杜少博
- 作品数：8 被引量：22H指数：1
- 供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
- 相关领域：自动化与计算机技术机械工程航空宇航科学技术交通运输工程更多>>
- 硅岛膜结构的MEMS压力传感器及其制作方法
- 本发明公开了一种硅岛膜结构的MEMS压力传感器及其制作方法，涉及压力传感器技术领域。本发明采用单片SOI材料制备压力传感器，芯片尺寸可以做到毫米量级，与相同规格的硅杯型压力传感器相比，晶圆上的管芯数有一个数量级上的提高；...
- 杜少博何洪涛王伟忠杨拥军
- 硅岛膜结构的MEMS压力传感器及其制作方法
- 本发明公开了一种硅岛膜结构的MEMS压力传感器及其制作方法，涉及压力传感器技术领域。本发明采用单片SOI材料制备压力传感器，芯片尺寸可以做到毫米量级，与相同规格的硅杯型压力传感器相比，晶圆上的管芯数有一个数量级上的提高；...
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- 文献传递
- 航空用MEMS动态压力传感器研究
- 压阻效应,依据航空领域对压力传感器提出的性能要求,本文研制了一种量程为100KPa MEMS动态绝压压力传感器.对五种不同结构的压力传感器进行了仿真计算及对比分析,综合灵敏度、线性度、响应频率及制作工艺等方面的考虑，完成...
- 王伟忠杨拥军何洪涛杜少博
- 关键词：动态压力传感器压阻效应微机电系统
- 硅基三维电容及其制作方法
- 本发明提供一种硅基三维电容及其制作方法，其中制作方法包括在一硅衬底的表面制备一层介质掩膜层，并在介质掩膜层上刻蚀多个间隔排列的刻蚀微孔直至露出硅衬底；采用深硅刻蚀工艺，对多个间隔排列的刻蚀微孔进行刻蚀，以形成多个间隔排列...
- 杨志董春晖崔玉兴王敬轩韩孟序王川宝王帅王敏康建波解涛杨双龙王利芹商庆杰李亮张丹青丁现朋李庆伟张发智刘青林刘冠廷冯立东于峰涛宋红伟任永晓王国清杜少博
- 基于高温压力传感器的耐高温金属体系
- 2024年
- 从制约高温压力传感器发展的耐高温金属体系研究出发,采用钨/氮化钽/铂(W/TaN/Pt)作为金属布线的电传导层,开发出适用于500 ℃高温环境下稳定工作的金属薄膜,实现电信号稳定传输,有效避免相邻金属层之间相互扩散或合金导致的电性能失效。对500 ℃高温前后的压力传感器进行带电测试,并对非线性、迟滞性、灵敏度、重复性等8项指标做了测试对比,高温压力传感器性能稳定,各性能指标均满足使用要求,证明该金属体系的可行性。
- 杜少博何洪涛
- 关键词：高温压力传感器阻挡层
- 一种新型压力传感器结构制备工艺
- 2015年
- 提出一种使用MEMS双层掩膜完成自对准刻蚀的工艺方法,藉此实现了在深腔结构内部对高深宽比硅压力传感器结构的精细加工。该工艺通过两次连续的平面内光刻工艺,使制作在衬底上的薄膜材料如氧化硅(SiO2)或氮化硅(Si3N4)及光刻胶等形成复合图形,每层图形化后的掩膜可以进行不同功能区的衬底刻蚀,刻蚀完毕后再去除对应的掩膜。通过多层掩膜组合使用完成深腔内复杂结构的高精度加工。这种工艺方法解决了在深腔内部进行涂胶和光刻的技术难题,对准和光刻工艺都在同一平面内完成,提高了加工精度,解决了深腔内部带有岛结构的多层复杂结构压力传感器加工的技术瓶颈。在此工艺基础上设计加工的岛膜结构100 kPa绝对压力传感器芯片具有线性度好、灵敏度高的特点,样机经测试满量程内灵敏度达到了0.514 mV/(V·kPa),线性度达到0.12%,重复性达到0.04%。
- 何洪涛杜少博王伟忠
- 关键词：自对准
- 一种新型MEMS压阻式SiC高温压力传感器被引量：22
- 2015年
- 提出采用SiC材料来构造特殊环境下使用的MEMS压阻式高温压力传感器。分析了国际上特种高温压力传感器发展的主流趋势和技术途径,根据该领域应用需求、SiC材料特点和成本的多方权衡,开发了压阻式SiC高温压力传感器。通过理论模型结合ANSYS软件进行敏感结构的仿真和设计,解决了SiC压力传感器加工工艺中材料刻蚀、耐高温金属化、敏感电阻制备等关键技术难点,最终加工形成SiC高温压力传感器芯片。经过高温带电测试,加工的SiC压力传感器能够在550℃的环境温度下、700 kPa压力范围内输出压力敏感信号,传感器非线性指标达到1.054%,芯片灵敏度为0.005 03 mV/kPa/V,证明了整套技术的有效性。
- 何洪涛王伟忠杜少博胡立业杨志
- 关键词：SIC压力传感器ANSYS软件
- 硅岛膜结构的MEMS压力传感器
- 本实用新型公开了一种硅岛膜结构的MEMS压力传感器，涉及压力传感器技术领域。本实用新型采用单片SOI材料制备压力传感器，芯片尺寸可以做到毫米量级，与相同规格的硅杯型压力传感器相比，晶圆上的管芯数有一个数量级上的提高；采用...
- 杜少博何洪涛王伟忠杨拥军
- 文献传递
