陈红涛
- 作品数：44 被引量：17H指数：2
- 供职机构：中国原子能科学研究院更多>>
- 发文基金：中国原子能科学研究院院长基金国家自然科学基金国防科技技术预先研究基金更多>>
- 相关领域：核科学技术理学自动化与计算机技术电气工程更多>>
- 高纯锗探测器阵列在(n,xnγ)反应截面测量中的应用
- 我们搭建了高纯锗探测器阵列和相关的电子学及获取系统,用来测量(n,xn)反应产生的瞬发特征γ射线。实验在原子能院高压倍加器斜管道上进行,利用氘脉冲束与氚靶反应产生的14 MeV中子来进行(n,xnγ)实验,探测器外围有B...
- 王朝辉侯龙李霞苏晓斌王琦刘洋陈红涛赵芳
- 关键词：高压倍加器
- 文献传递
- 不同基底氘钛靶性能研究
- 2024年
- 中子发生器的靶片性能影响中子产额和稳定性。为防止钛膜和基底材料间生成合金,进而影响靶片性能,本研究在氘钛靶储氢层与基底层之间采用了镀金工艺,以阻止钛膜和靶片的基底材料相互渗透,进而影响钛膜中钛元素浓度,造成靶上有效氘浓度降低。经过对比测试,钼基底镀金氘钛靶的中子产额可达到1.61×10^(9)s^(−1),在束流强度一定的条件下,其中子产额及稳定性优于铜基底镀金氘钛靶和纯钼基底氘钛靶。电子显微镜能谱分析显示,钼基底镀金氘钛靶中钛元素丰度最高,成功解释了其中子产额较高的原因。同时模拟计算排除了实验中靶片温度上升对靶中氘溢出的影响。此研究为理解和优化中子发生器提供了有价值的见解。
- 李炎锟陈红涛宋应民孙琪胡因球张坤龚新宝刘邢宇
- 关键词：基底中子产额
- 高压倍加器微秒脉冲束系统的建立被引量：1
- 2014年
- 为满足某些效应本底较低的实验的需求,在中国原子能科学研究院的高压倍加器上利用束流切割的方法建立了一套微秒脉冲束系统,并对研制的系统进行性能测试,介绍了该系统的建造方法和性能测试结果。该套装置符合设计要求,可投入实际应用。
- 陈红涛赵芳
- 关键词：高压倍加器
- D-T中子源束斑尺寸测量技术及应用被引量：1
- 2020年
- D-T中子发生器作为高能中子源,已用于特种核材料的有源探测技术中,利用时间符合法可实现被测物体的多模式成像,而中子源束斑尺寸是影响成像位置分辨的一个重要的因素。因此,结合D-T反应的特点和实际应用环境,开发了n-α关联符合测量确定中子源束斑尺寸的方法。利用该方法对小型移动中子发生器的束斑尺寸进行了测量,获得的束斑尺寸为(2.8±0.9)mm,与用CCD相机直接观测得到的约3 mm的测量结果一致,证明了该方法测量束斑尺寸的可行性。该方法也可用于辅助D-T中子源调束和关联粒子成像实验过程中的束斑监测。
- 张凯侯龙陈红涛鲍杰苏明阮念寿赵芳
- 关键词：位置灵敏探测器
- 一种一体化桌面式中子发生器
- 本发明属于中子发生器技术领域，具体涉及一种一体化桌面式中子发生器。包括设置在移动柜(72)的桌面上的D+离子源和直管型的冷却液导流管(3)，冷却液导流管(3)的顶端设置高压输入模块(19)，尾端设置靶电极(6)；还包括直...
- 赵芳张凯陈红涛鲍杰阮锡超龚新宝刘邢宇张坤刘世龙
- 文献传递
- 一种用于标记中子束无损检测的移动式D-T中子发生器
- 本发明属于标记中子束无损检测技术领域，具体涉及一种用于标记中子束无损检测的移动式D‑T中子发生器，包括通过加速管(6)连接的高频离子源系统(5)和真空系统及测量单元(7)，设置在真空系统及测量单元(7)上的关联束靶系统(...
- 陈红涛张凯苏明鲍杰赵芳栾广源阮锡超侯龙刘世龙龚新宝刘邢宇张坤
- 文献传递
- 一种手提式中子发生器
- 本发明属于中子发生器技术领域，具体涉及一种手提式中子发生器，包括设置在主体机箱(1)内的D+离子源和冷却液导流管(3)，冷却液导流管(3)的顶端设置高压输入模块，尾端设置靶电极(29)；直筒型的真空腔(4)的一端与冷却液...
- 陈红涛赵芳张凯鲍杰于伟翔阮锡超刘世龙侯龙龚新宝刘邢宇张坤
- 中子发生器
- 本发明公开了一种中子发生器，该中子发生器包括壳体、设置在壳体内的离子源以及设置在壳体内的靶组件，靶组件与离子源相对应地设置，离子源通过第一隔板固定在壳体的内壁上，离子源包括第一阴极、第二阴极以及设置在第一阴极和第二阴极之...
- 宋应民陈红涛张凯赵芳刘邢宇龚新宝阮锡超聂阳波
- 文献传递
- 摆动氚钛靶装置
- 本发明属于核技术应用技术领域，具体涉及一种摆动氚钛靶装置，包括水平轨道、水平滑动平台、竖直轨道、竖直滑轨、水平直线电机、竖直直线电机、方法兰、波纹管和氚钛靶。水平滑动平台装配在水平轨道上，竖直轨道固定在水平滑动平台上，并...
- 陈红涛赵芳江历阳
- 文献传递
- 14MeV中子引发SRAM器件单粒子效应实验研究被引量：10
- 2015年
- 在中国原子能科学研究院的高压倍加器装置上开展了SRAM器件的14 MeV中子单粒子效应实验研究。介绍了中子的产生、中子注量率的测量和调节以及中子单粒子效应的测试等的实验方法,获得了HM628512BLP型和R1LV1616HSA型SRAM器件的14 MeV中子单粒子效应截面。前者与文献的单粒子效应截面在误差范围内一致,验证了实验方法的科学性和可行性。后者与由效应机制出发获得的理论分析结果在量级上一致,对实验结果给出了定性的解释。
- 范辉郭刚沈东军刘建成陈红涛赵芳陈泉何安林史淑廷惠宁蔡莉王贵良
- 关键词：高压倍加器SRAM单粒子效应截面
