您的位置： 专家智库 > >

贾越辉

作品数：19 被引量：0H指数：0
供职机构：北京大学更多>>
相关领域：理学电子电信金属学及工艺更多>>

合作作者

文献类型

  • 19篇中文专利

领域

  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 9篇石墨
  • 9篇石墨烯
  • 6篇金属
  • 4篇纳米
  • 4篇纳米带
  • 4篇分子
  • 3篇无源
  • 3篇光刻
  • 3篇光刻胶
  • 2篇等离子体
  • 2篇等离子体刻蚀
  • 2篇电离
  • 2篇电路
  • 2篇电偶
  • 2篇电子束曝光
  • 2篇电子束曝光机
  • 2篇淀积
  • 2篇动态过程
  • 2篇栅介质
  • 2篇湿法

机构

  • 19篇北京大学

作者

  • 19篇任黎明
  • 19篇傅云义
  • 19篇贾越辉
  • 16篇彭沛
  • 16篇王紫东
  • 8篇龚欣
  • 4篇郭剑
  • 3篇魏子钧
  • 3篇黄如
  • 3篇叶青
  • 3篇张亮
  • 3篇张兴
  • 1篇张酣

年份

  • 2篇2019
  • 3篇2018
  • 2篇2017
  • 11篇2016
  • 1篇2014
共 19 条 记 录，以下是 1-10
全选 清除 导出
排序方式：
一种由金属辅助的二维材料纳米带的制备方法
本发明公开了一种由金属辅助的二维材料纳米带的制备方法。该方法借助金属来制备矩形的金属/二维材料的双层纳米结构，从而在其边缘形成金属/二维材料的纳米卷，该纳米卷曲物的宽度一般可在100nm以下，通过反复使用等离子体刻蚀和湿...
王紫东傅云义贾越辉龚欣彭沛田仲政任黎明
文献传递
一种测量石墨烯与金属表面间距的方法
本发明公开了一种基于光谱仪和导电原子力显微镜的石墨烯与金属表面间距测量方法，该方法利用石墨烯‑金属结在特定电压下可以在大气环境中发光的现象，以光谱仪配合导电原子力显微镜，实现控制探针移动，测量相应电压，提取到ΔE<Sub...
王锴成贾越辉王紫东彭沛任黎明傅云义
文献传递
一种石墨烯表面气体分子吸附过程的监测方法
本发明公开了一种石墨烯器件表面气体分子吸附过程的监测方法，该方法主要通过监测石墨烯器件的转移特性，尤其是狄拉克点位置，实时监控器件中石墨烯表面的气体吸附动态过程，即从清洁石墨烯表面至分子饱和吸附的全过程，并可较为精确地测...
贾越辉彭沛王紫东田仲政任黎明傅云义
文献传递
一种由金属辅助的二维材料纳米带的制备方法
本发明公开了一种由金属辅助的二维材料纳米带的制备方法。该方法借助金属来制备矩形的金属/二维材料的双层纳米结构，从而在其边缘形成金属/二维材料的纳米卷，该纳米卷曲物的宽度一般可在100nm以下，通过反复使用等离子体刻蚀和湿...
王紫东傅云义贾越辉龚欣彭沛田仲政任黎明
文献传递
一种测量石墨烯与金属表面间距的方法
本发明公开了一种基于光谱仪和导电原子力显微镜的石墨烯与金属表面间距测量方法，该方法利用石墨烯-金属结在特定电压下可以在大气环境中发光的现象，以光谱仪配合导电原子力显微镜，实现控制探针移动，测量相应电压，提取到ΔE<Sub...
王锴成贾越辉王紫东彭沛任黎明傅云义
一种石墨烯表面气体分子吸附过程的监测方法
本发明公开了一种石墨烯器件表面气体分子吸附过程的监测方法，该方法主要通过监测石墨烯器件的转移特性，尤其是狄拉克点位置，实时监控器件中石墨烯表面的气体吸附动态过程，即从清洁石墨烯表面至分子饱和吸附的全过程，并可较为精确地测...
贾越辉彭沛王紫东田仲政任黎明傅云义
文献传递
一种基于石墨烯无源热电偶的温度探测方法
本发明公开了一种基于石墨烯无源热电偶的微纳尺度温度探测方法，该测试方法基于石墨烯的赛贝克系数可以调节，用石墨烯一种材料，制备传统上需要两种材料才可以制备的热电偶器件，实现温度探测。本发明同时避免传统的利用外加电压调制石墨...
王锴成贾越辉王紫东彭沛任黎明傅云义
文献传递
一种制备二维纳米材料的微米带或纳米带的方法
本发明公开了一种二维纳米材料的微米带或纳米带的制备方法。该方法相对于传统工艺制备的二维纳米材料的微米带或纳米带，无需采用光刻工艺，从而避免了其对光刻水平的依赖，并且可改善由光刻法制备微米带或纳米带造成的边缘粗糙问题。另外...
王紫东傅云义贾越辉彭沛龚欣田仲政任黎明
文献传递
一种基于石墨烯的集成电路中的屏蔽层结构
本发明公开了一种基于石墨烯的集成电路中的屏蔽层结构，该结构包括上下层叠的多个绝缘介质层、金属信号线、水平的屏蔽层、竖直的屏蔽层、以及金属信号线间的通孔和屏蔽层与金属信号线间的通孔，其核心在于屏蔽层的材料为单层或多层石墨烯...
秦樵风王紫东贾越辉彭沛任黎明傅云义
文献传递
在石墨烯材料上淀积高k栅介质的方法及应用
本发明公开了一种在石墨烯材料上淀积高k栅介质的方法及应用，属于集成电路技术领域，该方法首先选取表面平整、无缺陷或少缺陷的石墨烯材料作为淀积高k介质的基底样品；将基底样品放入扫描电子显微镜的真空腔室，抽真空至5E‑4至1E...
叶青傅云义郭剑贾越辉魏子钧张亮任黎明黄如张兴
文献传递
全选 清除 导出
共2页<12>
聚类工具0