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马万里

作品数：197 被引量：0H指数：0
供职机构：北大方正集团有限公司更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术经济管理更多>>

文献类型

  • 197篇中文专利

领域

  • 14篇电子电信
  • 1篇经济管理
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 108篇氧化层
  • 70篇栅氧化
  • 70篇栅氧化层
  • 62篇多晶
  • 49篇刻蚀
  • 49篇半导体
  • 48篇外延层
  • 44篇光刻
  • 40篇接触孔
  • 38篇衬底
  • 28篇源区
  • 27篇多晶硅
  • 27篇VDMOS器...
  • 25篇芯片
  • 24篇硅衬底
  • 24篇半导体器件
  • 20篇介质层
  • 20篇VDMOS
  • 20篇掺杂
  • 18篇离子

机构

  • 197篇北大方正集团...
  • 195篇微电子有限公...
  • 2篇北京北大方正...

作者

  • 197篇马万里

年份

  • 1篇2021
  • 9篇2020
  • 21篇2019
  • 11篇2018
  • 50篇2017
  • 29篇2016
  • 36篇2015
  • 10篇2014
  • 15篇2013
  • 7篇2012
  • 8篇2011
共 197 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种查找缺陷掩膜版的方法
本发明涉及半导体芯片制造领域，特别涉及一种查找缺陷掩膜版的方法。该方法包括：从需要曝光的掩膜版中，选取至少一层掩膜版；确定选取的掩膜版对应的shot，其中，选取的每层掩膜版对应不同的shot；针对每一个shot，将该sh...
马万里赵文魁
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射频横向双扩散MOS器件的制作方法
本发明公开一种射频横向双扩散MOS器件的制作方法，包括：提供衬底，所述衬底的表面内形成有所述器件的源区、漏区、漂移区和体区，所述衬底表面上形成有所述器件的栅极；在整个器件的表面上依次沉积第一氧化层和场板；通过光刻，去除预...
马万里闻正锋赵文魁
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一种在晶片减薄过程中保护金属层的方法
本发明公开了一种在晶片减薄过程中保护金属层的方法，以解决现有技术中，在晶片减薄过程中，撕掉保护膜时容易将晶片的金属层一起撕掉的问题。该方法包括：在晶片的金属层表面涂光刻胶层，对所述金属层进行去边胶处理，去边胶宽度大于压边...
马万里
沟槽型双扩散金属氧化物半导体晶体管的制作方法
本发明公开了一种Trench DMOS的制作方法，用以解决现有技术TrenchDMOS制作效率低、周期长的问题。该方法在栅氧化层处理后的Trench中沉积POLY层，沉积的每个POLY柱子的高度较Trench的水平面高；...
马万里赵文魁
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一种多晶硅栅极的制造方法及多晶硅栅极
本发明提供了一种多晶硅栅极的制造方法及多晶硅栅极，其中，多晶硅栅极的制造方法包括：在衬底上依次生成栅氧化层、多晶硅层和氮化硅层；对所述氮化硅层和所述多晶硅层进行光刻和刻蚀，且所述多晶硅层上被刻蚀的位置保留预设厚度的余量；...
马万里
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一种自对准硅化物晶体管及其制作方法
本发明涉及半导体器件制造技术领域，公开了一种自对准硅化物晶体管及其制作方法，所述自对准硅化物晶体管的制作方法，包括：形成位于衬底上的栅极及位于所述栅极上的抗氧化层；将离子注入及驱入所述栅极一侧的衬底内形成体区，所述衬底表...
马万里闻正锋赵文魁
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一种功率器件分压环的制作方法
本发明涉及半导体芯片器件制造工艺领域，公开了一种功率器件分压环的制作方法，对氧化后的衬底的有源区进行光刻；将N型离子注入及驱入有源区形成N型区域，所述N型区域的上表面生成薄氧化层；对所述的薄氧化层进行湿法刻蚀；对衬底的分...
马万里
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一种VDMOS的制造方法和VDMOS
本发明提供一种VDMOS的制造方法和VDMOS，该方法包括：在N型外延层上形成栅氧化层；在栅氧化层上形成多晶硅层，该多晶硅层的中间固定区域为绝缘区域，该多晶硅层的中间固定区域外的其他区域为掺杂区域；在N型外延层上依次形成...
马万里李理赵圣哲
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一种压焊块金属层加厚的芯片及其制造方法
本发明公开了一种压焊块金属层加厚的芯片及其制造方法，属于半导体芯片制造技术领域。本发明所述芯片，包括硅衬底、硅衬底上的金属层、金属层上的钝化层以及压焊块，其中，压焊块的金属层厚度大于金属走线的金属层厚度。其制造方法包括根...
马万里赵文魁
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一种沟槽型VDMOS器件及其制造方法
本发明提供一种沟槽型VDMOS器件及其制造方法，该制造方法至少包括如下顺序进行的步骤：在具有沟槽的硅衬底表面形成氧化层；在所述氧化层表面形成不掺杂的第一多晶硅层；去除所述沟槽外部的第一多晶硅层和所述沟槽内部的部分第一多晶...
马万里
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