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张旭杰
作品数:
2
被引量:0
H指数:0
供职机构:
西安电子科技大学
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发文基金:
中央高校基本科研业务费专项资金
高等学校科技创新工程重大项目
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相关领域:
理学
电子电信
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合作作者
刘红侠
西安电子科技大学微电子学院宽禁...
范小娇
西安电子科技大学微电子学院宽禁...
樊继斌
西安电子科技大学微电子学院宽禁...
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作者
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张旭杰
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范小娇
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刘红侠
传媒
1篇
物理学报
年份
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2013
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高κ栅介质NdAlO/_3经时击穿特性研究
随着半导体工业的发展,晶体管的尺寸不断减小,二氧化硅层的厚度将减至2nm以下,仅有几个原子层的厚度。传统的二氧化硅面临诸多严峻挑战,如栅极泄漏电流增大、击穿电压减小等等。为了满足CMOS技术的需要,人们开始采用高介电常数...
张旭杰
关键词:
原子层淀积
经时击穿
文献传递
前驱体和退火温度对Nd_2O_3薄膜组分影响的定量研究
2013年
采用Nd(thd)3和O3作为反应前驱体,利用先进的原子层淀积方法在P型硅(100)衬底上制备了超薄Nd2O3介质膜,并在N2气氛下进行了退火处理.采用X射线光电子能谱仪对薄膜样品组分进行分析.研究结果表明,淀积过程中将前驱体温度从175℃提高到185℃后,薄膜的质量得到提高,O/Nd原子比达到1.82,更接近理想的化学计量比,介电常数也从6.85升高到10.32.
张旭杰
刘红侠
范小娇
樊继斌
关键词:
原子层淀积
ND2O3
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