徐大林
- 作品数：2 被引量：0H指数：0
- 供职机构：陕西微电子学研究所更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 重掺多晶氧化法LDD-CMOS高性能电路的优化设计与研制
- 1990年
- 对重掺多晶氧化法(HDPO)应用于LDD IC中的工艺条件进行了优化,并实现了HDPO-LDD电路.研究了HDPO-LDD器件的性能和热载流子效应,同时对器件进行计算机模拟,对HDPO-LDD进行优化设计,获得了优化参数.综合优化设计的工艺条件和参数,成功地应用于亚微米NMOSFET,1μm沟道长的CMOS CD4007电路,2μm沟道长的CMOS 21级环振和2.5μm沟道长的LSI CMOS IC,性能优良,高速,稳定,可靠.
- 徐大林李荫波王方黄敞
- 关键词：电路设计
- 反应离子刻蚀用于实现VLSI的多晶侧壁LDD MOSFET工艺优化研究
- 1990年
- 本文提出了采用多晶侧壁(PSSWS:Poly-Silicon Side-Wall Spacer)实现LDD MOSFET.研究了反应离子刻蚀(RIE)多晶硅的速率、各向异性性,对SiO_2、负胶的选择比,以及刻蚀的均匀性、过腐蚀度、负载效应等与刻蚀条件(包括气体、气体组分、流量、压力、射频功率、温度等)的关系.在此基础上,结合LDD MOSFET对侧壁宽度、可控性及重复性的要求,对反应离子刻蚀法实现PSSWS-LDD进行优化,获得了优化工艺条件.
- 徐大林王方李荫波彭忠献黄敞
- 关键词：离子刻蚀VLSILDDMOSFET
