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张旭杰

作品数：2 被引量：0H指数：0
供职机构：西安电子科技大学更多>>
发文基金：中央高校基本科研业务费专项资金高等学校科技创新工程重大项目国家自然科学基金更多>>
相关领域：理学电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 2篇淀积
  • 2篇原子层淀积
  • 1篇电特性
  • 1篇栅介质
  • 1篇退火
  • 1篇退火温度
  • 1篇前驱体
  • 1篇温度
  • 1篇经时击穿
  • 1篇ND
  • 1篇ND2O3

机构

  • 2篇西安电子科技...

作者

  • 2篇张旭杰
  • 1篇樊继斌
  • 1篇范小娇
  • 1篇刘红侠

传媒

  • 1篇物理学报

年份

  • 2篇2013
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
高κ栅介质NdAlO/_3经时击穿特性研究
随着半导体工业的发展，晶体管的尺寸不断减小，二氧化硅层的厚度将减至2nm以下，仅有几个原子层的厚度。传统的二氧化硅面临诸多严峻挑战，如栅极泄漏电流增大、击穿电压减小等等。为了满足CMOS技术的需要，人们开始采用高介电常数...
张旭杰
关键词：原子层淀积经时击穿
文献传递
前驱体和退火温度对Nd_2O_3薄膜组分影响的定量研究
2013年
采用Nd(thd)3和O3作为反应前驱体,利用先进的原子层淀积方法在P型硅(100)衬底上制备了超薄Nd2O3介质膜,并在N2气氛下进行了退火处理.采用X射线光电子能谱仪对薄膜样品组分进行分析.研究结果表明,淀积过程中将前驱体温度从175℃提高到185℃后,薄膜的质量得到提高,O/Nd原子比达到1.82,更接近理想的化学计量比,介电常数也从6.85升高到10.32.
张旭杰刘红侠范小娇樊继斌
关键词：原子层淀积ND2O3
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