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王静慧

作品数:7 被引量:9H指数:1
供职机构:中国兵器科学研究院更多>>
发文基金:国家重点基础研究发展计划宁波市自然科学基金更多>>
相关领域:化学工程金属学及工艺更多>>

文献类型

  • 4篇专利
  • 2篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 4篇化学工程
  • 1篇金属学及工艺

主题

  • 4篇陶瓷
  • 4篇常压烧结
  • 3篇致密化
  • 3篇烧结助剂
  • 2篇低热膨胀
  • 2篇生料
  • 2篇碳化硅
  • 2篇碳化硅陶瓷
  • 2篇热膨胀
  • 2篇堇青石
  • 2篇SIC陶瓷
  • 1篇电解液
  • 1篇氧化膜
  • 1篇造粒
  • 1篇致密
  • 1篇致密度
  • 1篇素坯
  • 1篇碳化硅粉
  • 1篇碳化硅粉体
  • 1篇碳化硼

机构

  • 7篇中国兵器科学...
  • 1篇西北工业大学

作者

  • 7篇王静慧
  • 6篇曹剑武
  • 5篇史秀梅
  • 5篇李国斌
  • 5篇郭建斌
  • 4篇李志鹏
  • 4篇杨双燕
  • 3篇赵斌
  • 3篇张立君
  • 3篇常永威
  • 3篇燕东明
  • 3篇李康
  • 3篇曲俊峰
  • 2篇高晓菊
  • 2篇乔光利
  • 2篇唐家耘
  • 2篇张武
  • 2篇张丛
  • 1篇崔红
  • 1篇李晓静

传媒

  • 1篇陶瓷学报
  • 1篇兵器材料科学...

年份

  • 1篇2020
  • 2篇2017
  • 3篇2016
  • 1篇2015
7 条 记 录,以下是 1-7
排序方式:
高致密化低热膨胀陶瓷制备方法
一种高致密化低热膨胀陶瓷制备方法,其特征在于包括如下步骤:①烧结合成堇青石高纯粉;②将堇青石高纯粉、堇青石生料、烧结助剂及分散剂配成原料;③球磨制备浆料、浆料干燥及造粒;④样品成型及烧结处理,即得到最终的高致密化堇青石低...
张丛曹剑武燕东明李志鹏郭建斌乔光利史秀梅高晓菊王志伟林广庆满蓬贾书波王静慧杨双燕李康常永威曲俊峰赵斌李国斌王成
文献传递
一种无压烧结碳化硼陶瓷制备方法
本发明涉及一种以2微米以上粗颗粒粉体为原料的无压烧结碳化硼陶瓷制备方法,包括以下步骤:将重量百分比为碳化硼粉(D<Sub>50</Sub>≥2μm)70~80wt%,碳粉4~8wt%,氧化钇粉0.7~2wt%三种原料放入...
曹剑武李志鹏燕东明王静慧牟晓明李康赵斌贾书波杨双燕常永威满蓬张武曲俊峰李国斌
文献传递
电解液对铝合金微弧氧化膜组织结构与性能的影响被引量:1
2015年
通过调节微弧氧化电解液中Na2Si O3和KOH浓度的配比,制备出厚达200μm以上的陶瓷氧化层,并对膜层进行厚度测量、SEM分析和硬度测试。结果表明:当Na2Si O3的质量浓度为5.5~6.0 g/L、KOH的质量浓度为1 g/L时,膜层厚可达260μm;陶瓷膜层颗粒和放电气孔尺寸均较小,膜层致密性良好;同时硬度可达1 500HV以上。
杨双燕童鹤王静慧张涛张武
关键词:微弧氧化铝合金电解液耐烧蚀
SiC陶瓷常压烧结致密化研究
采用常压烧结法制备了碳化硅陶瓷样品,研究了C的添加量、烧结温度以及粉体粒径对常压烧结碳化硅陶瓷微观结构和性能的影响.结果表明:随着酚醛树脂添加量的增加,碳在材料中的分布更加均匀,材料的致密度提高,力学性能增强.当酚醛树脂...
史秀梅曹剑武崔红王静慧李国斌郭建斌张立君唐家耘
关键词:碳化硅陶瓷常压烧结工艺参数致密度
高致密化低热膨胀陶瓷制备方法
一种高致密化低热膨胀陶瓷制备方法,其特征在于包括如下步骤:①烧结合成堇青石高纯粉;②将堇青石高纯粉、堇青石生料、烧结助剂及分散剂配成原料;③球磨制备浆料、浆料干燥及造粒;④样品成型及烧结处理,即得到最终的高致密化堇青石低...
张丛曹剑武燕东明李志鹏郭建斌乔光利史秀梅高晓菊王志伟林广庆满蓬贾书波王静慧杨双燕李康常永威曲俊峰赵斌李国斌王成
低成本常压烧结碳化硅陶瓷的制备方法
一种低成本常压烧结碳化硅陶瓷的制备方法,其特征在于包括如下步骤:①主原料准备;②碳化硅浆料制备;③造粒;④素坯获得,将造粒粉成型得到素坯;⑤烧结,得到碳化硅陶瓷。与现有技术相比,本发明的优点在于:采用粗碳化硅粉体为主要原...
曹剑武史秀梅王静慧李国斌李志鹏李晓静郭建斌张立君
文献传递
SiC陶瓷常压烧结致密化过程的研究被引量:8
2017年
采用常压烧结法制备了碳化硅陶瓷样品,研究了C的添加量、烧结温度以及粉体粒径对常压烧结碳化硅陶瓷微观结构和性能的影响。结果表明:随着酚醛树脂添加量的增加,碳在材料中的分布更加均匀,材料的致密度提高,力学性能增强。当酚醛树脂添加量到2wt.%时,材料的密度最高,为3.17 g/cm^3,并具有最大的弯曲强度507 MPa。当酚醛树脂添加量大于2wt.%时,出现部分碳化硅颗粒和气孔局部聚集长大,材料的密度与弯曲强度有所降低。Ar气氛保护下,SiC陶瓷的烧结密度和收缩率随烧结温度的升高而增大,至2150℃时,密度达到3.18 g/cm^3,收缩率为17%,随着温度继续升高,收缩率和密度基本保持不变。在2150℃,酚醛树脂添加量为2%的条件下,分别选取单一粉体(D_(50)1.0μm、2.0μm)和粗细混合粉体(比例为4:1)进行试验,发现平均粒径小的混合粉体烧结的SiC陶瓷样品密度和弯曲强度均大于单一粉体制备的样品。
史秀梅崔红曹剑武王静慧李国斌郭建斌张立君唐家耘
关键词:SIC常压烧结烧结助剂
共1页<1>
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