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包埋Pt纳米粒子对金属-半导体-金属结构ZnO紫外光电探测器性能的影响被引量：7: 2015年; 利用射频磁控溅射设备制备ZnO薄膜,最终制备ZnO/Pt纳米粒子/ZnO结构的金属-半导体-金属型紫外光电探测器.研究了Pt纳米粒子处在ZnO薄膜层中的不同深度对金属-半导体-金属型紫外光电探测器响应性能的影响.结果表明,探测器的响应度随着Pt纳米粒子在ZnO薄膜层中所处深度的增大而升高.在60 V偏压下,包埋Pt最深的探测器在波长365 nm处取得响应度最大值1.4 A·W-1,包埋有Pt探测器的响应度最大值为无Pt纳米粒子探测器响应度最大值的7倍.结合对ZnO薄膜表面的表征及探测器各项性能的测试,得出包埋Pt纳米粒子增强器件的响应性能可归因于表面等离子体增强散射.; 裴佳楠蒋大勇田春光郭泽萱刘如胜孙龙秦杰明侯建华赵建勋梁庆成高尚; 关键词：ZNO薄膜紫外光电探测器表面等离子体 PT纳米粒子

采用氧化锌基半导体薄膜的紫外火焰探测器: 采用氧化锌基半导体薄膜的紫外火焰探测器属于消防设备技术领域。现有紫外火焰探测器采用的紫外光敏管制备工艺复杂，制作成本较高；尤其管内气体容易溢出，导致紫外光敏管功能下降，使用寿命缩短，紫外火焰探测器的维护周期缩短，使得火焰...; 蒋大勇刘如胜田春光孙龙侯建华赵建勋高尚梁庆成秦杰明; 文献传递

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田春光