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廖红

作品数：18 被引量：0H指数：0
供职机构：四川长虹电器股份有限公司更多>>
相关领域：电子电信电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 18篇中文专利

领域

  • 5篇电子电信
  • 1篇电气工程

主题

  • 9篇源极
  • 9篇漏极
  • 7篇寻址
  • 7篇欧姆接触
  • 7篇绝缘衬底
  • 7篇衬底
  • 5篇沟道
  • 5篇P沟道
  • 4篇电池
  • 4篇电压
  • 4篇热效应
  • 4篇SOI
  • 4篇氧
  • 3篇电池管理
  • 3篇锂电池
  • 3篇外延层
  • 2篇低电阻
  • 2篇电池管理系统
  • 2篇电路
  • 2篇电平位移

机构

  • 18篇四川长虹电器...

作者

  • 18篇廖红
  • 11篇罗波
  • 6篇黄勇
  • 4篇周迅
  • 3篇孟令锋
  • 2篇梁涛
  • 2篇黄光佐
  • 2篇孙镇

年份

  • 4篇2020
  • 1篇2015
  • 2篇2013
  • 5篇2012
  • 4篇2011
  • 2篇2010
共 18 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种基于自循环校正的锂电池SOH估算系统及方法
本发明涉及电池管理技术领域，其公开了一种基于自循环校正的锂电池SOH估算系统及方法，通过对SOH估算值的自循环校正，在确保预测结果收敛的前提下，提高锂电池SOH估算的精确度，提升电池管理系统的可靠性。该系统包括：数据采集...
孟令锋周迅黄勇廖红
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高压PMOS双槽隔离的SOI晶片
本发明涉及SOI技术。本发明解决了现有高压PMOS双槽隔离的SOI晶片由于双槽之间的N型外延层浮空，PMOS源端附近的硅层仍然需要承受电压降导致易被击穿的问题，提供了一种高压PMOS双槽隔离的SOI晶片，其技术方案为：高...
廖红
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部分SOI横向双扩散器件
本发明涉及SOI技术。本发明解决了现有常规SOI器件自热效应明显的问题，提供了一种部分SOI横向双扩散器件，其技术方案可概括为：部分SOI横向双扩散器件，其埋氧层一端位于源极下方与器件边缘接触，另一端与漏极第二型杂质欧姆...
廖红罗波
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p沟道横向双扩散金属氧化物半导体器件
本发明涉及SOI基上LDMOS器件。本发明针对现有技术的器件未成熟击穿的问题，以及漏极扩展区掺杂浓度与器件耐压的矛盾，公开了一种绝缘衬底上的硅基p沟道横向双扩散金属氧化物半导体器件。本发明的技术方案是，p沟道横向双扩散金...
廖红罗波
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绝缘衬底上的硅基横向双扩散金属氧化物半导体器件
本发明涉及SOI基上横向双扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件。本发明针对现有技术SOI基LDMOS器件中，仅部分漂移区参与导电的问题，公开了一种SOI基横向双扩散金属氧化物半导体器件，利用漂移区n型杂质条和p型杂质条...
梁涛罗波孙镇廖红黄勇黄光佐
基于Adaboost算法的锂电池退役检测方法及系统
本发明涉及电池管理系统技术领域，本发明旨在解决现有技术对锂电池是否达到退役标准判断的方式复杂的问题，提出一种基于Adaboost算法的锂电池退役检测方法，包括以下步骤：从已知电池参数信息中选取多个样本，所述样本至少包括未...
周迅黄勇孟令峰廖红
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部分SOI横向双扩散器件
本发明涉及SOI技术。本发明解决了现有常规SOI器件自热效应明显的问题，提供了一种部分SOI横向双扩散器件，其技术方案可概括为：部分SOI横向双扩散器件，其埋氧层一端位于源极下方与器件边缘接触，另一端与漏极第二型杂质欧姆...
廖红罗波
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p沟道横向双扩散金属氧化物半导体器件
本发明涉及SOI基上LDMOS器件。本发明针对现有技术的器件未成熟击穿的问题，以及漏极扩展区掺杂浓度与器件耐压的矛盾，公开了一种绝缘衬底上的硅基p沟道横向双扩散金属氧化物半导体器件。本发明的技术方案是，p沟道横向双扩散金...
廖红罗波
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p沟道横向双扩散金属氧化物半导体器件
本发明涉及SOI基上LDMOS器件。本发明针对现有技术的器件未成熟击穿的问题，以及漏极扩展区掺杂浓度与器件耐压的矛盾，公开了一种绝缘衬底上的硅基p沟道横向双扩散金属氧化物半导体器件。本发明的技术方案是，p沟道横向双扩散金...
廖红罗波
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高压PMOS双槽隔离的SOI晶片
本发明涉及SOI技术。本发明解决了现有高压PMOS双槽隔离的SOI晶片由于双槽之间的N型外延层浮空，PMOS源端附近的硅层仍然需要承受电压降导致易被击穿的问题，提供了一种高压PMOS双槽隔离的SOI晶片，其技术方案为：高...
廖红
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