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任永一

作品数：1 被引量：0H指数：0
供职机构：机电部更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇砷化镓
  • 1篇碳掺杂
  • 1篇晶格
  • 1篇晶格失配
  • 1篇MOCVD生...
  • 1篇掺杂
  • 1篇GAAS

机构

  • 1篇机电部

作者

  • 1篇关兴国
  • 1篇章其麟
  • 1篇任永一
  • 1篇李景

传媒

  • 1篇半导体情报

年份

  • 1篇1993
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
MoCVD生长重掺碳GaAs
1993年
以四氧化碳(CCl_4)为掺杂剂进行了MOCVD生长掺碳GaAs的研究。p-GaAs外延层的最高空穴浓度可达1.8×10^(20)/cm^3,相应的迁移率为37cm^2/V.s。在重掺杂p-GaAs外延层中出现明显的能带收缩和晶格失配。
关兴国章其麟李景任永一刘燕飞
关键词：砷化镓碳掺杂
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共1页<1>
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