张新辉
- 作品数：7 被引量：19H指数：3
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- GaAs/Ge太阳电池质子辐照研究
- 本文介绍了对GaAs/Ge太阳电池进行质子辐射实验和实验设备,用不同能量的质子和不同辐射总量对GaAs/Ge太阳电池进行质子辐射实验的实验结果,并与单晶硅太阳电池的辐射情况进行对比。
- 张新辉王荣
- 关键词：GAAS/GE太阳电池质子辐照
- 文献传递
- 空间实用背场Si太阳电池和GaAs/Ge太阳电池性能随质子辐照注量变化的比较被引量：4
- 2002年
- 研究了空间实用背场 Si太阳电池和 Ga As/ Ge太阳电池性能随质子辐照注量 1× 10 9～ 5× 10 1 3cm- 2 的变化 .实验表明 ,两种太阳电池的电性能随辐照注量增加有不同的衰降趋势 .背场 Si太阳电池性能参数 Isc、Voc和 Pmax衰降变化快 ,辐照注量为 2× 10 1 0 cm- 2时 ,Pmax就已衰降为原值的 75 % ;而 Ga As/ Ge电池对应相同的衰降辐照注量达 8× 10 1 1 cm- 2 ,且其 Isc、 Voc和 Pmax衰降变化起初缓慢 ,当辐照注量接近 3× 10 1 2 cm- 2 时才迅速下降 .背场 Si电池和 Ga As/ Ge电池性能衰降分别与质子辐照引入的 Ev+0 .14 e V及 Ev+0 .4 3e V和 Ec- 0 .4 1e
- 王荣周宏余司戈丽姚淑德张新辉郭增良翟佐绪王勇刚朱升云
- 关键词：硅太阳电池质子辐照砷化镓
- 化学沉积CdS与Cd<,1-x>Zn<,x>S膜的工艺研究
- 对于ZnO/CIS薄膜太阳电池结构,需要在它们之间夹一层很薄的CdS或Cd<,1-x>Zn<,x>S薄膜(50nm左右)作为过渡层.采用化学水浴法制备CdS或Cd<,1-x>Zn<,x>S薄膜,经过XRD、扫描电镜和红外...
- 张新辉王荣
- 关键词：薄膜太阳电池
- 文献传递
- 质子辐照与电子辐照对空间GaAs/Ge太阳电池性能影响比较被引量：5
- 2006年
- 利用地面实验室加速器提供的离子束模拟空间质子、电子辐射,分别对空间实用GaAs/Ge太阳电池进行不同注量的辐照,并跟踪测试其电性能变化和深能级瞬态谱,研究这种太阳电池的电性能参数随质子、电子辐照注量的变化关系,得到质子、电子辐射效应及两者辐射效应的联系规律.结果表明:引起电池性能参数衰降相同时,1 MeV电子辐照注量比10 MeV质子的通常要大3个量级,质子辐照与电子辐照使电池性能参数Pmax下降了25%时,辐照注量有近似关系Φ1 MeV(e)≈2 500×Φ10 MeV(p).10 MeV,3×1012cm-2质子辐照在电池材料中引入Ec-0.18 eV和Ec-0.65 eV深能级,1 MeV,1×1015cm-2电子辐照在电池材料中引入Ec-0.12 eV和Ec-0.18 eV深能级,电子、质子辐照产生的损伤缺陷不尽相同.
- 孙旭芳王荣刘运宏郭增良张新辉
- 关键词：GAAS/GE太阳电池质子辐照电子辐照
- 5～20 MeV高能质子辐照对空间实用GaAs/Ge太阳电池性能的影响被引量：2
- 2002年
- 用能量为 5～ 2 0MeV ,注量为 1× 10 9～ 7× 10 13 cm- 2 的高能质子对空间实用GaAs/Ge太阳电池进行辐照 ,得到了其性能随质子能量和注量的变化关系 ,并对变化关系进行了能损模拟分析 .结果表明 :注量低于 1× 10 9cm- 2 的质子辐照不会引起太阳电池性能的变化 ;当注量增加为3× 10 12 cm- 2 时 ,5 ,10 ,2 0MeV质子辐照引起的太阳电池性能参数Isc的衰降变化分别是原值的80 % ,86 % ,90 % ;Voc的衰降变化分别为原值的 82 % ,85 % ,88% ;Pmax的衰降变化分别为原值的6 0 % ,6 4 % ,6 7% .当辐照注量为 5× 10 13 cm- 2 时 ,5 ,10 ,2 0MeV质子辐照引起的Pmax衰降变化分别为原值的 2 6 % ,30 % ,36 % .即随着注量的增加 ,太阳电池性能衰降增大 ;且相同注量的辐照 ,质子能量愈高 ,太阳电池性能衰降愈小 .
- 王荣司戈丽郭增良张新辉翟佐绪
- 关键词：GAAS/GE太阳电池质子辐照
- 国产空间实用太阳电池抗质子辐射性能研究被引量：3
- 2001年
- 研究了国产卫星用背场Ｓｉ太阳电池和ＧａＡｓ／Ｇｅ太阳电池性能随质子辐照注量１×１０９ －５ × １０１３ ｃｍ－２的变化．实验表明，２种太阳电池的电性能随辐照注量增加有不同的衰降趋势．背场 Ｓｉ太阳电池性能参数短路电流Ｉｓｃ和最大输出功率Ｐｍａｘ衰降变化快，辐照注量为２ × １０１０ｃｍ－２时， Ｐｍａｘ就已衰降为原值的７５％，而ＧａＡｓ／Ｇｅ太阳电池对应相同的衰降辐照注量达８×１０１１ｃｍ－２，且 Ｉｓｃ和Ｐｍａｘ衰降变化起初缓慢，当辐照注量接近３ × １０１２ ｃｍ－２时才迅速下降．背场Ｓｉ太阳电池性能 衰降与质子辐照引入的Ｅｖ＋０．１４ ｅＶ和Ｅｖ＋０．４３ ｅＶ深能级有关，而ＧａＡｓ／Ｇｅ太阳电池性能衰降 与辐照产生的Ｅｃ－０．４１ ｅＶ深能级有关．
- 王荣司戈丽张新辉郭增良翟佐绪
- 关键词：GAAS/GE太阳电池质子辐照砷化镓锗
- 空间实用GaAs/Ge太阳电池高能质子辐射效应研究被引量：6
- 2003年
- 用能量为5—20MeV,注量为1×109—7×1013 cm-2的高能质子对空间实用GaAs/Ge太阳电池进行辐照,得到了其性能随质子能量和注量的变化关系,并进行了微观机理的讨论。研究结果表明,注量低于1×109 cm-2的质子辐照不会引起太阳电池性能的变化; 注量高于1×109 cm-2辐照,会引起太阳电池性能的改变。当注量为3×1012 cm-2时,5、10、20 MeV质子辐照引起太阳电池性能参数Isc衰降变化分别是原值的80%、86%、90%;Voc衰降变化分别为原值的82%、85%、88%;Pmax衰降的变化分别为原值的60%、64%、67%。当辐照注量为5×1013 cm-2时,5、10、20 MeV质子辐照引起Pmax衰降的变化分别为原值的26%、30%、36%。即随着注量的增加,太阳电池性能衰降增大;且相同注量的辐照,质子能量愈高,太阳电池性能衰降愈小。这与质子在电池材料中的能量损失和辐照引入的深能级Ec-0.41eV有关。
- 王荣张新辉郭增良翟佐绪朱升云
- 关键词：GAAS/GE太阳电池质子辐照效应
