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孟蕾

作品数:8 被引量:6H指数:1
供职机构:中国科学院物理研究所更多>>
发文基金:中央高校基本科研业务费专项资金国家自然科学基金更多>>
相关领域:理学一般工业技术天文地球更多>>

文献类型

  • 5篇会议论文
  • 2篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 3篇理学
  • 1篇天文地球
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 6篇石墨
  • 6篇石墨烯
  • 5篇
  • 4篇单晶
  • 3篇插层
  • 2篇单晶薄膜
  • 2篇电子学
  • 2篇新型材料
  • 2篇型材
  • 2篇基底表面
  • 2篇及物性
  • 2篇硅烯
  • 2篇蜂窝状
  • 2篇RU(000...
  • 2篇
  • 2篇IR
  • 2篇层状结构
  • 1篇有序膜
  • 1篇扫描隧道显微...
  • 1篇相互作用

机构

  • 8篇中国科学院
  • 1篇中央民族大学
  • 1篇中北大学
  • 1篇中国地质大学...

作者

  • 8篇高鸿钧
  • 8篇孟蕾
  • 7篇王业亮
  • 2篇潘毅
  • 2篇张勇
  • 2篇黄立
  • 1篇鲍丽宏
  • 1篇周兴江
  • 1篇李林飞
  • 1篇刘国东
  • 1篇杨天中

传媒

  • 1篇物理学报
  • 1篇中国真空学会...
  • 1篇中国物理学会...

年份

  • 1篇2018
  • 3篇2014
  • 2篇2013
  • 2篇2012
8 条 记 录,以下是 1-8
排序方式:
石墨烯-硅的异质层状结构:制备及物性的研究
石墨烯因其独特的优异性质具有广泛应用前景。构建石墨烯-硅的异质结构,可以实现石墨烯与现有硅基微电子技术无缝链接。我们在单晶过渡金属Ru(0001),Ir(111)外延制备高质量的石墨烯,通过硅插层方法成功地构建了石墨烯-...
阙炎德张勇黄立孟蕾潘毅王业亮高鸿钧高鸿钧
关键词:RU(0001)单晶薄膜
文献传递
一种硅烯材料的制备方法
本发明公开了一种硅烯材料的制备方法,其步骤包括:1)在真空环境下,将适量硅蒸发沉积到过渡金属铱基底上;2)对整个样品进行退火处理,以使硅相互作用,在基底表面形成二维有序的膜状结构,硅原子成六角蜂窝状排布,形成一种新型的二...
王业亮孟蕾高鸿钧
文献传递
新型机械解理方法在二维材料研究中的应用被引量:6
2018年
自从石墨烯被发现以来,机械解理技术已经成为制备高质量二维材料的重要方法之一,在二维材料本征物性的研究方面展现出了独特的优势.然而传统机械解理方法存在明显的不足,如制备效率低、样品尺寸小等,阻碍了二维材料领域的研究进展.近些年我们在机械解理技术方面取得了一系列的突破,独立发展了一套具有普适性的新型机械解理方法.这种新型机械解理方法的核心在于通过改变解理过程中的多个参数,增强层状材料与基底之间的范德瓦耳斯相互作用,从而提高单层样品的产率和面积.本文着重以石墨烯为例,介绍了该技术的过程和机理.相比于传统机械解理方法,石墨烯的尺寸从微米量级提高到毫米量级,面积提高了十万倍以上,产率大于95%,同时石墨烯依然保持着非常高的质量.这种新型机械解理方法具有良好的普适性,目前已经在包括MoS_2, WSe_2, MoTe_2, Bi2212等几十种材料体系中得到了毫米量级以上的高质量单层样品.更重要的是,在解理过程中,通过调控不同的参数,可以在层状材料中实现一些特殊结构的制备,如气泡、褶皱结构等,为研究这些特殊材料体系提供了重要的物质保障.未来机械解理技术还有很多值得深入研究的科学问题,该技术的突破将会极大地推动二维材料领域的研究进展.
许宏孟蕾李杨杨天中杨天中鲍丽宏刘国东刘天生邢杰高鸿钧高鸿钧周兴江
关键词:石墨烯
石墨烯-硅的异质层状结构:制备及物性的研究
石墨烯因其独特的优异性质具有广泛应用前景。构建石墨烯-硅的异质结构,可以实现 石墨烯与现有硅基微电子技术无缝链接。我们在单晶过渡金属Ru(0001),Ir(111)外延制备高质量的 石墨烯,通过硅插层方法成功地构建了石墨...
阙炎德张勇黄立孟蕾潘毅王业亮高鸿钧
关键词:RU(0001)单晶薄膜
铱(111)表面外延生长石墨烯的硅和铪插层
石墨烯以其独特的晶体结构和优异的电学、磁学、光学和力学性能成为当前的研究热点。过渡金属表面外延生长法被证明是制备大面积、高质量石墨烯的途径之一。然而,石墨烯和其金属基底之间的电子轨道耦合对石墨烯的本征电子结构有较大的影响...
李林飞孟蕾武荣庭王业亮高鸿钧
关键词:石墨烯插层扫描隧道显微镜
一种硅烯材料的制备方法
本发明公开了一种硅烯材料的制备方法,其步骤包括:1)在真空环境下,将适量半导体材料硅蒸发沉积到过渡金属基底上,所述过渡金属基底为铱的(111)面;2)对整个样品进行退火处理,以将覆盖在基底表面的硅相互作用,形成六角蜂窝状...
王业亮孟蕾高鸿钧
文献传递
单晶Ir(111)上的石墨烯的生长,结构及硅插层
在金属表面有望生成出单层单晶石墨烯。金属上外延生长的石墨烯有两个主要的特征:首先,虽然石墨烯和这些金属基底都有六重对称性,但是它们的晶格参数是不相同的;另外,石墨烯和这些金属基底有着或强或弱的相互作用。基于以上这两点,为...
孟蕾王业亮高鸿钧
文献传递
单晶Ir(111)上的石墨烯的生长,结构及硅插层
在金属表面有望生成出单层单晶石墨烯。金属上外延生长的石墨烯有两个主要的特征:首先,虽然石墨烯和这些金属基底都有六重对称性,但是它们的晶格参数是不相同的;另外,石墨烯和这些金属基底有着或强或弱的相互作用。基于以上这两点,为...
孟蕾王业亮高鸿钧
共1页<1>
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