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肖红秀

作品数：21 被引量：0H指数：0
供职机构：株洲南车时代电气股份有限公司更多>>
相关领域：文化科学自动化与计算机技术电气工程电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 21篇中文专利

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇电气工程
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇文化科学

主题

  • 10篇芯片
  • 6篇压接
  • 6篇半导体
  • 5篇压接式
  • 5篇绝缘
  • 5篇集电极
  • 4篇模组
  • 4篇功率半导体
  • 4篇功率半导体器...
  • 4篇发射极
  • 4篇半导体器件
  • 4篇IGBT模块
  • 4篇衬板
  • 3篇弹簧
  • 3篇模块封装
  • 3篇晶体管
  • 3篇绝缘性
  • 3篇绝缘性能
  • 3篇绝缘栅
  • 3篇封装

机构

  • 21篇株洲南车时代...

作者

  • 21篇彭勇殿
  • 21篇方杰
  • 21篇常桂钦
  • 21篇刘国友
  • 21篇肖红秀
  • 2篇黄建伟
  • 2篇刘可安
  • 2篇徐凝华
  • 2篇颜骥
  • 2篇王世平
  • 2篇曾雄

年份

  • 2篇2019
  • 4篇2018
  • 5篇2017
  • 1篇2016
  • 8篇2015
  • 1篇2014
共 21 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种功率半导体模块
本申请公开了一种功率半导体模块，包括：相对设置的外壳上盖和外壳底座，所述外壳底座设置有多个定位凸台；设置在所述外壳上盖和所述外壳底座之间的整体定位装置，所述整体定位装置设置有与所述定位凸台的数目相同且位置相同的定位方格。...
刘国友李继鲁窦泽春刘可安黄建伟彭勇殿常桂钦方杰肖红秀
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功率半导体器件
本发明的功率半导体器件包括第一电极、第二电极、设置在第一电极和第二电极之间的芯片，以及设置在第一电极和第二电极之间的旁路导通单元。旁路导通单元包括导电件和固定件。其中，固定件构造成在芯片正常工作时能阻止导电件与第一电极和...
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一种功率半导体模块
本发明公开了一种功率半导体模块，包括：相对设置的外壳上盖和外壳底座，所述外壳底座设置有多个定位凸台；设置在所述外壳上盖和所述外壳底座之间的整体定位装置，所述整体定位装置设置有与所述定位凸台的数目相同且位置相同的定位方格。...
刘国友李继鲁窦泽春刘可安黄建伟彭勇殿常桂钦方杰肖红秀
压接式半导体模块及其制作方法
本发明公开了一种压接式半导体模块及其制作方法，模块包括：半导体芯片、上钼片、下钼片、管盖、底座、栅极引出端、PCB和引线。半导体芯片包括IGBT（或MOSFET）芯片，下钼片采用大钼圆片或单个子钼片或若干个子钼片的组合。...
方杰李继鲁窦泽春肖红秀常桂钦彭勇殿刘国友
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压接式绝缘栅双极型晶体管
本发明涉及一种压接式绝缘栅双极型晶体管，包括壳体，以及设置在所述壳体内且沿第一方向依次布置的发射极、电路板、模块定位件、钼板和集电极，其中在模块定位件上开设有多个定位孔，在各定位孔内沿第一方向依次设有钼块、芯片和固定设在...
李继鲁窦泽春方杰常桂钦肖红秀彭勇殿刘国友
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压接式半导体模块及其制作方法
本发明公开了一种压接式半导体模块及其制作方法，模块包括：半导体芯片、上钼片、下钼片、管盖、底座、栅极引出端、PCB和引线。半导体芯片包括IGBT（或MOSFET）芯片，下钼片采用大钼圆片或单个子钼片或若干个子钼片的组合。...
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功率半导体器件
本发明的功率半导体器件包括第一电极、第二电极、设置在第一电极和第二电极之间的芯片，以及设置在第一电极和第二电极之间的旁路导通单元。旁路导通单元包括导电件和固定件。其中，固定件构造成在芯片正常工作时能阻止导电件与第一电极和...
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一种功率器件
本申请提供的一种功率器件，包括：芯片、两片电极、钼片组、陶瓷外壳和短路结构；其中，短路结构包括：压缩状态的金属弹簧、套设于金属弹簧外侧的套管和将金属弹簧封装于套管内的低熔点合金；其中，短路结构设置于两片电极之间，短路结构...
李继鲁窦泽春肖红秀方杰常桂钦刘国友彭勇殿
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IGBT子模组单元及其封装模块
本发明公开了一种IGBT子模组单元及其封装模块，属于半导体器件封装技术领域，解决现有压接型IGBT封装结构中辅助发射极回路的杂散参数不一致的技术问题。该IGBT子模组单元包括：IGBT芯片；发射极钼片，其一面与所述IGB...
刘国友窦泽春彭勇殿李继鲁肖红秀方杰常桂钦忻兰苑徐凝华王世平
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用于承载芯片的绝缘衬板以及IGBT模块
本发明涉及用于承载芯片的绝缘衬板以及IGBT模块。该绝缘衬板包括：含有多个绝缘板的层叠体，在相邻绝缘板之间设置有金属层，多个绝缘板中的每一个均大于与之相邻的两个金属层的面积。在使用本发明的绝缘衬板时，在金属层与绝缘衬板的...
刘国友彭勇殿方杰窦泽春李继鲁常桂钦肖红秀
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