您的位置: 专家智库 > >

郑建华

作品数:25 被引量:0H指数:0
供职机构:北京工业大学更多>>
相关领域:电子电信医药卫生建筑科学更多>>

文献类型

  • 23篇专利
  • 2篇学位论文

领域

  • 4篇电子电信
  • 1篇建筑科学
  • 1篇医药卫生

主题

  • 11篇单片集成
  • 10篇单片
  • 5篇电路
  • 5篇探测器
  • 5篇腔面
  • 5篇面发射
  • 5篇面发射激光器
  • 5篇激光
  • 5篇激光器
  • 5篇集成电路
  • 5篇光探测
  • 5篇发射激光器
  • 5篇反射镜
  • 5篇分布布拉格反...
  • 5篇分布布拉格反...
  • 5篇布拉格反射镜
  • 5篇垂直腔
  • 5篇垂直腔面
  • 5篇垂直腔面发射
  • 4篇芯片

机构

  • 25篇北京工业大学

作者

  • 25篇郑建华
  • 23篇王智勇
  • 19篇王青
  • 8篇尧舜
  • 8篇张绵
  • 2篇王清
  • 2篇沈度

年份

  • 1篇2022
  • 2篇2018
  • 5篇2017
  • 2篇2016
  • 13篇2015
  • 2篇2014
25 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种清洗钝化GaAS晶圆表面的方法
一种清洗钝化GaAS晶圆表面的方法,首先将GaAS晶圆用有机溶液处理,除去表面的油污;然后用盐酸溶液浸泡GaAS衬底,除去表面的氧化层;接着采用紫外-臭氧方法对GaAs表面进行钝化;最后将钝化后的GaAS衬底用去离子水冲...
王智勇张绵王青尧舜高鹏坤郑建华
文献传递
基于一维PSD的太阳跟踪传感器
基于一维PSD的太阳跟踪传感器,一维PSD安装在传感器外壳底部中心位置;自限温电热保温器设置在一维PSD的正下方;传感器外壳内壁设有螺纹,从下至上依次安装有透镜搁架a、图形光阑搁架、透镜搁架b;透镜安装在透镜搁架a或透镜...
王智勇沈度郑建华代明崇高鹏坤
一种GaN基HEMT和LD单片集成的直接调制半导体激光器结构
本发明公开了一种GaN基HEMT和LD单片集成的直接调制半导体激光器结构,该结构由GaN基HEMT和LD两部分组成,所述GaN基HEMT和所述LD被隔离层隔开;所述LD由在GaN衬底上依次外延生长的AlGaN下包层、Ga...
王智勇吕朝蕙王清尧舜郑建华
文献传递
铝合金单层球面网壳抗震性能研究
郑建华
X波段MMIC低噪声放大器的设计
无线通讯技术与人们的日常生活息息相关,其应用领域也是越来越广泛。不论是个人还是国家,对于高性能的微波集成电路都有着很大需求。本文对X波段MMIC低噪声放大器的电路进行了研究和设计,主要包括以下内容:MMIC低噪声放大器的...
郑建华
关键词:单片微波集成电路性能评价
一种微波载流子直接调制的垂直腔面发射激光器
一种微波载流子直接调制的垂直腔面发射激光器,该缓冲层生长在所述衬底上;下分布布拉格反射镜层生长在所述缓冲层上;该下相位匹配层生长在所述下分布布拉格反射镜层上;亚集电极层生长在所述下相位匹配层上;集电极层生长在所述亚集电极...
王智勇王青尧舜郑建华高鹏坤
文献传递
一种芯片级GaAs功率器件、微波单片电路表面温度检测方法
一种芯片级GaAs功率器件、微波单片电路表面温度检测方法,S1利用片内集成的负温度系数的Pt热敏电阻NTC检测管芯温度或结温,将片外可调精密电阻阻值调至NTC参考值,通过检测温度检测点处电压,从而计算出管芯温度;S2通过...
王智勇高鹏坤王青张绵郑建华
一种GaAs基微波器件、单片集成电路背孔的激光打孔加工方法
一种GaAs基微波器件、单片集成电路背孔的激光打孔加工方法,属于电子元器件加工技术领域。其使用激光束照射在衬底背面形成背孔;在背面生长一层SiO<Sub>2</Sub>保护层,防止折射等杂散激光对衬底表面的影响,并方便去...
王智勇高鹏坤郑建华王青
文献传递
GaAs基HBT和长波长谐振腔单片集成光探测器
一种GaAs基HBT和长波长谐振腔单片集成光探测器,该探测器由GaAs基HBT和RCE两部分组成,所述GaAs基HBT和所述RCE被腐蚀截止层InGaP隔开;所述GaAs基HBT由在GaAs衬底上依次分子束外延生长的缓冲...
王智勇高鹏坤王青郑建华
一种GaAs功率器件、微波单片电路的片上Pt薄膜热敏电阻的制备工艺
一种GaAs功率器件、微波单片电路的片上Pt薄膜热敏电阻的制备工艺,在GaAs基微波器件的制备工艺过程中,加入Pt薄膜热敏电阻制造工艺环节,并使其完全融入现有微波器件工艺,在晶圆上制备出Pt热敏电阻对器件温度进行实时检测...
王智勇张绵尧舜王青高鹏坤郑建华
共3页<123>
聚类工具0