,门延迟为130ps.
- 章定康余山孙有民黄敞
- 关键词：CMOS亚微米离子注入阈值电压
- 亚微米光刻与刻蚀工艺研究被引量：4
- 1994年
- 采用三层胶光刻工艺及以ＳＦ＿６＋Ａｒ为反应气体的反应离子刻蚀工艺，实现了小于０．５０μｍ的图形转移，并将此微细加工工艺应用于０．５０μｍＣＭＯＳ集成电路的制做。
- 余山章定康黄敞
- 关键词：微电子技术光刻刻蚀
- 反应离子刻蚀(RIE)Si_3N_4的研究被引量：1
- 1991年
- 反应离子刻蚀工艺是微细加工的普遍工艺,用开制做各种集成电路。本文对用CF_4+O_2为反应气体RIE Si_3N_4进行了研究,取得了较好的结果。
- 余山章定康黄敝
- 关键词：微细加工离子刻蚀SIN
- 反应离子刻蚀多晶硅及其在集成电路中的应用
- 1992年
- 本文对以SF_6+A_r为反应气体的反应离子刻蚀(RIE)多晶硅工艺进行了研究。研究表明,SF_6+ArRIE多晶硅具有良好的各向异性、选择性以及较高的刻蚀速度,得到了0.40μm的多晶硅条,并且成功地应用于0.5～1.0μm CMOS集成电路的制作中。
- 余山章定康黄敞
- 关键词：多晶硅集成电路离子刻蚀
- 0.8μm CMOS LDD器件可靠性实验和分析
- 1994年
- 针对实验中发现的亚微米LDD结构的特殊的衬底电流现象和退化现象,进行了二维器件数值模拟,解释了LDD器件退化的原因,最后提出了LDD器件的优化工艺条件。
- 余山章定康黄敞
- 关键词：可靠性LDD结构电子器件
- 亚微米自对准硅化钛MOSFET工艺研究
- 周熙余山章定康
- 关键词：自对准MOS集成电路MOS场效应晶体管半导体工艺
- 用于亚微米CMOS的自对准硅化钛工艺
- 1993年
- 本文研究了用溅射钛和快速退火法与硅反应形成硅化钛的工艺,二氧化硅侧墙轻掺杂漏结构的CMOS工艺加上该工艺后,器件的阈值电压、源漏击穿电压没有明显变化,但使CMOS的栅电阻降低一个数量级,源漏串联电阻为原来的1/4。肌此工艺已研制成功3μm NMOS 12位乘法器,比没有硅化物的器件速度提高一倍。
- 章定康余山孙有民黄敞
- 关键词：自对准硅化钛溅射亚微米CMOS
- 反应离子刻蚀(RIE)Si＃-[3]N＃-[4]的研究
- 余山章定康黄敞
- 关键词：离子束加工集成电路
- 亚微米CMOS阈值电压控制研究
- 1994年
- 由于亚微米器件的短沟道效应，引起器件的阈值电压下降。本文的研究表明，对器件的沟道采取多次杂质注入掺杂技术，可有效地克服短沟道效应与热载流子效应，即使在沟道长度为０．５μｍ时，器件仍显示出良好的。
- 余山章定康黄敞
- 关键词：亚微米器件阈值电压
- 亚微米高速压控振荡器(VCO)的工艺研究
- 余山章定康黄敞
- 关键词：压控振荡器容错计算机互补MOS集成电路自对准MOS集成电路集成电路工艺
